鲁正雄
- 作品数：47 被引量：88H指数：5
- 供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目航天科技创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信兵器科学与技术金属学及工艺更多>>
- 一种GaN基PIN型紫外探测器表面钝化方法
- 本发明涉及一种GaN基PIN型紫外探测器表面钝化的方法，其过程如下：先清洗GaN基样片并生长好干法刻蚀阻挡层，然后涂光刻胶，光刻并腐蚀阻挡层至露出需要干法刻蚀的区域，并去除光刻胶；再对样片用干法刻蚀进行刻蚀，要求刻蚀深度...
- 张向锋吕衍秋成彩晶张亮丁嘉欣鲁正雄孙维国
- p-GaN/Au欧姆接触的研究被引量：1
- 2006年
- 本文对p-GaN/Au的接触电阻率进行了研究．用沸腾的王水处理p-GaN表面后,p-GaN/Au可直接形成电阻率为0．045Ω·cm^2的欧姆接触．接触电阻率测试和I-V特性曲线测试表明,在N_2气氛围中退火可影响p-GaN/Au接触电阻率的大小．在700℃温度下退火5min后,接触电阻率最小,其值为0．034Ω·cm^2,而在900℃温度下退火5min后,I-V特性曲线是非线性的。分析表明,在700℃温度下退火后,p-GaN/Au的界面间的反应使接触面增大,而在900℃温度下退火后,p-GaN表面的N会扩散到Au层里在p-GaN表面层产生N空位,这是p-GaN/Au接触电阻率变化的主要原因．
- 成彩晶司俊杰鲁正雄赵鸿燕赵岚丁嘉欣孙维国陈志忠张国义
- 关键词：表面处理接触电阻率I-V特性
- Pt/Hg_3In_2Te_6接触的温度特性研究被引量：2
- 2009年
- 运用直流平面磁控溅射技术在Hg3In2Te6单晶表面制备Pt金属电极，形成Pt／Hg3In2Te6接触，采用I-V测试仪在120260K温度范围内对其I-V特性进行测量。根据热电子发射模型，计算得到了Pt／Hg3In2Te6的肖特基势垒高度。结果表明：Pt／Hg3In2Te6形成具有整流特性的肖特基接触，肖特基势垒高度为0，46eV。在120—260K温度范围内，理想因子随温度增大逐渐从2．93减小至1．42。将Hg3In2Te6单晶制成红外探测器，发现了响应光谱在波长1．55μm处峰值达到最大，在室温下峰值探测率D＋达到了10^11cm·Hz^1/2·W-1。
- 张小雷孙维国鲁正雄张亮赵岚丁嘉欣
- 关键词：肖特基接触响应光谱
- X射线衍射技术对InSb材料的无损检测
- 运用X射线衍射技术,对InSb材料的结晶质量进行检测,是判定InSb材料质量的重要方法之一。采用2θ-ω对称扫描,对(111)、(333)、(044)不同衍射面进行了ω扫描,得到了InSb不同衍射面之间强度和半峰宽度的规...
- 王武杰赵岚陈慧娟何英杰傅月秋鲁正雄
- 关键词：X射线衍射技术无损探伤半导体材料
- 文献传递
- GaAs基短周期InAs／GaSb超晶格红外探测器研究被引量：6
- 2009年
- 采用分子束外延(MBE)方法,在(001)GaAs衬底上生长了短周期Ⅱ型超晶格(SLs):InAs/GaSb(2ML/8ML)和InAs/GaSb(8ML/8ML).从X射线衍射(HRXRD)中计算出超晶格周期分别为31.2和57.3.室温红外透射光谱表明两种超晶格结构在短波2.1μm和中波5μm处有明显吸收.通过腐蚀、光刻和欧姆接触,制备了短波和中波的单元光导探测器.在室温和低温下进行光谱响应测试和黑体测试,77K下,50%截止波长分别为2.1μm和5.0μm,黑体探测率Db*b均超过2×108cmHz1/2/W.室温下短波探测器Db*b超过108cmHz1/2/W.
- 郭杰彭震宇鲁正雄孙维国郝瑞亭周志强许应强牛智川
- 关键词：超晶格分子束外延光谱响应
- 背入射AlxGa1-xN64×1线列焦平面太阳光盲探测器被引量：1
- 2009年
- 在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.5Ga0.5NP-I-N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应,其截止波长为285nm,在275nm峰值波长处的零偏电流响应率为20mA/W。测试了线列器件各元在5V反偏压下的暗电流,结果表明暗电流大约在10-8A数量级,暗电流分布均匀。线列器件各元的紫外光响应均匀性较好。
- 丁嘉欣成彩晶张向锋张晓兵鲁正雄司俊杰孙维国桑立雯张国义
- 关键词：ALGAN探测器
- 一种石墨烯微带天线及其制备方法
- 本发明属于多模复合探测或通讯技术中的天线技术，所发明的一种透光（含紫外、可见光与红外）的石墨烯微带天线，由绝缘介质基片1、石墨烯薄膜贴片2、石墨烯薄膜接地片3和与石墨烯薄膜贴片良好欧姆接触的馈线4组成。本发明利用透光的石...
- 孙维国王铮张亮朱旭波鲁正雄杨晖陈洪许张闻涛赵亮李墨韩德宽
- 文献传递
- 一种叠层双色红外焦平面探测器及其制备方法
- 本发明涉及一种叠层双色红外焦平面探测器及其制备方法，属于半导体光电子器件技术领域。本发明将分布布拉格反射镜结构引入叠层InAs/GaSb双色超晶格结构光敏芯片中，分别对叠层双色光敏吸收区未完全吸收的红外光进行反射，使之重...
- 司俊杰曹先存鲁正雄张利学侯治锦吕衍秋
- 文献传递
- 锑化物红外探测器国内外发展综述被引量：14
- 2020年
- 锑化物探测器是当前主要的红外探测器类型之一,主要包括InSb、InAsSb、InAlSb以及II类超晶格(T2SL)等红外探测器,覆盖红外短、中、长波。锑化物探测器在精确制导、机载光电、视觉增强、天文观测、气象卫星、火灾告警、人员搜救等军事和民用领域都有广泛应用。当前红外探测器已经全面进入第三代发展阶段,锑化物红外探测器也不断出现新技术、新特点和新应用。本文详细分析了锑化物红外探测器的国内外发展现状、工艺路线、技术特点等,并对锑化物红外探测器未来的发展趋势进行了预测。
- 吕衍秋鲁星鲁正雄鲁正雄
- 关键词：锑化物探测器红外焦平面阵列超晶格INSB
- 背入射Al_(0.42)Ga_(0.58)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器被引量：1
- 2008年
- 在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω.器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×1011cm.Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一.
- 成彩晶丁嘉欣张向锋赵鸿燕鲁正雄司俊杰孙维国桑立雯张国义
- 关键词：外量子效率探测率
