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吴兵

作品数:2 被引量:3H指数:1
供职机构:清华大学理学院化学系更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 1篇电路
  • 1篇氧化硅
  • 1篇增感
  • 1篇增感剂
  • 1篇水型
  • 1篇氢氟酸
  • 1篇无显影气相光...
  • 1篇集成电路
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇分辨率
  • 1篇负性
  • 1篇HMMM

机构

  • 2篇清华大学

作者

  • 2篇洪啸吟
  • 2篇吴兵
  • 2篇陈明
  • 1篇李元昌
  • 1篇李钟哲
  • 1篇王培清
  • 1篇林天舒
  • 1篇段生权
  • 1篇卢建平
  • 1篇刘丹

传媒

  • 1篇高分子通报
  • 1篇感光科学与光...

年份

  • 1篇2002
  • 1篇1998
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
无显影气相光刻(DFVP)研究的进展
2002年
无显影气相光刻技术是我国在 1980年发明的一种独特的光刻技术 ,具有不需要显影 ,分辨率高等优点。但它的机理并不清楚。本文介绍十多年来在无显影气相光刻机理研究方面的成果。实验证明 ,无显影气相光刻是以光致光刻胶膜内的诱蚀剂浓度差为基础的方法 ;而传统的光刻方法是基于光致光刻胶膜溶解度差的方法。由于两者的光刻原理不同 ,导致了他们间光刻效果和应用范围之区别。所得机理研究之结果可以解释无显影气相光刻中的各种独特的现象并可指导无显影气相光刻技术的发展 。
洪啸吟李钟哲刘丹吴兵卢建平段生权陈明王培清
关键词:无显影气相光刻光刻胶二氧化硅氢氟酸分辨率
甲酚醛树脂—HMMM负性水型化学增幅抗蚀剂的研究被引量:3
1998年
本文利用二苯碘盐为光敏产酸物,吩噻嗪为敏化剂,配制了一种甲酚醛树脂———六甲氧基甲基三聚氰胺(HMMM)负性水型紫外化学增抗蚀剂,并研究了光敏产酸物和增感剂对体系光敏性的影响及体系中存在的拉平效应,通过优化后的光刻工艺条件得到了分辨率为1.24μm的光刻图形.
吴兵李元昌陈明林天舒洪啸吟焦晓明程爱萍陈建军
关键词:光刻胶HMMM集成电路增感剂
共1页<1>
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