吴佺
- 作品数:9 被引量:6H指数:2
- 供职机构:河北建筑工程学院数理系更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金河北省自然科学基金张家口市科学技术研究与发展计划项目更多>>
- 相关领域:理学建筑科学自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 地坪漆刮涂机
- 本实用新型地坪漆刮涂机,集称重、配比、刮涂、调速、调节刮涂厚度于一体,包括盛装桶、机身、显示屏、称重传感器、调速开关、总开、总关、电机、电机支架、皮带、皮带轮A、皮带轮B、把手、护罩、观察窗、刮刀、车轮A、车轮B、车轮支...
- 康凯吴佺陈龙胡一龙王新明冯小东梁建明王月亭任贵芳马宏
- 文献传递
- 直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴壁内VBLs的稳定性
- 2005年
- 研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和Hip的共同作用下,当Hb>H′sb时,ID的剩余率将在某一面内场Hip下迅速下降,即ID畴壁内VBL在某一Hip迅速丢失.随着Hb上升这种下降的趋势越容易发生,并变得更剧烈.通过观察证实,这种下降的趋势与ID的自收缩有关.由此可知,在Hip和Hb的共同作用下ID畴壁中的VBLs丢失的过程中,自收缩起着重要的作用.
- 王丽娜吴佺聂向富郭革新
- 关键词:垂直布洛赫线直流偏场面内场
- 超高密度磁记录纳米颗粒膜研究
- 许佳玲曲蛟吴佺贾利云代长明等
- 该项研究的FePt/Ti薄膜经过适度的退火处理可以形成三元合金FePtTi,获得12.1kOe的矫顽力,有序化L10织构,颗粒状磁畴,这些和FePtTi三元合金的形成是密切相关的。合适的覆盖层可以诱导薄膜样品的有序化L1...
- 关键词:
- 关键词:磁记录材料纳米颗粒膜退火处理
- 直流偏场和面内场共同作用下第Ⅰ类哑铃畴的条泡转变
- 1983年,Konish提出了超高密度布洛赫线存储器(BLM)方案。BLM存储技术采用条状磁畴中的负布洛赫线(VBL)对作为信息的载体,以VBL对的有无来体现信息的“1”和“0”。与磁泡存储器相比,BLM的存储密度大大提...
- 吴佺
- 关键词:硬磁畴垂直布洛赫线面内场直流偏场磁泡存储器
- 文献传递
- 退火温度对FePt薄膜物性的影响被引量:2
- 2012年
- 用直流磁控溅射方法和原位退火工艺在玻璃基片上制备了Fe48Pt52纳米薄膜.研究发现,退火温度对FePt膜的微结构和磁特性有很大的影响,退火可以减小颗粒间的磁相互作用,矫顽力随退火温度的升高先急剧增大后减小,600℃退火处理的FePt样品平行膜面方向的矫顽力略大于垂直方向,分别达到了684.4,580.9 kA/m;650℃退火处理的FePt样品在2个方向上都获得了巨大的矫顽力,最大值达到了986.8 kA/m.
- 吴佺许佳玲贾利云孙会元
- 关键词:磁记录FEPT退火温度矫顽力
- Li(Na)AuS体系拓扑绝缘体材料的能带结构
- 2021年
- 在拓扑领域中发现可以通过大数据搜索拓扑绝缘体,使得此领域对材料的探索转变为对材料性质的研究.半Heusler合金体系是非平庸拓扑绝缘体材料的重要载体.通过全势线性缀加平面波方法计算Li(Na)AuS体系拓扑绝缘体材料的能带结构.采用各种关联泛函计算LiAuS的平衡晶格常数,发现得到的能带图均为具有反带结构的拓扑绝缘体,而且打开了自然带隙.较小的单轴应力破坏立方结构后也破坏了此类拓扑绝缘体的自然带隙,通过施加单轴拉应力直到四方结构的平衡位置时,系统带隙值约为0.2 eV,这与立方结构平衡位置得到的带隙结果一致.运用同族元素替代的手段,实现了在保证材料拓扑绝缘体性质的同时,不改变立方结构,在体系的平衡晶格常数下使得材料的带隙打开,从而提高了实验合成拓扑绝缘体材料的可行性.
- 许佳玲贾利云刘超吴佺赵领军马丽侯登录
- 关键词:拓扑绝缘体HEUSLER合金第一性原理
- 退火温度对反应共溅法制备CoTiO_2薄膜的影响
- 2017年
- 通过超高真空反应磁控共溅射方法制备了CoTiO_2薄膜样品,在退火过程中加入了紫外光照射,研究了退火温度在反应共溅法中对薄膜微结构和磁性能的影响。形貌和结构研究表明,随着退火温度的升高样品的表面颗粒尺度逐渐减小,温度越高越有利于磁性相的形成,且500℃退火温度下锐钛矿结构的衍射峰较明显,晶胞变大;磁滞回线显示出样品呈现铁磁性特征,并且随着退火温度的升高样品的磁化强度逐渐降低;热磁曲线测量显示有序温度高于120℃。退火过程中进行辐照干预的处理,发现在薄膜制备过程中对薄膜的结构及磁性有重要影响。铁磁性有可能是起源于在热处理过程中引起的磁性离子和氧空位导致的晶格缺陷。
- 吴佺许佳玲贾利云高尚武靳晓庆
- 关键词:稀磁半导体磁性微结构
- 直流偏场和面内场共同作用下第Ⅰ类哑铃畴的条泡转变被引量:1
- 2006年
- 实验研究了直流偏场和面内场共同作用第Ⅰ类哑铃畴(IDs)的条泡转变现象.实验表明:1)存在3个特征直流偏场,即:条泡转变后的磁畴均为软泡的磁场以及条泡转变后的磁畴中依次出现普通硬磁泡和第Ⅰ类哑铃畴的磁场;2)IDs的最小条泡转变面内场和最大条泡转变面内场均随直流偏场的增加而减小.
- 吴佺郭革新聂向富王丽娜翟晓霞刘琳李静
- 关键词:直流偏场面内场
- 公路软土地基沉降变形的研究被引量:3
- 2009年
- 对于公路深厚软土地基(厚度大于10m,地基承载力特征值小于80kPa),采用二灰桩与深层搅拌桩联合加固,能充分发挥二灰桩与深层搅拌桩两者加固较厚软土地基各自的优势,应用二灰桩与深层搅拌桩联合加固深厚软土地基,具有特殊的适用性。
- 孙思忠吴佺
- 关键词:软土地基沉降复合地基指数函数