唐新桂
- 作品数：151 被引量：452H指数：10
- 供职机构：广东工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金广州市科技计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程化学工程更多>>
- 一种非晶钛酸锶薄膜器件及其制备方法
- 本发明提供了一种非晶钛酸锶薄膜器件的制备方法，包括：在基底表面旋涂底电极溶液后退火，形成底电极；在所述底电极表面旋涂钛酸锶溶液后进行烘烤，形成酸锶薄膜；将所述钛酸锶薄膜进行退火处理，形成非晶薄膜；在所述非晶薄膜表面进行电...
- 汤卉唐新桂刘秋香蒋艳平张天富
- 钛酸铅基陶瓷中缺陷有关的钉扎现象与介电特性研究
- 钛酸铅(PbTiO3)属于钙钛矿型铁电体,其居里温度为490℃,高于居里温度的顺电相空间点群为Pm3m,而低于居里温度的铁电相空间点群为P4mm.
- 唐新桂张天富刘秋香蒋艳平
- 关键词：介电弛豫
- PZT铁电薄膜纳米尺度畴结构的扫描力显微术研究被引量：16
- 2003年
- 利用扫描力显微术中压电响应模式原位研究了 (111)择优取向的PZT6 0 4 0铁电薄膜的纳米尺度畴结构及其极化反转行为 .铁电畴图像复杂的畴衬度与晶粒中的畴排列和晶粒的取向密切相关 .直接观察到极化反转期间所形成的小至 30nm宽的台阶结构 ,该台阶结构揭示了 (111)取向的PZT6 0 4 0铁电薄膜在极化反转期间其畴成核与生长机理主要表现为铁电畴的纵向生长机理 .
- 曾华荣李国荣殷庆瑞唐新桂
- 关键词：PZT薄膜铁电薄膜极化反转
- 一种具有光电二极管效应的氧化物薄膜器件及其制备方法
- 本发明属于微电子技术领域，公开了一种具有光电二极管效应的氧化物薄膜器件及其制备方法，所述氧化物薄膜器件包括顶电极、氧化物薄膜层、基片层和底电极；所述基片层为p‑Si基片，所述氧化物薄膜层为ZrO<Sub>2</Sub>。...
- 刘志钢唐新桂唐振华
- 文献传递
- Defects Induced Magnetic Properties of Bi3.15La0.85Ti3O12 Thin Films Grown on LaNiO3 Buffered Si Substrates By Chemical Solution Deposition
- Bi3.15La0.85Ti3O12(BLT)thin films grown on LaNiO3(LNO)buffered Si(100)substrates were prepared by chemical sol...
- 李蕊唐新桂蒋艳平刘秋香
- 关键词：DEFECT
- (Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3薄膜的结构与光学特性研究
- 2009年
- 采用sol-gel法制备(Pb1-xSrx)TiO3(x=0.40,0.50,0.60,0.70,简称PST40,PST50,PST60与PST70)前驱体溶液,通过旋涂工艺在石英玻璃基片上沉积PST薄膜。研究了PST薄膜的结构和光学特性。结果显示,经750℃退火30min,所得PST薄膜为晶化良好的钙钛矿立方结构,薄膜平均晶粒尺寸为200～300nm。750℃退火的PST40、PST50、PST60和PST70薄膜样品的直接带隙能分别为3.74,3.79,3.80和3.85eV。随着Sr含量的增加,带隙能增加。
- 李群唐新桂熊惠芳张伟
- 关键词：SOL-GEL法光学特性
- 一种非晶氧化物薄膜器件及其制备方法
- 本发明属于电子设备的技术领域，尤其涉及一种非晶氧化物薄膜器件及其制备方法。本发明提供了一种非晶氧化物薄膜器件，以玻璃基片为基底层，在所述玻璃基片上物理气相沉积Hf靶材得到HfO<Sub>2</Sub>薄膜，形成产品1，将...
- 刘潮锋唐新桂
- 文献传递
- 一种自粘贴的多功能MXene涂层纺织材料和应用
- 本发明公开了一种自粘贴的多功能MXene涂层纺织材料和应用，涉及纺织材料技术领域，其中，一种自粘贴的多功能MXene涂层纺织材料，包括：无尘纸；所述无尘纸上依次涂覆有MXene涂层和PDMS涂层；所述无尘纸相对的两侧边缘...
- 唐振华姚帝杰梁展恒许煖刘秋香唐新桂
- 一种非均匀化学计量比反铁电陶瓷、其制备方法及其应用
- 本发明提供了一种反铁电陶瓷材料、其制备方法及其应用，该反铁电陶瓷材料具有式I所示通式：(Pb<Sub>0.97</Sub>La<Sub>0.02</Sub>)(Zr<Sub>0.95</Sub>Ti<Sub>0.05</...
- 牛中华蒋艳平唐新桂刘秋香
- 文献传递
- 钛酸锶铅陶瓷电阻开关效应研究
- 2016年
- 陶瓷样品的电阻开关特性报道较少见,本文采用传统的高温固相法制备出钛酸锶铅((Sr0.9Pb0.1)Ti O3)陶瓷,并对陶瓷样品的相结构、电性能、阻抗进行了测试表征.XRD图谱显示样品呈现纯的钙钛矿四方相晶体结构.循环回路测试其I-V特性,当施加电压±60 V,陶瓷样品显示出良好的电阻开关效应.考虑到材料在制备过程中Pb挥发产生的氧空位,通过分析阻抗图谱,利用Arrhenius公式拟合计算出样品的活化能,进一步确定引起器件电阻开关特性的可能是氧空位机制.
- 岳经龙唐新桂
- 关键词：氧空位
