您的位置: 专家智库 > >

李竞春

作品数:69 被引量:73H指数:5
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家重点实验室开放基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 35篇期刊文章
  • 25篇专利
  • 8篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 47篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 15篇半导体
  • 15篇SIGE
  • 8篇氧化物半导体
  • 8篇金属氧化物半...
  • 7篇电路
  • 7篇晶体管
  • 7篇沟道
  • 7篇MOS器件
  • 6篇应力
  • 6篇锗硅
  • 6篇集成电路
  • 6篇CMOS
  • 5篇栅氧化
  • 5篇退火
  • 5篇热退火
  • 5篇芯片
  • 5篇互补金属氧化...
  • 5篇放大器
  • 5篇半导体集成
  • 5篇半导体集成电...

机构

  • 69篇电子科技大学
  • 6篇中国电子科技...
  • 5篇中国电子科技...
  • 1篇西南电子设备...
  • 1篇中电集团
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中华人民共和...
  • 1篇微电子有限公...

作者

  • 69篇李竞春
  • 31篇于奇
  • 29篇王向展
  • 29篇杨谟华
  • 14篇杨洪东
  • 10篇张静
  • 9篇罗谦
  • 9篇宁宁
  • 6篇谭开洲
  • 6篇周谦
  • 5篇戴广豪
  • 5篇吴霜毅
  • 5篇全冯溪
  • 5篇刘洋
  • 5篇徐婉静
  • 5篇胡绍刚
  • 5篇董华
  • 5篇李文杰
  • 5篇王生荣
  • 4篇秦桂霞

传媒

  • 17篇微电子学
  • 3篇Journa...
  • 2篇电子科技大学...
  • 2篇材料导报
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇2009四川...
  • 2篇四川省电子学...
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇电子与封装
  • 1篇教育教学论坛
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2016
  • 1篇2014
  • 7篇2013
  • 1篇2012
  • 9篇2011
  • 5篇2010
  • 4篇2009
  • 4篇2008
  • 4篇2007
  • 8篇2006
  • 5篇2005
  • 2篇2004
  • 3篇2003
  • 3篇2002
  • 3篇2001
  • 2篇1999
69 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
非故意掺杂GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触研究被引量:1
2004年
基于圆形传输线模型,研究了背景载流子浓度为71016cm3的非故意掺杂GaN与Ti/Al/Ni/Au多层金属之间欧姆接触的形成。样品在N2气氛中,分别经过温度450,550,700,800,900℃的1 min快速热退火处理后发现,当退火温度高于700℃欧姆接触开始形成,随着温度升高欧姆接触电阻持续下降,在900℃时获得了最低比接触电阻6.6106O·cm2。研究表明,要获得低的欧姆接触电阻,需要Al与Ti发生充分固相反应,并穿透Ti层到达GaN表面;同时,GaN中N外扩散到金属中,在GaN表面产生N空位起施主作用,可提高界面掺杂浓度,从而有助于电子隧穿界面而形成良好欧姆接触。
杜江锋赵波罗谦于奇靳翀李竞春
关键词:传输线模型快速热退火载流子浓度电子隧穿施主
一种基于准分子激光退火的GeSn合金生长新技术
2013年
针对源漏诱生应变Ge沟道MOSFET的应用前景,开发了一种基于离子注入与准分子激光退火的GeSn合金生长技术。X射线衍射与透射电镜测试结果表明,采用该技术可得到质量优良的GeSn单晶。材料表面平整,无位错缺陷产生,与快速热退火方式相比,晶体质量有明显提高。Sn注入剂量为8×1015cm-2的样品经退火后,其替位式Sn原子含量为1.7%,可满足应变Ge沟道MOSFET的设计要求。该技术附加工艺少,效率高,在实际生产中具有较大的参考价值。
周谦杨谟华王向展李竞春罗谦
关键词:MOSFET准分子激光离子注入
一种基于忆阻器件的模数转换电路
本发明涉及半导体集成电路领域,其公开了一种新型的高精度、低功耗、占用芯片面积小的基于忆阻器件的模数转换电路。该模数转换电路包括压控振荡器、状态控制电路、频率比较电路和输出电路;压控振荡器用于将输入模拟电压量的大小转换为由...
刘洋董华吴霜毅胡绍刚李竞春于奇
SiGe MOS器件SiO2栅介质低温制备技术研究
为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜,本文采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300℃下制备技术进行了研究.实验表明采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火,有助于降低薄膜中正电...
李竞春杨沛峰杨谟华何林谭开州郑娥
关键词:SIGE化学汽相淀积
用于制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法
本发明制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法是涉及集成电路的制作,特别是通过等效应变记忆方法引入的应变技术,分别为互补金属氧化物半导体场效应晶体管CMOS中的NFET与PFET器件提供张应变与压应变。该发明提供的记忆方法...
于奇宁宁王向展杜江峰杨洪东李竞春
一种记忆浅槽隔离局部应力的MOS器件栅的形成方法
一种记忆浅槽隔离局部应力的MOS器件栅的形成方法,属于半导体器件领域,尤其涉及关于栅的形成方法来记忆浅槽隔离区(STI)引入到金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)沟道区的应力。它的特征是先在MOSFET的栅电极区淀积...
王向展秦桂霞宁宁李竞春
MOSFET衬底电流模型及参数提取
1999年
在短沟道MOSFET器件物理的基础上,导出了其衬底电流解析模型,并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟MOSFET实测结果比较接近,可应用于VLSI/ULSI可靠性模拟与监测研究和亚微米CMOS电路设计。
刘永强于奇刘玉奎李竞春陈勇
关键词:MOSFET半导体器件
一种宽电压输入范围降压稳压电路的设计被引量:9
2011年
为了解决高压恒流源芯片内部低压模块供电问题,通过集成降压预调整电路、前置基准源和线性稳压器3个模块,设计了一种宽电压输入范围的降压稳压电路。采用0.6μm BCD工艺模型进行仿真验证。结果显示,降压预调整电路低压跟随时压差在50 mV内。输入在6~40 V范围内变化时,偏置和基准的变化分别为1.13 mV和0.3 mV幅度。线性稳压器直流下PSRR可达-85 dB,在1 MHz工作频率下,输入电压为6 V和40 V时,模拟电源变化幅度分别不超过24 mV和46 mV,数字电源变化幅度分别不超过0.3 V和0.8 V。该降压稳压电路已成功应用于高压LED恒流源中。
刘浩陈志葛佳乐于奇宁宁王向展邓春健李竞春
关键词:线性稳压器BCD工艺
Strained Si Channel Heterojunction pMOSFET Using 400℃ LT-Si Technology
2004年
A novel MBE-grown method using low-temperature (L T) Si technology is introduced into the fabrication of strained Si channel heter ojunction pMOSFETs.By sandwiching a low-temperature Si layer between Si buffer and SiGe layer,the strain relaxation degree of the SiGe layer is increased.At th e same time,the threading dislocations (TDs) are hold back from propagating to t he surface.As a result,the thickness of relaxed Si 1-xGe x epitax y layer on bulk silicon is reduced from several micrometers using UHVCVD to less than 400nm(x=0.2),which will improve the heat dissipation of devices.AFM t ests of strained Si surface show RMS is less than 1.02nm.The DC characters meas ured by HP 4155B indicate that hole mobility μ p has 25% of maximum enhanc ement compared to that of bulk Si pMOSFET processed similarly.
梅丁蕾杨谟华李竞春于奇张静徐婉静谭开洲
关键词:SIGE
低噪声CMOS电荷敏放大器设计与研制(英文)被引量:3
2003年
提出了一种新的低噪声低功耗电荷敏感放大器设计方案。用EDA软件Cadence进行模拟,得到了满意的仿真结果:直流开环增益为82.9 dB,f-3dB为28 kHz,相位裕度为46.9 ,低频下输出噪声频谱密度为1.5 mV/Hz2。采用标准的3 mm P阱CMOS工艺进行了流片,测试结果与模拟情况相近。
于奇杨谟华李竞春王向展肖海燕
关键词:低噪声电荷放大器低功耗设计低电压CMOS
共7页<1234567>
聚类工具0