吴雷学
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：西安应用材料创新基金国家高技术研究发展计划中国科学院西部之光基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生更多>>
- 桥丝式电点火头感应电流的测试研究
- 2009年
- 用红外光纤分光法对桥丝式电点火头中的感应电流进行非接触式远程测量.从红外辐射理论和实验两方面证明该方法的可行性.对桥丝产生的弱信号红外辐射进行光调制和锁相放大,通过探测器测得桥丝式电点火头辐射的中、近红外光电压的比值,得到对应的桥丝微弱的感应电流值,在电流值较大时,测量误差可小于0.0154mA.该红外光纤分光探测系统不仅解决了外界电磁干扰的问题,还很好地减小了人为操作的误差.
- 尹飞梅书刚汪韬贺俊芳阮驰吴雷学赵团封青梅
- 关键词：感应电流红外探测器
- GaAs光导开关飞秒激光点触发实验及分析被引量：1
- 2008年
- 针对光导开关阵列和光纤分束耦合的实际应用环境,提出一种新的实验方案,用于测试当触发光源相对于开关光敏面为点光源时入射位置对输出脉冲的影响.实验证明,不同的入射位置对开关输出脉冲有很大的影响.在入射光从负极向正极扫描过程中输出脉冲逐渐增强,在正极附近输出达到峰值,但在电极边缘处有所减弱.分析表明,这一现象和开关体内电场的分布有密切联系.
- 景争汪韬阮驰杨宏春王警卫吴雷学
- 关键词：光导开关GAAS
- InAs/GaSb外延层的LP-MOCVD生长及表征
- 采用自制低压金属有机源化学气相沉积(LP-MOCVD)设备制备了InAs/GaSb异质结。反应的源物质为三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)、三甲基锑(TMSb)和AsH<,3>。在衬底为n型GaSb(偏角100±...
- 吴雷学汪韬王警卫景争尹飞梅书刚
- 关键词：半导体材料表面形貌LP-MOCVD
- 文献传递
- InAs/GaSb体系非制冷红外探测材料研究
- 采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)设备，在(100)面GaSb单晶衬底上生长了II型InAs/GaSb超品格材料，它可用来制作非制冷红外探测器。分析了InAs/GaSb超晶格红外材料的生长质量情况，对器件...
- 吴雷学
- 关键词：原子力显微镜光致发光金属有机物红外探测材料超晶格
- 文献传递
- 低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响被引量：2
- 2009年
- 采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征,获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料,在77K下得到光致发光谱峰值波长为3.25μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影响,得出生长温度在500℃～520℃,无过渡层,使用InAsSb界面层有利于改善材料的表面形貌.
- 吴雷学汪韬王警卫李晓婷景争尹飞梅书刚
- 关键词：超晶格界面层表面形貌
- InAs/GaSb超晶格体系非制冷红外探测材料研究
- 吴雷学
- 关键词：MOCVD超晶格拉曼散射界面层原子力显微镜
