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吴兵
作品数:
2
被引量:3
H指数:1
供职机构:
清华大学理学院化学系
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发文基金:
国家自然科学基金
北京市自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
陈明
清华大学理学院化学系
洪啸吟
清华大学理学院化学系
林天舒
清华大学理学院化学系
李元昌
清华大学理学院化学系
刘丹
清华大学理学院化学系
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2002
1篇
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无显影气相光刻(DFVP)研究的进展
2002年
无显影气相光刻技术是我国在 1980年发明的一种独特的光刻技术 ,具有不需要显影 ,分辨率高等优点。但它的机理并不清楚。本文介绍十多年来在无显影气相光刻机理研究方面的成果。实验证明 ,无显影气相光刻是以光致光刻胶膜内的诱蚀剂浓度差为基础的方法 ;而传统的光刻方法是基于光致光刻胶膜溶解度差的方法。由于两者的光刻原理不同 ,导致了他们间光刻效果和应用范围之区别。所得机理研究之结果可以解释无显影气相光刻中的各种独特的现象并可指导无显影气相光刻技术的发展 。
洪啸吟
李钟哲
刘丹
吴兵
卢建平
段生权
陈明
王培清
关键词:
无显影气相光刻
光刻胶
二氧化硅
氢氟酸
分辨率
甲酚醛树脂—HMMM负性水型化学增幅抗蚀剂的研究
被引量:3
1998年
本文利用二苯碘盐为光敏产酸物,吩噻嗪为敏化剂,配制了一种甲酚醛树脂———六甲氧基甲基三聚氰胺(HMMM)负性水型紫外化学增抗蚀剂,并研究了光敏产酸物和增感剂对体系光敏性的影响及体系中存在的拉平效应,通过优化后的光刻工艺条件得到了分辨率为1.24μm的光刻图形.
吴兵
李元昌
陈明
林天舒
洪啸吟
焦晓明
程爱萍
陈建军
关键词:
光刻胶
HMMM
集成电路
增感剂
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