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李淑红
作品数:
17
被引量:12
H指数:1
供职机构:
中国科学院光电技术研究所
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相关领域:
理学
机械工程
电子电信
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合作作者
杜春雷
中国科学院光电技术研究所
董小春
中国科学院光电技术研究所
罗先刚
中国科学院光电技术研究所
史立芳
中国科学院光电技术研究所
邓启凌
中国科学院光电技术研究所
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2008
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2007
2篇
2006
3篇
2005
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17
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半色调掩模光刻热熔成形微透镜阵列方法
本发明提供了一种利用半色调掩模结合热熔技术成形微透镜阵列的新方法。与现有的方法相比,该方法不仅可大大降低微结构成形对掩模加工精度的要求,简化工艺过程;而且采用该方法可大大的拓展传统半色调掩模法的加工范围。可制作矢高几百纳...
董小春
杜春雷
邱传凯
李淑红
赵泽宇
文献传递
基于自组装PS球阵列的超衍射光刻
纳米科学是在纳米尺度上研究物质的产生、特性、相互作用规律及应用技术的科学。当宏观物体减小到纳米尺度时,由于出现明显的表面效应、尺寸效应和量子效应等,将显示出在光学、热学、电学、磁学、力学以及化学等方面与大面积物体明显不同...
李淑红
关键词:
微细加工
自组装
倏逝波
实现表面等离子体结构成形的方法
本发明公开了一种实现表面等离子体结构成形的方法。步骤为:首先利用湿法腐蚀各向同性和侧向钻蚀的特点,减小掩蔽层下方微米级结构的特征线宽,同时形成一定的阴影区;然后在湿法腐蚀后的结构表面热蒸镀金属膜层,并去除掩蔽层得到线宽和...
董小春
杜春雷
罗先刚
李淑红
文献传递
采用聚焦光刻成形亚波长微纳结构的制作方法
本发明提供一种采用聚焦光刻成形亚波长微纳结构的制作方法,其特征在于:首先选择合适的基底材料;在基底表面旋涂一层抗蚀剂;在抗蚀剂表面再蒸镀一层金属;然后运用微透镜列阵结构对该结构进行聚焦曝光;移走微透镜列阵结构,去掉金属层...
杜春雷
李淑红
董小春
史立芳
文献传递
应用聚苯乙烯球进行聚焦光刻成形亚波长微纳结构
一种应用聚苯乙烯球进行聚焦光刻成形亚波长微纳结构的制作方法,其特征在于:首先选择基底材料;在其表面依次旋涂一层抗蚀剂,蒸镀一层金属结构,再旋涂一层间隙层,最后自组装一层聚苯乙烯球;将上述结构在曝光系统中进行曝光;然后去除...
杜春雷
李淑红
董小春
史立芳
文献传递
制作表面等离子体微纳结构的方法
本发明提供了一种利用湿法腐蚀工艺制作表面等离子体微纳结构的方法。选择腐蚀材料作为基底;在基底表面镀掩蔽膜层;在掩蔽膜层材料表面涂上光刻胶,采用光刻工艺使光刻胶和掩蔽膜层图形化;将带有图形化掩蔽膜层和光刻胶层的基底放在腐蚀...
董小春
杜春雷
罗先刚
李淑红
文献传递
一种高精度灰度掩模制作方法
一种高精度灰度掩模制作方法,首先选择掩模基底材料,并在掩模基底材料表面涂敷衰减光材料,再将掩模基底表面的衰减光材料加工成所要求的浮雕结构,然后在衰减光浮雕结构表面涂敷一定的保护层,利用不同区域衰减光材料对光的衰减能力不同...
董小春
杜春雷
李淑红
文献传递
一种高精度灰度掩模制作方法
一种高精度灰度掩模制作方法,首先选择掩模基底材料,并在掩模基底材料表面涂敷衰减光材料,再将掩模基底表面的衰减光材料加工成所要求的浮雕结构,然后在衰减光浮雕结构表面涂敷一定的保护层,利用不同区域衰减光材料对光的衰减能力不同...
董小春
杜春雷
李淑红
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实现表面等离子体结构成形的方法
本发明公开了一种实现表面等离子体结构成形的方法。步骤为:首先利用湿法腐蚀各向同性和侧向钻蚀的特点,减小掩蔽层下方微米级结构的特征线宽,同时形成一定的阴影区;然后在湿法腐蚀后的结构表面热蒸镀金属膜层,并去除掩蔽层得到线宽和...
董小春
杜春雷
罗先刚
李淑红
文献传递
光刻胶烘培特性研究
被引量:12
2005年
通过研究光刻胶厚度与烘培过程中光敏混合物(PAC)浓度分布的关系,对光刻胶前烘模型进行了修正,得出了光刻胶内 PAC 相对浓度与光刻胶厚度、烘培温度和烘培时间之间的函数关系。设计了求解光刻胶激活能 E0和 Arrhenius 系数 Ar的实验方案,并以 AZ50XT 正型紫外光刻胶为例开展了实验研究。结果表明,对不同厚度的光刻胶,可以通过调整烘培温度或烘培时间达到所需要的 PAC 浓度。
李淑红
杜春雷
董小春
关键词:
微光学
光刻胶
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