姜凯丽
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：哈尔滨理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目哈尔滨市青年科学研究基金黑龙江省留学归国人员基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程更多>>
- 铝酸锂晶体抛光处理及其退火行为研究
- 本文利用德国柏林晶体实验室提拉法(Czochralski)生长、切割而成的铝酸锂(LiAlO2，LAO)晶片，系统研究了抛光液磨料性质、抛盘转速、抛光时间、抛光压力以及抛光环境等系列抛光工艺参数对抛光晶片表面质量的影响规...
- 姜凯丽
- 关键词：抛光工艺退火处理晶体缺陷晶体生长
- 文献传递
- 用于GaN薄膜生长的γ-LiAlO_2晶体基片制备工艺研究
- 2015年
- 研究了铝酸锂晶体的化学机械抛光工艺。自制了SiO2悬浮液作为抛光剂,主要研究抛光过程中抛盘转速、抛光时间以及抛光压力等系列抛光工艺参数对抛光晶片表面质量的影响规律。通过优化抛光工艺参数获得了适宜制备氮化镓薄膜的铝酸锂晶体基片,最小的表面粗糙度为2.695 nm。结合氮化镓薄膜的制备条件,对抛光好的铝酸锂晶体基片采用退火的方法去除生长态晶体的热应力和机械应力。利用扫描电子显微镜研究了退火后晶片的表面质量,同时用激光共聚焦技术研究了晶体表面腐蚀坑的三维形貌。退火处理导致了铝酸锂晶体表面腐蚀坑的数目和深度增加。随着退火温度的升高和退火的保温时间的增加,铝酸锂晶体中锂元素挥发,晶体表面质量下降。但是适当的保温时间能够改善铝酸锂晶体的完整性,释放在晶体生长和试样制备过程中存在的热应力和机械应力,改善了晶体质量。
- 郑威齐涛姜凯丽
- 关键词：氮化镓薄膜表面粗糙度二氧化硅抛光
- 近化学计量比Fe:LiTaO_3晶体的光折变性能
- 2009年
- 采用顶部籽晶溶液法（TSSG），生长直径约10-15mm，长度为10mm的近化学计量比掺铁铌酸锂（Fe：SLN）和近化学计量比掺铁钽酸锂（Fe：SLT）晶体．采用二波耦合全息法测量了晶体的记录时间，擦除时间和饱和衍射效率；采用光斑畸变法测量了抗光损伤阈值．与Fe：SLN晶体相比，Fe：SLT晶体的饱和衍射效率降低，记录时间减小，抗光损伤能力显著提高，Fe：SLT晶体的抗光损伤闽值为420MW／cm^2。
- 郑威姜凯丽
- 关键词：光折变性能光损伤
- 退火处理对铝酸锂晶体表面形貌及缺陷的影响
- 2015年
- 系统研究了不同退火温度及保温时间对铝酸锂晶体表面形貌的影响规律,分析了退火前后晶体基片表面腐蚀坑形貌演变规律.利用箱式炉对晶体进行退火处理,采用扫描电子显微镜和激光共聚焦电子显微镜对晶体的表面形貌和缺陷进行分析.结果表明,随着退火温度的升高到850℃,铝酸锂晶体发生分解,锂元素挥发导致表面质量下降;在适宜的温度下,适当的保温时间(<20 min)能够提高铝酸锂晶体的完整性,释放制备过程中存在的热应力,改善晶体质量.铝酸锂晶体腐蚀处理前后表面都出现了比较规则的菱形图案,且取向基本一致.退火处理对样品的腐蚀坑表面尺寸没有明显的影响,但缺陷数目增多,腐蚀坑深度增加.
- 郑威齐涛张永超姜凯丽
- 关键词：退火处理化学腐蚀
