杨光义
- 作品数：13 被引量：40H指数：5
- 供职机构：浙江大学材料与化学工程学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程电子电信理学更多>>
- 碳化硅与LAS(Li_2O-Al_2O_3-SiO_2)界面化学稳定性研究被引量：1
- 2004年
- 借助最新最权威基本的热力学数据 ,按化学平衡理论 ,分析SiC和LAS(Li2 O Al2 O3 SiO2 )之间可能发生的化学反应 ,定量计算在SiC中不同C活度 ,不同温度下SiC和LAS间诸反应各气相产物的分压和分压总和 ,精确分析SiC和LAS界面的热力学稳定性 ,提供在一个大气压惰性气体环境下 ,SiC和LAS界面的热力学失稳判据 ,为SiC材料研究者提供可靠的参考资料。
- 曹涯路王利杨光义潘颐
- 关键词：LI2O-AL2O3-SIO2LAS碳化硅界面化学化学平衡理论热力学稳定性
- 金属硅化物熔体中不同形貌碳化硅晶体的生长研究
- 碳化硅(SiC)半导体材料是继第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代宽带隙半导体材料之一.由于SiC材料有着优异的物理化学性能,SiC体单晶和SiC一维纳米...
- 杨光义
- 关键词：金属硅化物半导体材料
- 一种合成碳化硅纳米棒的方法
- 本发明公开了一种合成碳化硅纳米棒的方法。碎硅片置于石墨坩埚里，将盛有碳纳米管的多孔氧化铝基片放置于坩埚上，随后倒置另一石墨坩埚于基片上；将坩埚放置真空高温烧结炉里，以10～30℃/min的升温速率一直升温到1400℃～1...
- 潘颐吴仁兵陈建军杨光义
- 文献传递
- PEO-LiClO_4-Li_(1.3)Al_(0.3)Ti_(1.7)(PO_4)_3复合聚合物电解质电导率被引量：10
- 2005年
- 将实验室烧制的无机快离子导体盐Li1 3Al0 3Ti1 7(PO4)3、PEO与LiClO4按照EO/Li=8,两种锂盐含量为变量进行复合,通过溶液浇注法制备得到PEO LiClO4 Li1 3Al0 3Ti1 7(PO4)3复合聚合物电解质膜,以示差扫描热分析法(DSC)与电化学阻抗(EIS)测试其性能。DSC测试结果表明:按照EO/Li=8将Li1 3Al0 3Ti1 7(PO4)3、LiClO4与PEO复合的聚合物电解质中PEO的结晶度由50 34%下降到4 36%～28 53%。室温下该聚合物电解质所有试样的阻抗谱图在高频区呈现为压缩的半圆,在低频区为一条倾斜的直线,而在较高温度时,阻抗谱图主要为一条倾斜的直线。复合聚合物电解质PEO LiClO4 Li1 3Al0 3Ti1 7(PO4)3的离子电导率遵从Arrhe nius关系,在Li1 3Al0 3Ti1 7(PO4)3质量分数达到15%时,活化能最低,即4 494425eV,此时电导率值最佳,373K时为1 161×10-3S/cm和298K时为7 985×10-6S/cm。
- 王严杰庞明杰杨光义潘颐
- 关键词：PEO复合聚合物电解质电导率
- 一种适合SiC晶须生长的方法
- 本发明公开了一种适合SiC晶须生长的方法。在石墨坩埚中，使铁族或镧系元素－硅化物合金化的硅化物熔化为熔体，生长设备为高温真空气氛烧结炉生成SiC晶须，石墨坩埚是作为－Si合金融化的容器又作为实验中的碳源，流动氩气作保护气...
- 潘颐杨光义陈建军吴仁兵
- 文献传递
- 一种合成碳化硅纳米棒的方法
- 本发明公开了一种合成碳化硅纳米棒的方法。碎硅片置于石墨坩锅里，将盛有碳纳米管的多孔氧化铝基片放置于坩锅上，随后倒置另一石墨坩锅于基片上；将坩锅放置真空高温烧结炉里，以10～30℃/min的升温速率一直升温到1400℃～1...
- 潘颐吴仁兵陈建军杨光义
- 文献传递
- 一种适合SiC晶须生长的方法
- 本发明公开了一种适合SiC晶须生长的方法。在石墨坩埚中，铁族或镧系元素与硅的合金熔化为熔体，生长设备为高温真空气氛烧结炉生成SiC晶须，石墨坩埚是作为铁族或镧系元素与Si的合金融化的容器又作为实验中的碳源，流动氩气作保护...
- 潘颐杨光义陈建军吴仁兵
- 文献传递
- 金属硅化物熔体中不同形貌SiC晶体的生长
- 2007年
- 以过渡族金属硅化物为溶剂,采用自发熔渗法和溶液法来研究不同形貌SiC晶体在金属硅化物熔体中的生长情况.利用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、体视显微镜等对熔渗试样和采用溶液法生长的单晶和晶须的形貌结构进行了观察和表征,利用X射线衍射仪(XRD)对采用溶液法生长的晶体和晶须进行了相组成和晶型的表征,并讨论了SiC晶须和SiC单晶的生长机理.结果表明,Fe5Si3、CoSi、Co4.5CrSi4.5、Ti2.3Si7.7等熔体适合生长SiC单晶,FeSi、FeSi2等熔体适合生长SiC晶须,而当Fe3Si熔体渗入SiC预制件后,仅有石墨相析出.
- 杨光义吴仁兵陈建军高明霞翟蕊吴玲玲林晶潘颐
- 关键词：碳化硅单晶液相法碳化硅晶须
- 硅热蒸发法制备SiC纳米线及其结构表征被引量：8
- 2008年
- 采用简单热蒸发法使硅蒸气和碳纳米管反应生成了碳化硅纳米线.反应产物首先经X射线衍射(XRD)确定为3C-SiC.再用场发射扫描电镜(FESEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等进行形貌和结构研究,发现3C-SiC纳米线部分呈直线六棱柱形状,大多为3C-SiC单晶,其[111]方向与纳米线长度方向一致,间或有折线,弯曲和螺旋形.在这些结果的基础上,提出3C-SiC纳米线形核生长的气液固(VLS)机制:硅蒸气(V)溶于碳纳米管端部残留金属催化剂液滴(L),与碳纳米管反应(S),生成3C-SiC晶核并沿碳纳米管长度方向生长.
- 吴玲玲吴仁兵杨光义陈建军翟蕊林晶潘颐
- 关键词：SIC纳米线
- Yb_2O_3掺杂氮化硅复合材料的高温动态疲劳行为被引量：1
- 2006年
- 研究了N2气氛加压烧结制备的6 wt%Yb2O3和2 wt%Al2O3掺杂氮化硅复合材料在高温下的动态疲劳行为。用维氏压痕法在试样上获得规范的预制裂纹。分别在1000℃、1200℃、1300℃、1400℃下,以1、0.5、0.1、0.01 mm/min的不同压头速率对试样进行四点弯曲试验。不同温度下疲劳应力-加载速率函数曲线的对比表明,这种材料在1200℃时,对亚临界裂纹生长具有最高的抵抗力(即具有最大的亚临界裂纹生长指数N)。XRD、TEM分析表面晶界相的晶化、裂纹愈合可以提高亚临界裂纹生长指数。EDS分析表明,1200℃下氮化硅陶瓷断裂面的氧化有助于晶界相的晶化,但是在更高的温度下,则会产生不利影响。
- 吴仁兵陈建军杨光义潘颐李俊德黄肇端
- 关键词：氮化硅
