何泽召
- 作品数：163 被引量：27H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程一般工业技术理学更多>>
- 基于自对准工艺的石墨烯场效应晶体管
- 李佳蔚翠刘庆彬何泽召卢伟立冯志红
- 一种碳化硅基扭曲多层石墨烯材料的制备方法
- 本发明公开了一种碳化硅基扭曲多层石墨烯材料的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：采用化学气相沉积法在碳化硅基底上进行石墨烯材料的生长，以氢气作为载气，通入气态碳源，在1500‑1700℃和910‑990mbar下生长10...
- 刘庆彬蔚翠何泽召高学栋郭建超周闯杰冯志红
- 文献传递
- 氧化镓MOSFET器件的制备方法
- 本发明提供了一种氧化镓MOSFET器件的制备方法，属于半导体器件制备技术领域，包括Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延片，Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延片自上而下依次为沟...
- 吕元杰何泽召宋旭波王元刚谭鑫周幸叶冯志红
- 文献传递
- 纳米栅及纳米栅器件的制备方法
- 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种纳米栅的制备方法，包括：根据第一介质层表面沉积的第一光刻胶上的光刻胶图形，对第一介质层表面光刻胶图形以外的区域进行第一次刻蚀，去除第一次刻蚀后的第一介质层表面沉积的第一光刻胶，获...
- 何泽召蔚翠刘庆彬高学栋郭建超周闯杰冯志红
- 文献传递
- 高频场效应晶体管及其制备方法
- 本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了高频场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在金刚石衬底上形成氢终端；在氢终端上表面形成源极与漏极金属层，源极与漏极间隔设置，形成源漏欧姆接触；在氢终端上表面形成第一钝化层，在...
- 周闯杰蔚翠何泽召郭建超马孟宇刘庆彬余浩高学栋冯志红
- 石墨烯射频放大器单片集成电路
- 本发明公开了一种石墨烯射频放大器单片集成电路，涉及集成电路制造技术领域，包括输入电路、输入偏置电路、放大电路、输出电路和输出偏置电路；输入电路、输入偏置电路、放大电路、输出电路和输出偏置电路安装在同一衬底上，输入电路连接...
- 宋旭波蔚翠何泽召冯志红
- 文献传递
- 金刚石在GaN功率放大器热设计中的应用被引量：3
- 2022年
- 随着GaN功率放大器向小型化、大功率发展,其热耗不断增加,散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达2 000 W/(m·K),是一种极具竞争力的新型散热材料,可用作大功率器件的封装载片。采用不同载片材料对一款热耗为53 W的GaN功率放大器进行封装。分别采用有限元仿真及红外热成像仪对放大器的芯片结温进行仿真和测试,结果显示,采用金刚石载片封装的放大器的结温比采用钼铜(MoCu30)载片封装的放大器的结温降低了30.01℃,约18.69%。同其他常用载片材料进行进一步对比得出,在相同工作条件下,采用金刚石载片封装的放大器结温最低,并且随着热耗增加,金刚石的散热能力更为突出。在芯片安全工作温度175℃以下,金刚石能满足GaN功率放大器100 W热耗的散热需求。
- 崔朝探陈政郭建超赵晓雨何泽召杜鹏搏杜鹏搏
- 关键词：有限元仿真散热能力
- 一种基于自对准技术的石墨烯晶体管制造方法
- 本发明公开了一种基于自对准技术的石墨烯晶体管制造方法，涉及半导体器件的制造方法技术领域。在衬底上形成石墨烯材料，在石墨烯材料上形成一层金属薄膜，利用平版印刷术形成所需要的光刻胶图形，去除未被光刻胶覆盖的地方的金属，去除未...
- 李佳冯志红蔚翠刘庆彬何泽召王晶晶
- 文献传递
- 氮化铝/金刚石异质结材料及其制备方法
- 本发明提供了一种氮化铝/金刚石异质结材料及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括氢处理金刚石衬底表面，得到氢终端金刚石；在氢终端金刚石表面外延氮化铝薄膜。本发明采用微波等离子体化学气相沉积以及脉冲激光沉积法生长氮化铝薄...
- 刘庆彬何泽召 马孟宇 周闯杰 余浩 李鹏雨蔚翠冯志红
- 金刚石晶体管制备方法
- 本发明适用于晶体管制备技术领域，提供了一种金刚石晶体管制备方法，该方法包括：提供氢终端金刚石，在氢终端金刚石上制备源极和漏极；将预先制备的栅介质层转移贴合在制备有源极和漏极的氢终端金刚石上；在栅介质层上制备栅极，得到金刚...
- 高学栋冯志红蔚翠何泽召刘庆彬郭建超周闯杰
