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胡建

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 1篇带间跃迁
  • 1篇多量子阱
  • 1篇多量子阱结构
  • 1篇跃迁
  • 1篇量子级联
  • 1篇量子级联激光...
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇发光
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇INP基
  • 1篇MBE生长

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇李存才
  • 3篇胡建
  • 3篇郑燕兰
  • 3篇林春
  • 3篇李爱珍
  • 1篇李耀耀
  • 1篇魏林
  • 1篇朱诚
  • 1篇张永刚
  • 1篇杨全魁
  • 1篇徐刚毅
  • 1篇李华

传媒

  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第五届全国分...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2000
  • 1篇1999
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
优质AlGaAsSb材料的MBE生长与特性
郑燕兰李爱珍林春杨全魁李存才胡建
关键词：MBE生长
带内跃迁和带间跃迁中红外半导体光源研究
本文报导了我们在波长覆盖4.8-10微米基於带内子带跃迁的InP基量子级联激光器和2.0-2.1微米GaSb基带间跃迁GaSb基多量子阱激光器的研究结果.文中对国际上中红外半导体光源进展进行了简单评述.
李爱珍李存才胡建徐刚毅张永刚林春郑燕兰李华李耀耀魏林朱诚
关键词：分子束外延量子级联激光器量子阱激光器
文献传递
AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱被引量：2
2000年
用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料，研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中InGaAsSb的阱宽，AlGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分，多量子阱中的阱数等，来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度。
郑燕兰李爱珍林春李存才胡建
关键词：激光器光致发光谱
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