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石晓峰

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：华南理工大学电子与信息学院更多>>
发文基金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇电阻
  • 2篇扩散电阻
  • 1篇电路模型
  • 1篇镇流电阻
  • 1篇耦合技术
  • 1篇静电放电
  • 1篇静电释放
  • 1篇仿真
  • 1篇仿真工具
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇CMOS工艺
  • 1篇ESD保护
  • 1篇MOS器件
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应器件
  • 1篇N

机构

  • 4篇华南理工大学
  • 1篇信息产业部电...
  • 1篇电子元器件可...

作者

  • 4篇石晓峰
  • 3篇李斌
  • 2篇罗宏伟
  • 1篇姚若河
  • 1篇尹雪梅

传媒

  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
半导体器件的中子辐射效应研究
中子辐射在器件制作工艺和抗辐射研究中占有重要的地位。本文介绍了半导体器件的中子辐射效应,包括位移效应和电离效应,分析了国内外半导体器件中子辐射的研究状况,对国内中子辐射的研究进展提出了期望。
石晓峰尹雪梅李斌姚若河
关键词：半导体器件
文献传递
CMOS工艺ESD保护电路模型的研究
至今，ESD（Electrostatic Discharge）保护电路的设计还是停留在事后评价和改进设计的阶段，设计周期长，效果差，费用高。开发合适的ESD仿真工具可以减少得到满足一定抗静电能力的器件或电路的设计周期。G...
石晓峰
关键词：扩散电阻仿真工具电路模型镇流电阻
文献传递
ESD应力下n阱扩散电阻的潜在损伤被引量：1
2009年
电阻在静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)保护电路中,起隔离和分压的作用。利用传输线脉冲(Transmission Line Pulsing,TLP)测试系统,在宽度为100ns的脉冲作用下,研究了n阱扩散电阻在ESD应力下的工作特性。结果表明,n阱扩散电阻在发生初次瞬态击穿(瞬态击穿电压79.0V,瞬态击穿电流1.97A)后,由于阳极n+-n结构被破坏,内部结构已经出现潜在损伤,不再具备隔离和分压的作用。
石晓峰罗宏伟李斌
关键词：静电放电
ESD应力下多指条MOS器件的栅过耦合效应及对策
ESD保护电路中经常使用栅耦合技术来解决多指条MOS器件ESD应力下非均匀导通的问题,但耦合到栅端的电压有时会过高,出现栅过耦合效应,这降低了器件的抗ESD能力。在栅端加钳位元件的方法可以有效避免栅过耦合效应,另外,采用...
石晓峰罗宏伟李斌
关键词：场效应器件静电释放
文献传递
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