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栗军帅
作品数:
17
被引量:8
H指数:2
供职机构:
兰州大学
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李亚丽
兰州大学
郭鑫
兰州大学
陈强
兰州大学物理系
贺德衍
兰州大学物理系
王晓强
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兰州大学
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栗军帅
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1篇
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1篇
2004
共
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电感耦合等离子体CVD室温制备的硅薄膜的结构研究
被引量:4
2004年
用内置式单圈电感耦合等离子体化学气相沉积 (ICP CVD)方法在室温下制备Si薄膜。用傅里叶红外吸收光谱、喇曼光谱、原子力显微镜和分光椭圆偏振谱等测量分析表明 ,即使在室温下用ICP CVD也获得了有纳米结晶相的Si薄膜 ,样品结构与源气体SiH4浓度密切相关。实验结果预示着在高电子密度的ICP CVD过程中 ,活性原子集团的形成以及薄膜的生长机理与传统的等离子体CVD过程不同。
王晓强
陈强
栗军帅
杨定宇
贺德衍
关键词:
电感耦合等离子体
硅薄膜
喇曼光谱
ICP
基于SPI总线的数据通信方法及系统
本申请公开了基于SPI总线的数据通信方法及系统,包括:获取SPI总线的主机的信号,差分信号将主机的第一周期数据信号和第一周期时钟信号分开,先行传输第一周期时钟信号;匹配与主机对应模式的从机,从机对接收到信号解码,得到第一...
栗军帅
曹得慧
硅纳米线阵列的制备方法
本发明公开了一种硅纳米线阵列的制备方法,包括以下步骤:⑴、在玻璃衬底上用T‑CVD法沉积硅薄膜;⑵、用金属辅助化学刻蚀法在硅薄膜上制出纳米线阵列。本发明通过在比硅片廉价许多的玻璃衬底上沉积硅薄膜,再进行硅纳米线的制备;极...
李亚丽
王艳周
栗军帅
文献传递
一种监测I2C总线通信异常的方法及系统
本申请公开了一种监测I2C总线通信异常的方法及系统,涉及通信检测的领域,尤其是涉及一种监测I2C总线通信异常的方法及系统,其包括在I2C总线上建立异常监测装置,并在每个设备与I2C总线连接处设置广播信号收发装置;主设备向...
栗军帅
钟天祺
一种简易制备直立石墨烯纳米片阵列的方法
一种简易制备直立石墨烯纳米片阵列的方法,包括以下步骤,步骤一:将合适的含碳固相前驱物的溶液、粉体、胶状物等涂覆于具有催化作用的衬底上并干燥;步骤二:将含碳前驱物置于管式炉中,在惰性气体的保护下,升高炉内温度,实现直立石墨...
栗军帅
郭鑫
李亚丽
文献传递
一种微纳金刚石薄膜的制备方法
一种微纳金刚石薄膜的制备方法,包括以下步骤,步骤一:将合适的含碳固相前驱物的溶液、粉体、胶状物等涂覆于具有催化作用的衬底上并干燥;步骤二:将含碳前驱物置于管式炉中,在惰性气体的保护下,升高炉内温度,使炉内温度达到生长温度...
栗军帅
郭鑫
李亚丽
电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化
被引量:5
2005年
利用电感耦合等离子体CVD方法在 35 0℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜 .利用x射线衍射、紫外 可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等 .结果表明 ,用这种方法制备的Si薄膜不但晶化程度高 ,而且具有良好的 ( 111)结晶取向性 ,晶粒尺寸大于30 0nm ,样品中无Al的残留 .结合电感耦合等离子体的高电子密度特征讨论了低温生长过程中Al诱导Si薄膜晶化的机理 .
王晓强
栗军帅
陈强
祁菁
尹旻
贺德衍
关键词:
电感耦合等离子体
X射线光电子谱
硅薄膜
电子密度
廉价衬底上晶化硅薄膜的低温制备及其生长机制研究
低温晶化硅薄膜由于兼具单晶硅材料载流子迁移率高、结构稳定和非晶硅薄膜制备成本低、原材料丰富以及易于大面积制备等优点受到人们的广泛关注。特别是近年来,随着人们对笔记本电脑、移动电话等电子信息产品高性价比、便携性和低功耗的要...
栗军帅
关键词:
硅薄膜
文献传递
一种基于UVM的通用验证平台架构自动生成方法
本发明公开了一种基于UVM的通用验证平台架构自动生成方法,包括以下步骤:S1:构建UVM通用验证平台组件mako模板库;S2:运行python脚本,输入相应的配置信息;S3:基于输入的配置信息,通过脚本从模板库中抓取相应...
栗军帅
罗宜浅
一种串行通信总线数据校验方法和系统
本申请提供了一种串行通信总线数据校验方法和系统,该串行通信总线数据校验方法通过发送端按照预设的时间间隔以数据块为单位发送数据,且每次发送数据块的四个子数据块的内容,并持续至所有待发送数据对应的数据块均发送完毕,通过串行通...
栗军帅
钟天祺
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