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曾建明

作品数：4 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇铁电
  • 4篇铁电薄膜
  • 1篇底电极
  • 1篇织构
  • 1篇室温
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸钡
  • 1篇物理性质
  • 1篇离子注入
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇激光
  • 1篇SRBI
  • 1篇SRP
  • 1篇铂
  • 1篇MOCVD
  • 1篇常压
  • 1篇O

机构

  • 4篇中国科学院上...
  • 1篇山东大学

作者

  • 4篇林成鲁
  • 4篇曾建明
  • 2篇宋志棠
  • 2篇郑立荣
  • 1篇高剑侠
  • 1篇尚淑霞
  • 1篇王民
  • 1篇王弘
  • 1篇王连卫
  • 1篇王卓

传媒

  • 2篇压电与声光
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 3篇1999
  • 1篇1997
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
O^+注入SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的研究
1999年
研究了Ｈ＋注入对ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）铁电薄膜的晶体结构和电学性质的影响，并与含氢气氛退火作了比较，进而研究了Ｏ＋注入对ＳＢＴ铁电薄膜电学性质的影响。发现室温Ｏ＋注入，由于较严重的晶格损伤的存在，ＳＢＴ铁电薄膜的电学性能退化严重，而热靶Ｏ＋注入有助于克服氢对ＳＢＴ铁电薄膜的影响。
曾建明林成鲁郑立荣
关键词：离子注入铁电薄膜
钛酸钡铁电薄膜的常压MOCVD制备及其物理性质的研究被引量：4
1997年
本文报道了用常压金属有机化学气相沉积（ＡＰＭＯＣＶＤ）法在Ｓｉ衬底上制备高质量的钛酸钡铁电薄膜。钡的β二酮螯合物［Ｂａ（ＤＰＭ）２］和异丙氧基钛（ＴＩＰ）作为金属有机源，在衬底温度为７０００Ｃ时，在Ｓｉ（１００）衬底上生长的钛酸钡薄膜是多晶膜，表面光滑、平整。经快速退火（Ｔ＝７５００Ｃ）后，薄膜具有完全的［００１］取向，其介电常数（ε）为１０７。研究了衬底温度与薄膜的结晶性和取向性的关系；讨论了半导体衬底对钛酸钡铁电薄膜物理性质的影响；得到了薄膜的剩余自发极化强度（Ｐｒ）为２０μＣ／ｃｍ２，矫顽电场（Ｅｃ）为４０ＫＶ／ｃｍ。
曾建明王弘王弘尚淑霞王民尚淑霞林成鲁
关键词：MOCVD铁电薄膜钛酸钡物理性质
钛酸铋薄膜的室温脉冲激光沉积研究
1999年
在室温下，采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在７．６２ｃｍＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）衬底上制备了钛酸铋（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）薄膜。Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和扩展电阻技术（ＳＲＰ）来分析、表征；采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）技术研究了薄膜的退火特性。研究发现单独用常规退火或快速退火热处理的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜中较容易出现Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７杂相；而采用常规退火和快速退火相结合的方法，较好地解决了杂相出现的问题，得到相结构和结晶性完好的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜。透射电子显微镜实验和扩展电阻实验表明，室温下制备的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜具有良好的表面和界面特性。
曾建明张苗高剑侠宋志棠郑立荣王连卫林成鲁
关键词：脉冲激光沉积SRP铁电薄膜
不同工艺制备的铁电薄膜底电极Pt/Ti被引量：6
1999年
采用高真空电子束蒸发与直流溅射在SiO2／Si基底上制备Pt／Ti底电极，对Pt／Ti在不同热处理温度下的结构与形貌进行对比研究。结果表明：由于采用不同的制备工艺，Pt晶粒在成核与生长方式上有所不同，导致了Pt薄膜在结构与形貌的差异。高真空电子束蒸发的Pt薄膜以织构的方式生长，致密而规则的柱状晶粒决定了它在高温下的连续性和稳定性，为制备高质量的铁电薄膜与其性能的研究提供了条件。
宋志棠曾建明高剑侠张苗林成鲁
关键词：织构底电极铁电薄膜铂
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