靳川
- 作品数：13 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 半导体异质结中的实空间转移
- 2012年
- 实空间转移的机理不同于k空间转移,因而受到了广泛关注。实空间转移效应的器件是一种新型的半导体器件,有众多其它器件达不到的优点,如响应时间可达到ps级别、可以实现负阻效应等。为深入的理解半导体异质结中的实空间转移对实空间转移效应的基本原理以及它在相应器件上的应用进行了研究,概述了国际上的相关研究方向和研究进展,并提出研究思路和技术方案。
- 靳川陈建新陈振强
- 关键词：负阻效应量子效应
- 含锑半导体异质结构光电材料及物理研究
- 含锑化合物半导体是当前半导体光电器件和凝聚态物理研究领域的前沿和热点，可用于实现高性能的中红外半导体激光器、探测器和新型晶体管等多种信息功能器件，在红外遥感、分子光谱探测和现代通信等多方面具有重要的应用价值。 本文...
- 靳川
- 文献传递
- 长波InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器被引量：11
- 2013年
- 报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度下测试了单元器件的电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性,响应光谱和黑体响应.在该温度下,光敏元大小为100μm×100μm的单元探测器RmaxA为2.5Ωcm2,器件的电流响应率为1.29A/W,黑体响应率为2.1×109cmHz1/2/W,11μm处量子效率为14.3%.采用四种暗电流机制对器件反向偏压下的暗电流密度曲线进行了拟合分析,结果表明起主导作用的暗电流机制为产生复合电流.
- 周易陈建新徐庆庆徐志成靳川许佳佳金巨鹏何力
- 关键词：暗电流
- 128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器被引量：3
- 2012年
- 报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40μm×40μm.通过台面形成、侧边钝化和金属电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了128×128面阵长波焦平面探测器.在77 K时测试,器件的100%截止波长为8μm,峰值探测率6.0×109cmHz1/2W-1.经红外焦平面成像测试,探测器可得到较为清晰的成像.
- 许佳佳金巨鹏徐庆庆徐志成靳川周易陈洪雷林春陈建新何力
- 关键词：长波红外探测器GASB焦平面阵列
- 退火效应对GaAsSb材料的光学和自旋极化特性的影响
- GaAsSb 材料的禁带宽度可以通过改变Sb 的组分使其发光波段覆盖0.87μm～1.7μm的近红外光谱范围.这使得GaAsSb 材料在红外光子探测器[1]，垂直面腔激光器和双极型晶体管等光电器件方面具有应用前景[2].
- 张斌邱维阳陈平平靳川陈建新王兴军
- InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器研究进展
- 陈建新徐志成王芳芳周易许佳佳白志中靳川丁瑞军何力
- InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应被引量：2
- 2017年
- 研究了InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波探测器的γ辐照效应.在^(60)Co源γ辐照下器件的电流—电压(I-V)特性并未随辐照剂量的增大而发生显著的变化,100 krad(Si)辐照剂量下的零偏阻抗相较辐照前的减小率仅为3.4%,表明该探测器具有很好的抗辐照性能.结合不同辐照剂量下的实时I-V特性曲线和辐照停止后器件电流随时间的演化情况,对辐照所带来的器件性能的损伤以及微观损伤机理进行了分析.发现零偏压和小反向偏压下,辐照开始后电流即有明显增大,辐照损伤以暂态的电离效应为主导,器件性能可以在很短时间内恢复.而大反向偏压下器件暗电流的主导机制为直接隧穿电流,辐照所引入位移效应的影响使得暗电流随辐照剂量增大而减小,损伤需通过退火效应缓慢恢复,弛豫时间明显长于电离效应损伤.
- 靳川许佳佳许佳佳黄爱波徐志成周易白治中王芳芳陈建新陈洪雷丁瑞军
- 关键词：Γ辐照长波红外探测器INAS/GASB
- 320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器被引量：6
- 2014年
- 报道了320×256元In As/Ga SbⅡ类超晶格长波红外焦平面阵列探测器的研制和性能测试.采用分子束外延技术在Ga Sb衬底上生长超晶格材料,器件采用PBIN结构,红外吸收区结构为14 ML(In As)/7 ML(Ga Sb),焦平面阵列光敏元尺寸为27μm×27μm,中心距为30μm,通过刻蚀形成台面、侧边钝化和金属接触电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了320×256面阵长波焦平面探测器.在77 K温度下测试,焦平面器件的100%截止波长为10.5μm,峰值探测率为8.41×109cm Hz1/2W-1,盲元率为2.6%,不均匀性为6.2%,采用该超晶格焦平面器件得到了较为清晰的演示性室温目标红外热成像.
- 许佳佳陈建新周易徐庆庆王芳芳徐志成白治中靳川陈洪雷丁瑞军何力
- 关键词：长波红外探测器INAS/GASB焦平面阵列
- InGaAs/GaAsSbⅡ类超晶格红外探测器的Be补偿掺杂研究
- InGaAs/GaAsSb Ⅱ 类超晶格是一种新型的中短波红外材料，通过调整该材料体系的材料层厚以及应变可以实现 2um 到 4um 波段覆盖。不同于高 In 组份的 InGaAs 材料，该体系的材料晶格常数完全匹配于 ...
- 靳川徐庆庆余成章徐志成陈建新何力
- 无铝双势垒超晶格长波探测器研究
- Ⅱ类超晶格红外探测技术以其可设计自由的能带结构、大的电子有效质量，高的均匀性以及基于Ⅲ-Ⅴ族材料成熟的材料器件工艺等优点，逐步成为红外探测领域的优选材料之一，得到各国研究者广泛的关注。对于超晶格长波探测器而言，量子效率和...
- 周易陈建新徐志成徐庆庆王芳芳许佳佳白治中靳川何力
