刘明刚
- 作品数：5 被引量：17H指数：3
- 供职机构：西安科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程电子电信一般工业技术更多>>
- 碳化硅制品的成型性能被引量：1
- 2011年
- 以不同粒度的α-SiC为原料,通过配比试验、生坯成型方法的对比、成型后碳化硅制品的生坯性能分析,研究了不同粘结剂、不同成型压力与保压时间、不同成型方法对碳化硅制品的密度、气孔率、抗折强度的影响。结果表明,水溶性粘结剂的粘结性能低于醇溶性粘结剂,但水溶性的最佳添加量低于醇溶性粘结剂。成型方法中冷等静压的成型密度和抗折强度最大,气孔率最低。同时无论使用何种成型方法,制品的密度随压力变化都具有一定的规律性。
- 李小池朱海马刘明刚
- 关键词：碳化硅制品显微形貌
- 碳化硅陶瓷的无压烧结及性能研究
- 碳化硅陶瓷作为一种具有高强度、高硬度、耐高温、耐腐蚀、耐磨损、抗热震的高性能特种陶瓷材料广泛用于航空航天、电力电子、机械工业、石油化工等许多领域。由于碳化硅原料共价键占80％左右，因此很难在常压下烧结致密，为了使碳化硅陶...
- 刘明刚
- 关键词：陶瓷材料碳化硅陶瓷无压烧结烧结助剂
- 文献传递
- SiC电热元件制备工艺的优化被引量：3
- 2008年
- 作为一种性能优良的电热元件,SiC具有极佳的力、热、电特性。通过对SiC电热元件制备工艺的研究,找出了最佳素烧温度和最佳烧结温度制度。通过测试最佳工艺条件下制品的密度、强度、电阻率,并利用XRD,SEM测试其晶体结构和微观形貌,分析了影响碳化硅电热元件电阻率和力学性能的工艺因素。结果表明:素烧温度在1000℃,保温30min,烧成温度在1980～2060℃时的试样强度最高,电阻率值也比较合理。
- 李晓池刘明刚朱海马
- 关键词：碳化硅电热元件电阻率力学性能
- 烧结助剂对重结晶SiC电热元件性能的影响被引量：3
- 2010年
- 以不同粒度的α-SiC为原料,添加A12O3,Fe2O3,H3BO3作为烧结助剂,通过配比实验、素坯成型、制品烧结,研究了不同助剂及其含量对SiC电热元件的密度、抗折强度、电阻率的影响,并探讨了对其性能影响的机理。结果表明:烧结助剂Al2O3对电热元件密度影响最大,在质量分数wB为0.3%时,密度为2.314 g/cm3;Fe2O3对其电阻率影响最大,在质量分数wB为0.5%时,最优的电阻率为0.634Ω.cm.此外,H3BO3的加入对密度的提高不明显,加入过多反而降低了电热元件的密度,对电阻率起着负面影响。
- 李晓池刘明刚朱海马
- 关键词：烧结助剂活化烧结
- 微波陶瓷的研究现状及发展趋势被引量：7
- 2009年
- 微波陶瓷作为具有极好介电性能的功能陶瓷材料,已广泛应用于微波通信、卫星通信、移动通信、电子对抗、机载及电子对抗设备中,并且极大地促进了相关领域的发展。综述了微波陶瓷各类体系的研究现状和发展趋势,展望了微波陶瓷的应用前景。
- 刘明刚李小池
- 关键词：微波陶瓷
