陈胜龙
- 作品数：6 被引量：24H指数：2
- 供职机构：中南大学冶金科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：冶金工程电子电信理学一般工业技术更多>>
- 电化学合成五-二乙基胺钽研究
- 近年来,微电子器件尺寸进一步缩小,已经进入纳米尺寸范围,使得微电子制造领域发生了一系列的技术革命,如今铜已取代铝成为亚超大规模集成电路(≤0.5μm)中的互联材料,但铜扩散是其必须解决的问题。目前TaN薄膜已成为防止铜扩...
- 陈胜龙
- 关键词：电化学合成化学气相沉积阳极溶解
- 硫化锑精矿湿法清洁冶金新工艺被引量：18
- 2012年
- 研究硫化锑精矿的浸出—净化—电积的闭路循环实验。考察温度、添加剂种类及浓度、Sb3+浓度和电流密度对沉积锑的形貌和质量的影响,得到避免爆锑形成的优化条件:阴极电流效率高达99%,每吨锑电耗约为1 200 kW.h。利用隔膜电积阳极室生成的SbCl5为浸出剂,得到SbCl5浸取硫化锑矿的最佳条件:温度为85℃,H+浓度为3.5 mol/L,液固比为8:1,SbCl5过量系数为理论量的1.1倍,浸出时间为1.5 h,在此条件下,硫化锑矿的浸出率达到99.5%。浸出液经过锑粉还原、硫化除重金属及Na3PO2除砷,得到的净化液用于电沉积能够得到质量良好的沉积物。
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- 电化学合成5-二乙基胺钽及钽阳极电溶解机理被引量：1
- 2012年
- 以金属钽板为阳极,不锈钢板为阴极,以四丁基溴化铵为导电剂,在二乙胺体系中直接电化学合成5-二乙基胺钽(Ta[N(C2H5)2]5)。采用红外光谱(FT-IR)、核磁共振(NMR)、差热分析(TG-DTG.)及等离子质谱(ICP-Mass)对5kPa压力下减压蒸馏分离得到Ta[N(C2H5)2]5产品进行了分析检测。分析结果表明得到的产品确实是纯度99.997%的有机胺钽化合物Ta[N(C2H5)2]5。钽阳极溶解机理研究表明,钽阳极在电流的作用下发生点腐蚀,钽阳极在电流及四丁溴化铵的作用下首先生成Ta(NH10C4)n(Br)m,之后Ta(NH10C4)n(Br)m不断被传输到阴极后继续与二乙胺反应,逐步脱去溴离子Br-,并最终生成有机胺钽盐Ta[N(C2H5)2]5。
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- 关键词：电化学合成
- “牺牲”阳极法直接电化学合成5-二乙基胺钽
- 2011年
- 采用金属钽板为阳极,不锈钢板为阴极,以四丁基溴化铵为导电剂,溶解到添有某一惰性溶剂AB的二乙胺中电解,直接电化学合成5-二乙基胺钽(PDEAT),研究支持电解质的种类与浓度、电解液的温度、阴阳极距以及槽电压的影响。选取最佳合成条件为:四丁基溴化铵浓度0.04 mol/L,温度为50℃,极距为0.4 cm,槽电压为50 V,电合成的产品在5 kPa的压力下减压蒸馏分离得到粗级产品,采用红外光谱对产品进行初步的表征,说明5-二乙基胺钽能够采用直接电化学合成法制备。
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- 关键词：电化学合成红外光谱二乙胺四丁基溴化铵
- 沉积法制备TaN薄膜的研究现状及其应用
- 2010年
- TaN薄膜是一种重要的高新技术材料,主要介绍了物理气相沉积法(PVD)、金属有机化学气相沉积法(MOCVD)和原子层沉积法(ALD)制备TaN薄膜的工艺技术,评述了它们各自的优缺点。从前驱体的选择方面详细评述了MOCVD法和ALD法制备TaN薄膜的研究进展,比较和评述了各类前驱体的优缺点。总结了TaN薄膜的应用现状以及薄膜制备过程中的主要影响因素,并简要展望了其发展方向。
- 高亮杨建广陈胜龙杨济豪吴玉山
- 关键词：PVDMOCVDALD前驱体
- Ta_2O_5薄膜制备的研究现状及进展被引量：5
- 2010年
- Ta2O5薄膜具有很好的电学性能和光学性能,制备方法种类繁多,如溶胶-凝胶法(Sol-gel)、化学气相沉积法、电子束蒸发技术、溅射法、Ta层阳极氧化或热氧化法、离子辅助沉积法(IBAD)、原子层沉积法(ALD)等。评述了现有各种制备方法的优缺点,综述了Ta2O5薄膜各种方法制备的条件、薄膜的功能性质等,并评析了金属有机化合物为前驱体制备性能优良的Ta2O5薄膜的前景。
- 陈胜龙杨建广高亮
- 关键词：TA2O5
