杨同青
- 作品数：57 被引量：77H指数：5
- 供职机构：同济大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程电子电信更多>>
- 电场诱导PLZST陶瓷反铁电-铁电相变的原位X射线衍射研究被引量：4
- 1998年
- 用原位X射线衍射、电滞回线、纵向应变等手段研究了组分分别为(Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr_(0.75)Ti_(0.09)Sn_(0.16))O_3和(Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr_(0.65)Ti_(0.01)Sn_(0.25))O_32个样品的电场诱导反铁电-铁电相变现象.结果表明,当外加电场高于相变临界场后,四方反铁电相转变为三方铁电相,四方相轴比a/c越大,相变引起的纵向应变量越大;另外,经外场极化处理的反铁电畴会有取向性.此外还讨论了晶格结构的变化对宏观纵向应变的影响.
- 刘鹏杨同青徐卓翟继卫张良莹姚熹
- 关键词：相变电场诱导
- Bi基微波介质材料研究进展被引量：13
- 2006年
- 低温烧结微波介质陶瓷是近年来电介质材料方面的一个重要研究方向,也是发展片式多层微波器件的基础材料。Bi基材料具有较低的烧结温度和优良的介电性能,因而受到了广泛的关注。据此,对不同介电常数Bi基微波介质材料体系的研究进展及应用作了综合介绍,并分析了低熔点氧化物掺杂、离子取代对不同体系微波介质材料结构、介电性能的影响。
- 陈凯沈波姚熹杨同青
- 关键词：低温共烧陶瓷介电性能
- 低相变场细电滞回线(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电陶瓷的研究被引量：3
- 2010年
- 对远离反铁电-铁电准同型相界的(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3反铁电组分进行Ba2+掺杂,制备出了细电滞回线、低相变电场的反铁电陶瓷,反铁电-铁电相变电场仅为1.5kV/mm,电场回滞减小到0.2kV/mm,并且极化强度和应变量随电场增大几乎呈线性变化,可通过调节电场大小得到不同的应变量,有利于开辟这类材料新的应用领域。
- 郑琼娜杨同青魏坤姚熹
- PZST反铁电陶瓷的介电性能
- 2000年
- PZST反铁电陶瓷的介电常数在居里温度以上服从居里 -外斯定律 ,居里常量为 10 5 K以上。随着 Ti含量的增加 ,峰值介电常数增大。随着偏置电场的增加 ,峰值介电常数增大 ,居里温度降低。
- 杨同青刘鹏张良莹姚熹
- 关键词：介电常数居里温度钛反铁电陶瓷
- A位La和Dy替代Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5陶瓷结构及介电性能的研究被引量：9
- 2006年
- 研究了A位La,Dy替代对BZN基陶瓷结构和介电性能的影响.在替代量x≤0.2的范围内,La替代样品均保持单一的立方焦绿石结构;在x<0.15的范围内,Dy替代样品为单一的立方焦绿石相;当x=0.2时,结构中出现杂相.随着La、Dy替代量的增加,陶瓷样品的晶粒尺寸、密度和介电性能发生有规律的变化;低温介电弛豫峰的峰形逐渐宽化;La替代样品的峰值温度向低温方向移动,Dy替代样品的峰值温度向低温方向移动.与x为0.1、0.15和0.2相对应的La替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-95℃,-99℃,-104℃,Dy替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-96℃,-89℃,-85℃.
- 刘璞凌丁士华杨同青沈波姚熹
- 关键词：介电弛豫
- 低居里点的高介电电场双向可调的PZT基反铁电陶瓷材料及其制备
- 本发明涉及一种低居里点T<Sub>C</Sub>的高介电电场双向可调PZT基反铁电陶瓷材料及其制备，属于电子材料与器件技术领域。本发明的具有介电电场双向可调性的PZT基反铁电陶瓷材料的化学通式为(Pb<Sub>0.99-...
- 杨同青王瑾菲郑琼娜姚熹
- 文献传递
- La替代对Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5陶瓷介电性能的影响被引量：3
- 2007年
- 研究了A位La3+替代对Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)陶瓷结构和介电性能的影响。当La替代量x<0.5时,陶瓷相结构为单一的立方焦绿石相。随着La替代量的增加,陶瓷样品的晶粒尺寸和密度逐渐减小。低温下的介电弛豫现象随着La替代量的增加也发生有规律的变化,介电常数逐渐减小,弛豫峰峰形逐渐宽化,峰值温度向低温方向移动。与La替代量为0.1、0.15、0.3和0.5相对应的弛豫峰的峰值温度分别为-95℃、-99℃、-109℃和-112℃。
- 刘璞凌丁士华杨同青沈波姚熹
- 关键词：介电弛豫
- PZST陶瓷铁电-反铁电相变温度随偏置电场的大幅度移动
- 2000年
- 在ＰＺＳＴ反铁电陶瓷电场诱导的亚稳铁电态中，观察到铁电－反铁电相变温度随偏置电场的增大向高温方向移动，平均移动幅度为 ３９℃／ｋＶ· ｍｍ^（－１）左右，移动范围可从室温到 ９０℃附近，远大于偏置电场对其他相变温度的影响．伴随着铁电－反铁电相变，热释电电流出现峰值，峰宽可达几十度，热释电系数可达 １０^（－６） Ｃ／ｃｍ~２· Ｋ数量级，介电常数呈阶梯式变化．
- 杨同青刘鹏姚熹张良莹
- Pb(Zr,Sn,Ti)O<,3>反铁电陶瓷的场诱相变性能研究
- 以la掺杂Pb(Zr,Sn,Ti)O<,3>反铁电相变陶瓷为研究对象,从结构、性能与应用的角度出发,深入系统地研究了铁电-相界附近,组份、温度、电场、压力变化对相结构和相变 性能的影响,揭示了场诱相变临界参数变化规律及相...
- 杨同青
- 关键词：相界极化强度回滞
- 一种基于轧膜工艺的PZT基反铁电材料及其制备方法
- 本发明涉及一种基于轧膜工艺的PZT基反铁电材料及其制备方法，所述的材料是以钙钛矿结构PZT体系为基体，将La和Sn分别部分代替Pb和Zr进入基体，化学成分符合化学通式(Pb<Sub>1‑</Sub><Sub>a</Sub...
- 杨同青王修才沈杰
- 文献传递
