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  • 3篇抗辐照
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机构

  • 21篇中国电子科技...

作者

  • 21篇田海燕
  • 11篇封晴
  • 10篇王晓玲
  • 8篇周昕杰
  • 4篇于宗光
  • 4篇李博
  • 4篇王栋
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  • 3篇肖培磊
  • 3篇郭晓宇
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  • 3篇张艳飞
  • 3篇赵力
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  • 1篇周晓彬
  • 1篇曹靓
  • 1篇胡永强
  • 1篇陈嘉鹏

传媒

  • 4篇电子与封装
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 7篇2011
  • 2篇2010
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
0.18 μm SOI工艺抗辐照触发器性能研究被引量:1
2014年
随着集成电路制造工艺尺寸不断减小、集成度不断提高,集成电路在太空环境应用中更容易受到单粒子辐照效应的影响,可靠性问题越发严重。特别是对高频数字电路而言,单粒子翻转效应(SEU)及单粒子瞬态扰动(SET)会导致数据软错误。虽然以往的大尺寸SOI工艺,具有很好的抗单粒子性能,但仍需要对深亚微米SOI电路进行辐照效应研究。文中通过对4种触发器链进行抗辐照设计,用0.18μm SOI工艺进行了流片验证,并与体硅CMOS工艺对比分析。1.8V电源电压条件下的触发器翻转阈值可以达到41.7MeV·cm2/mg,抗辐射性能比0.18μm体硅CMOS工艺提升了约200%。
周昕杰于宗光田海燕陈嘉鹏
关键词:辐照效应触发器
抗辐照EEPROM存储阵列隔离结构
本实用新型公布了一种抗辐照EEPROM存储单元阵列隔离结构,包括制作在半导体衬底上的EEPROM存储单元,所述EEPROM存储单元呈阵列排列,EEPROM存储单元之间通过场氧相隔离,在所述场氧下面增加场注,使得存储阵列中...
田海燕封晴王晓玲张艳飞李博
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适用于FPGA电路的非对称结构配置SRAM
本实用新型涉及一种适用于FPGA电路的非对称结构配置SRAM,该非对称结构SRAM由六个晶体管组成,分别为M1、M2、M3、M4、M5、M6:M1、M2为两个存取晶体管;M3和M5、M4和M6构成两个CMOS反相器;两个...
胡凯封晴周慧张艳飞田海燕
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抗辐照EEPROM存储阵列隔离结构
本发明公布了一种抗辐照EEPROM存储单元阵列隔离结构,包括制作在半导体衬底上的EEPROM存储单元,所述EEPROM存储单元呈阵列排列,EEPROM存储单元之间通过场氧相隔离,在所述场氧下面增加场注,使得存储阵列中的每...
田海燕封晴王晓玲张艳飞李博
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多源输入真随机数发生器电路架构
本发明公开了一种多源输入真随机数发生器电路架构。利用多个、不同类型噪声产生电路作为噪声源,经过选择开关的输入选择,将噪声输入进采样校正电路,输出的结果一方面进入输出处理模块,另一方面进入随机数计数器,通过对产生随机数的计...
周昕杰于宗光罗静王栋田海燕
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抗辐射EEPROM存储阵列结构
本发明公布了一种抗辐射EEPROM存储单元阵列结构。该设计解决了由辐射所产生的总剂量效应(TID)对EEPROM存储阵列中相邻存储单元之间场区漏电的影响。本发明由以下部分组成:1)利用HVNMOS技术,对相邻的EEPRO...
王晓玲封晴田海燕赵桂林李珂肖培磊
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一种适用于高速存储器电路的ESD静电保护结构
本发明公开一种适用于高速存储器电路的ESD静电保护结构,属于集成电路领域。所述ESD静电保护结构整体位于独立的深N阱中,且与P型衬底无直接接触;所述深N阱将ESD器件与所述P型衬底隔离开,使每个ESD静电保护结构相互独立...
田海燕许海龙张海波
体硅集成电路版图抗辐射加固设计技术研究被引量:2
2013年
辐射效应是电路在太空等领域应用时遇到的首要问题,常常会引起电路出错或失效。为了满足抗辐射电路设计的需求,必须提高电路抗辐射效应的能力。文章分析了辐射效应对器件产生的影响。针对电路在辐射环境中应用时存在的问题,文章从版图抗辐射设计加固的角度出发,介绍了抗总剂量的环形栅、倒比例器件,以及抗单粒子昆倾效应抗辐射版图的设计方法。在电路设计时,通过上述几种版图设计方法的应用,可以提高电路的抗辐射性能,进而提高电路的可靠性。
田海燕胡永强
关键词:版图设计可靠性
一种抗单粒子瞬态辐射效应的自刷新三模冗余触发器被引量:4
2018年
数字集成电路在宇宙空间中会受到单粒子效应的影响,随着半导体工艺的进步,器件尺寸不断缩小,单粒子效应也越发显著。单粒子瞬态脉冲对电路的影响随着电路工作主频越来越高也变得越发严重,甚至可能使电路功能完全失效。在自刷新三模冗余触发器设计的基础上,进行了抗单粒子瞬态辐射效应加固设计,增强了原设计的自刷新三模冗余触发器的抗单粒子瞬态脉冲的能力,为以后研制抗辐射数字电路奠定了基础,提供了良好的借鉴。
曹靓田海燕王栋
关键词:单粒子瞬态脉冲抗辐射加固触发器三模冗余
抗辐射EEPROM存储阵列结构
本实用新型公布了一种抗辐射EEPROM存储单元阵列结构。特征是:其利用多晶硅将EEPROM存储单元包围在中间,所述多晶硅与相邻各个存储单元的有源区形成HVNMOS管的隔离结构,使存储阵列中的每个存储单元与其上下左右四个存...
王晓玲封晴田海燕赵桂林李珂肖培磊
文献传递
共3页<123>
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