刘诗文
- 作品数：4 被引量：18H指数：3
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市教委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- InGaN/GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究被引量：9
- 2006年
- 对不同温度（120～363K）下InGaN／GaN多量子阱（MQW）结构蓝光发光二极管（LED）的电学特性进行了测试与深入的研究。发现对数坐标下I—V特性曲线斜率随温度变化不大。分别用载流子扩散-复合模型和隧道复合模型对其进行计算，发现室温下其理想因子远大于2，并且随着温度的下降而升高；而隧穿能量参数随温度变化不大。这说明传统的扩散一复合栽流子输运模型不再适用于InGaN／GaNMQW蓝光LED。分析指出由于晶格失配以及生长工艺的制约，外延层中具有较高的缺陷密度和界面能级密度，导致其主要输运机制为栽流子的隧穿。
- 刘诗文郭霞艾伟伟宋颖娉顾晓玲张蕾沈光地
- 关键词：氮化镓蓝光发光二极管
- 两基色白光LED的光视效能的研究被引量：2
- 2006年
- 光视效能的高低直接影响到光源的光效,两基色白光LED存在无数个同色异谱色,它们的光视效能值不同。通过计算确定了可合成白光的两基色的选取范围,确定了得到高光视效能的白光LED的两基色的选取范围。
- 张蕾郭霞沈光地刘诗文梁庭王惠
- 关键词：白光LED配色光视效能
- 基于亲水表面处理的GaAs/GaN晶片直接键合被引量：4
- 2006年
- 对晶片进行亲水表面处理,在氮气保护下500℃热处理10min,成功实现GaAs与GaN晶片的直接键合,键合质量较好.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.光致发光谱观测结果表明,键合工艺对晶体内部结构的影响很小.可见光透射谱测试结果表明,键合界面具有良好的透光特性.GaAs与GaN晶片直接键合的成功,为实现GaAs和GaN材料的集成提供了实验依据.
- 王慧郭霞梁庭刘诗文高国沈光地
- 关键词：晶片直接键合GAASGAN光电子集成
- 两基色白光LED的配色研究被引量：3
- 2007年
- 从色度学原理出发,简述了两基色白光LED的配色原理,确定了可合成白光的两基色的选取范围和两基色的配比范围,计算分析了两基色白光LED的光视效能和一般显色指数。两基色白光LED具有较高的光视效能,但其显色性却较差,主波长为450 nm左右的蓝光LED与主波长572 nm左右的黄绿光混合得到的白光的光视效能值最大,约为400 lm/w,已接近等能纯白点的理论极值,但一般显色指数只有—0.5。主波长为480 nm左右的LED与主波长为580 nm左右的LED混合得到的白光的一般显色指数值最大,仅为16.2。
- 张蕾郭霞沈光地刘诗文梁庭王惠
- 关键词：白光发光二极管配色光视效能显色指数
