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郭剑

作品数：14 被引量：3H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 6篇纳米
  • 5篇石墨
  • 5篇石墨烯
  • 4篇水分子
  • 4篇水蒸气
  • 4篇分子
  • 3篇金属
  • 2篇单次
  • 2篇导电性能
  • 2篇等离子体
  • 2篇电离
  • 2篇淀积
  • 2篇栅介质
  • 2篇生物识别
  • 2篇水珠
  • 2篇碳化
  • 2篇碳纳米材料
  • 2篇纳米材料
  • 2篇纳米复合材料
  • 2篇纳米结构材料

机构

  • 14篇北京大学

作者

  • 14篇郭剑
  • 13篇傅云义
  • 11篇黄如
  • 10篇魏子钧
  • 10篇任黎明
  • 10篇张兴
  • 7篇赵华波
  • 5篇周梦杰
  • 5篇胡保东
  • 5篇李晨
  • 5篇张亮
  • 4篇贾越辉
  • 3篇魏芹芹
  • 2篇叶青
  • 2篇龚欣
  • 2篇彭沛
  • 2篇王紫东
  • 1篇邓斯天
  • 1篇张朝晖
  • 1篇李晨

传媒

  • 1篇北京大学学报...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种探测二维纳米结构材料薄膜表面缺陷的方法
本发明公开了一种用于二维纳米结构材料薄膜表面的缺陷分布的探测方法，涉及材料表面缺陷及其分布检测领域。该方法首先将样品进行预先烘干，将样品表面的水分子清除掉，通过水蒸气喷射装置将水蒸气和其他气体的混合气体流通过样品表面，进...
郭剑魏芹芹魏子钧赵华波傅云义黄如张兴
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一种探测二维纳米结构材料薄膜表面缺陷的方法
本发明公开了一种用于二维纳米结构材料薄膜表面的缺陷分布的探测方法，涉及材料表面缺陷及其分布检测领域。该方法首先将样品进行预先烘干，将样品表面的水分子清除掉，通过水蒸气喷射装置将水蒸气和其他气体的混合气体流通过样品表面，进...
郭剑魏芹芹魏子钧赵华波傅云义黄如张兴
一种碳纳米复合材料的制备方法
本发明公开了一种碳纳米复合材料的制备方法，属于纳米材料的研制领域。该方法利用CVD方法制备单层或多层石墨烯；然后将石墨烯转移到目标衬底上；在石墨烯与目标衬底的结构上面涂覆光刻胶，用电感耦合等离子体方法轰击，使光刻胶变性，...
胡保东周梦杰李晨赵华波魏子钧郭剑张亮任黎明傅云义黄如张兴
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一种耐腐蚀电极及其制备方法和应用
本发明公开了一种耐腐蚀石墨烯电极及其制备方法和应用，属于电子器件领域。该耐腐蚀石墨烯电极是利用化学气相沉积法在铜或镍等金属电极的表面覆盖石墨烯层，形成石墨烯-金属复合结构作为电极。由于石墨烯具有良好的结构特、电学和热学特...
李晨赵华波胡保东周梦杰魏子钧郭剑张亮任黎明傅云义黄如张兴
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在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用
本发明公开了一种在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用，属于集成电路技术领域，该方法首先选取表面平整、无缺陷或少缺陷的石墨烯材料作为淀积高k介质的基底样品；将基底样品放入扫描电子显微镜的真空腔室，抽真空至5E‑4至1E...
叶青傅云义郭剑贾越辉魏子钧张亮任黎明黄如张兴
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一种石墨烯纳米孔洞的制备方法
本发明公开了一种石墨烯纳米孔洞的制备方法，属于薄膜材料微纳加工领域领域。该方法采用化学气象沉积法(CVD)在金属铜薄膜上制备石墨烯，利用石墨烯表面本征的缺陷结构制备石墨烯纳米孔洞，其孔径大小可为几纳米至数百纳米。该石墨烯...
李晨郭剑周梦杰胡保东赵华波魏子钧任黎明傅云义黄如张兴
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石墨烯的合成及其缺陷表征
本论文包含了两部分工作，一是探索了一种在绝缘衬底上直接生长超净石墨烯的方法。CVD方法生长石墨烯后，持续的升温融化、蒸发铜箔，石墨烯与铜箔分离，并直接转移至绝缘衬底上。成功获得直径数十单个晶畴石墨烯和毫米级连续的石墨烯薄...
郭剑
关键词：石墨烯绝缘衬底拉曼光谱
一种碳纳米复合材料的制备方法
本发明公开了一种碳纳米复合材料的制备方法，属于纳米材料的研制领域。该方法利用CVD方法制备单层或多层石墨烯；然后将石墨烯转移到目标衬底上；在石墨烯与目标衬底的结构上面涂覆光刻胶，用电感耦合等离子体方法轰击，使光刻胶变性，...
胡保东周梦杰李晨赵华波魏子钧郭剑张亮任黎明傅云义黄如张兴
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在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用
本发明公开了一种在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用，属于集成电路技术领域，该方法首先选取表面平整、无缺陷或少缺陷的石墨烯材料作为淀积高k介质的基底样品；将基底样品放入扫描电子显微镜的真空腔室，抽真空至5E-4至1E...
叶青傅云义郭剑贾越辉魏子钧张亮任黎明黄如张兴
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一种石墨烯纳米孔洞的制备方法
本发明公开了一种石墨烯纳米孔洞的制备方法，属于薄膜材料微纳加工领域领域。该方法采用化学气象沉积法(CVD)在金属铜薄膜上制备石墨烯，利用石墨烯表面本征的缺陷结构制备石墨烯纳米孔洞，其孔径大小可为几纳米至数百纳米。该石墨烯...
李晨郭剑周梦杰胡保东赵华波魏子钧任黎明傅云义黄如张兴
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