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赵磊

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇国内会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇晶型
  • 2篇击穿电压
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇优化设计
  • 1篇高压LDMO...
  • 1篇场板
  • 1篇场板结构

机构

  • 2篇电子科技大学

作者

  • 2篇乔明
  • 2篇蒋苓利
  • 2篇赵磊
  • 1篇向凡
  • 1篇段双亮
  • 1篇王明石
  • 1篇刘清涛
  • 1篇李珂
  • 1篇郑小明
  • 1篇陈波

传媒

  • 2篇四川省电子学...

年份

  • 2篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种单晶型100V LDMOS设计
本文设计了单晶型100V LDMOS，其具有导通屯阻低和耐压高的优点。文中利用RESURF技术和场板技术优化其关态特性和开态特性;在工艺设计中，采用与低压器件兼容的BCD工艺，完成了工艺参数的优化;最后设计器件的版图并进...
赵磊乔明蒋苓利向凡郑小明
关键词：导通电阻击穿电压
文献传递
单晶型700V高压LDMOS优化设计
本文对单晶型700V高压LDMOS进行了优化设计。通过分析影响击穿电压的各种因素，以BCD工艺为基础，借助二维数据模拟软件MEDICI对具有Double-REsURF和场板结构的LDMOS进行模拟优化设计，得到了击穿电压...
段双亮乔明蒋苓利赵磊陈波李珂王明石刘清涛
关键词：击穿电压场板结构优化设计
文献传递
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共1页<1>
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