付俊兴
- 作品数：21 被引量：15H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法
- 本发明公开一种用于集成电路钝化层的氮化硅薄膜的低温制造方法，该氮化硅薄膜生长在位于淀积室中的衬底上。其过程包括：将衬底清洗后放在工艺室中；对工艺室抽真空并设定工艺条件；将硅源气体与氮化源气体先混合后通入工艺室，利用电子回...
- 杨银堂吴振宇汪家友付俊兴柴常春
- 文献传递
- 芯片级电磁兼容性的设计被引量：2
- 2004年
- 介绍了电磁兼容性的基本概念、原理及其在集成电路设计中的重要性 ,对电磁兼容性设计的基本方法作了介绍 ,其中着重论述了芯片级电磁兼容性的设计方法。
- 殷和国杨银堂付俊兴李雯
- 关键词：集成电路电磁兼容设计方法芯片
- 6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究被引量：3
- 2004年
- 采用非抛物性能带模型 ,对 6H SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗 (EnsembleMonteCarlo)研究 研究表明 :温度为 2 96K时 ,电子横向漂移速度在电场为 2 .0×1 0 4V/cm处偏离线性区 ,5.0×1 0 5V/cm处达到饱和 由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为 1 .95×1 0 7cm/s,纵向为6.0×1 0 6cm/s,各向异性较为显著 当电场小于 1 .0×1 0 6V/cm时 ,碰撞电离效应对高场电子漂移速度影响较小 另一方面 ,高场下电子平均能量的各向异性非常明显 电场大于 2 .0× 1 0 5V/cm时 ,极化光学声子散射对电子横向能量驰豫时间影响较大 当电场一定时 ,c轴方向的电子碰撞电离率随着温度的上升而增大 对非稳态高场输运特性的分析表明 :阶跃电场强度为 1 .0×1 0 6V/cm时 ,电子横向瞬态速度峰值接近 3.0×1 0 7cm/s。
- 王平周津慧杨银堂屈汉章杨燕付俊兴
- 关键词：6H-SIC各向异性漂移速度
- 掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
- 2005年
- 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强.掺杂浓度较高时,随着温度的增加,中性杂质散射的影响逐步减弱.4H-SiC电子迁移率较高且各向异性较小,温度为296K时得到的横向电子饱和漂移速度为2.18×107cm/s;阶跃电场强度为1000KV/cm时,横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.模拟结果同已有的测试结果较为一致.
- 王平杨燕杨银堂屈汉章崔占东付俊兴
- 关键词：4H-SIC蒙特卡罗研究
- 微波ECRCVD设备
- 杨银堂汪家友付俊兴刘毅周端顾新柴常春李跃进贾护军俞书乐陈光族吴振宇王平李爱军
- 微波电子回旋共振化学气相淀积(ECRCVD)技术是利用电子在微波和磁场中的回旋共振效应，在真空条件下形成高密度、高活性的等离子体进行气相化学反应，在低温下形成优质薄膜的技术。该项目通过独创性的稀土永磁、大面积、分布式EC...
- 关键词：
- 关键词：高密度等离子体化学气相淀积
- 2H-SiC体材料电子输运特性的EMC研究
- 2004年
- 目的 对2H SiC体材料的电子输运特性进行研究。方法 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果 计算表明:低场下,温度一定时,2H SiC纵向电子迁移率比4H SiC和6H SiC都高,横向迁移率则较为接近。296K时,由EMC方法得到的纵向电子饱和漂移速度为2.2×107cm/s,横向电子饱和漂移速度为2.0×107cm/s。当电场条件相同时,2H SiC同4H SiC以及6H SiC中的纵向电子平均能量相差较大。在阶跃电场强度为1000kV/cm时,其横向瞬态速度峰值可达到3.2×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级。结论 可以被用来设计SiC器件和电路。
- 王平杨银堂崔占东杨燕付俊兴
- 关键词：迁移率漂移速度
- 半导体基片上薄膜应力的测试装置被引量：7
- 1997年
- 半导体基片上薄膜应力的测试装置＊杨银堂付俊兴周端孙青（西安电子科技大学西安７１００７１）０引言应力是表征薄膜特性的一个重要参数。半导体器件中薄膜材料的应力对于器件的性能和可靠性有着重要的影响［１］，随着器件集成度的提高和新结构、新工艺的开发，这种影响...
- 杨银堂付俊兴周端孙青
- 关键词：半导体器件应力测试
- 用于电子回旋共振等离子体源的分布式永磁磁场装置
- 本发明公开了一种用于电子回旋共振等离子体源的分布式永磁磁场装置，主要解决现有技术能耗高、体积大、均匀性差的问题。整个装置包括磁铁200，屏蔽板301、无磁模板302，该无磁模板上设有数个梯形固定孔201和一个圆形固定孔2...
- 杨银堂俞书乐汪家友付俊兴
- 文献传递
- 微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备
- 本发明公开了一种微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备，该设备包括微波功率源及传输系统101、微波谐振腔体102、工艺室与样品台系统103、真空系统104、气路系统105、自动传片系统106、控制系统107，其中，微波...
- 杨银堂汪家友付俊兴刘毅周端俞书乐陈光族孙青
- 文献传递
- 用于电子回旋共振等离子体源的谐振腔体装置
- 本实用新型涉及一种用于电子回旋共振等离子体源的谐振腔体装置，该装置包括：同轴波导、介质窗，其中，同轴波导200采用圆波导管和锥形波导管组成的一体结构，该同轴波导下方固定有法兰盘700，法兰盘中间开有圆形窗口，该窗口外侧开...
- 杨银堂俞书乐汪家友陈光族付俊兴
- 文献传递
