张世表
- 作品数：6 被引量：5H指数：2
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术文化科学更多>>
- CoSi_2薄膜电学性质研究
- 1999年
- 对厚度约为０．４μｍ的ＣｏＳｉ２多晶薄膜的电学性质进行了研究。在－２００℃～２０℃温度范围，测量了ＣｏＳｉ２薄膜的电阻率。室温下，电阻率为９～２０μΩ·ｃｍ．随着温度的降低，电阻率减小，且表现出较好的直线性。
- 李秀燕李秀燕张世表李麓维
- 关键词：电阻率多晶薄膜电学性质
- 一种新的改性TGS单晶—AMTGS被引量：2
- 1990年
- 本文报导了用氨基甲磺酸部分取代硫酸三甘肽(TGS)晶体中的甘氨酸,生长出来的新晶体为硫酸三甘肽/氨基甲磺酸(AMTGS)。讨论了生长环境及其生长习性。进行了硫的元素分析,测定了晶体的介电和热释电性能。实验发现:AMTGS晶体易于生长,可以得到晶体外形类似于规则的斜方晶形的单晶体,在室温下,空间群仍为P2_1。AMTGS晶体具有较高的介电常数,因此其优值比TGS晶体稍低。
- 郑吉民范京富车云霞申泮文张世表朱亚平温金珂王华馥
- 关键词：晶体
- 钴硅化物的X光研究
- 1990年
- 本文采用READx光相机照像的方法,对部分不同退火温度和退火时间的Co/si系薄膜样品进行了x射线衍射分析,对目前尚有争议的一些问题给出了部分实验结果和结论。并对Co/si薄膜反应中出现的织构情况,我们通过对READx光相机加入新的照像方法,方便地定出了一些钴硅化物织构情况。
- 黄晖张世表
- 钴硅化物薄膜的X光分析被引量：1
- 1990年
- 对真空蒸镀在Si(111)衬底上的钻膜及退火后在CO/Si界面形成的钻硅化物薄膜进行了研究。所用仪器为X光衍射仪和改进型Read相机。测定了Co、Co_2Si、CoSi及CoSi_2薄膜的晶格常数和织构,并对Co/Si界面在低温退火(<500℃)过程中硅化物的演变进行了分析。证明:在金属钴耗尽前Co_2Si和CoSi共同生长,金属钴耗尽后Co_2Si逐渐向CoSi转化。通过与RBS谱的对比证实了这一结果的可靠性。
- 张世表李秀燕李宝会李麓维薛召南潘士宏
- 关键词：硅化物低温退火晶格常数退火过程真空蒸镀退火时间
- CoSi_2 薄膜的织构研究被引量：2
- 1998年
- 对厚度约为０．４μｍ的ＣｏＳｉ２多晶薄膜的织构进行了研究。Ｘ射线极图分析表明，薄膜表现出与以往文献中所报导的ＣｏＳｉ２薄膜完全不同的织构类型。在Ｓｉ（１１１）衬底上织构轴为［１３０］，且平行于Ｓｉ［１１１］。除［１３０］织构轴外，其它晶向亦有择优取向。
- 李秀燕张世表潘士宏李麓维
- 关键词：织构极图
- 用Read X射线相机分析薄膜织构的方法研究
- 1999年
- 提出用ＲｅａｄＸ射线相机照相制作多晶薄膜极图，进而确定薄膜织构的方法，并推导出相关公式。
- 李秀燕张世表
- 关键词：极图织构微结构
