赵龙虎
- 作品数：12 被引量：14H指数：2
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- 介质阻挡放电中的八边形结构被引量：1
- 2013年
- 采用双水电极介质阻挡放电装置,在放电间隙d值较大的实验条件下进行了斑图实验,实验首次得到了稳定的八边形结构,并对其演化序列和时空动力学进行了研究.实验发现,随外加电压的升高,系统经历了随机分布放电丝-大半径放电丝-八边形结构-失稳的八边形结构的演化过程.通过对其时空相关性测量,发现八边形结构在每半个电压周期内有2次放电.为了进一步研究八边形结构,实验还给出了斑图随空气体积分数和外加电压变化的相图,以及八边形结构随气体压强和外加电压变化的相图.
- 赵龙虎董丽芳狄聪张新普张超
- 关键词：介质阻挡放电斑图时空动力学
- 一种产生具有五种折射率的新型等离子体光子晶体的装置和方法
- 本发明涉及一种产生具有五种折射率的新型等离子体光子晶体的装置及一种产生具有五种折射率的新型等离子体光子晶体的方法，其中，放电条件为：放电间隙的厚度为2.0mm，外加电压为3.5-5.1kV，频率为55-60kHz，放电气...
- 董丽芳刘伟波王永杰赵龙虎李雪辰
- 文献传递
- 复杂结构自组织等离子体光子晶体光谱研究被引量：2
- 2015年
- 利用双水电极介质阻挡放电装置,在气体放电中产生了一种由放电丝自组织形成的复杂结构等离子体光子晶体。该晶体结构由许多四边形的晶胞组成,每个晶胞包括大点、两种不同的小点和线,分别对应粗等离子体柱、两种细等离子体柱和等离子体片。采用发射光谱法,对不同位置处的等离子体状态进行了研究,对比了其电子密度和分子振动温度。具体方法是通过氩原子696.54nm(2P2→1S5)的发射谱线测量谱线展宽进而对比电子密度,通过氮分子第二正带系(C3Πu→B3Πg)的发射谱线计算分子振动温度。结果发现:四种不同位置的等离子体具有不同的电子密度和分子振动温度,即它们各自处于不同的等离子体态。电子密度按照降序排列顺序依次为:中心粗等离子体柱四周的细等离子体柱、粗等离子体柱、边缘处的等离子体片、等离子体片交叉点处的细等离子体柱;分子振动温度的变化趋势与电子密度相反。由于等离子体电子密度不同,对光的折射率也不同,因此在该晶体结构中,粗等离子体柱、两种细等离子体柱以及等离子体片具有不同的折射率,它们和周围未放电的区域自组织形成具有五种折射率的复杂结构等离子体光子晶体。该等离子体光子晶体易于产生,具有结构多样、分析简单的优点,具有广泛的应用前景。
- 刘伟波董丽芳赵龙虎王永杰张新普
- 关键词：等离子体光子晶体介质阻挡放电发射光谱
- 介质阻挡放电中单个新型放电丝放电特征和光谱测量
- 2015年
- 在放电间隙较大(d=3.8mm)的介质阻挡放电(DBD)中,通过减小放电区域(S=1cm×1cm),首次观察到了单个新型放电丝。与其他实验小组所观察到的单个放电丝相比,该单个新型放电丝由体放电(VD)和沿面放电(SD)二部分构成,其放电稳定性和持续性极好。利用高速照相机和光谱仪,研究了单个新型放电丝在外加电压半周期单次放电中的放电特征和单个新型放电丝侧面放电柱不同位置的等离子体状态。在高速照相机不同曝光时间条件下拍摄得到了单个新型放电丝端面和侧面放电的瞬时照片,并对其外加电压半周期单次放电的放电特征与辉光放电进行了对比。利用发射光谱法,采集了单个新型放电丝侧面放电柱不同位置的氩原子763.26nm(2P6→1S5)和772.13nm(2P2→1S3)发射谱线,并通过两条谱线强度比法,估算出了相应的电子激发温度。实验结果得出:单个新型放电丝由体放电和沿面放电构成,且沿面放电在体放电四周呈枝状扩散;单个新型放电丝在外加电压半周期单次放电中与辉光放电特征相似,且在阴极呈现出漏斗状放电;氩原子谱线强度及其相应的电子激发温度从极板两端到中间均呈减小的变化趋势,表明单个新型放电丝侧面放电柱不同位置的等离子体状态不同。
- 赵龙虎潘宇扬董丽芳高烨楠王永杰
- 关键词：介质阻挡放电沿面放电电子激发温度
- 介质阻挡放电系统中相邻沿面放电之间的相互影响
- 采用Matlab二维模拟,对介质阻挡放电系统中放电图像的电场和电势分布进行模拟,并首次对相邻两沿面放电之间的影响进行研究。在空气-氩气介质阻挡放电中,随着电压的升高,放电区域内放电丝的数量从四个增加到五个,放电丝周围的沿...
- 张浩董丽芳赵龙虎王谦
- 关键词：介质阻挡放电沿面放电
- 文献传递
- 不同时空结构的四边形放电斑图等离子体参量研究被引量：1
- 2014年
- 采用发射光谱法,研究了不同时空结构四边形斑图的等离子体参量。实验发现,在低气压区和高气压区,四边形斑图表现出不同的时空结构。利用N2分子第二正带系的六条谱线强度计算了分子振动温度;利用第一负带系N+2(391.4nm)与第二正带系N2(394.1nm)谱线强度比,研究了电子能量的变化;利用Ar原子696.54nm谱线的展宽和频移来反映电子密度;利用Ar原子特征谱线强度比法计算了电子激发温度。结果表明:低气压区四边形斑图的分子振动温度、电子激发温度和电子平均能量均大于高气压区四边形斑图,而电子密度小于高气压区四边形的电子密度。
- 王永杰董丽芳赵龙虎刘伟波张新普张超
- 关键词：介质阻挡放电发射光谱
- 一种产生具有五种折射率的新型等离子体光子晶体的装置和方法
- 本发明涉及一种产生具有五种折射率的新型等离子体光子晶体的装置及一种产生具有五种折射率的新型等离子体光子晶体的方法，其中，放电条件为：放电间隙的厚度为2.0mm，外加电压为3.5-5.1kV，频率为55-60kHz，放电气...
- 董丽芳刘伟波王永杰赵龙虎李雪辰
- 文献传递
- 介质阻挡放电中体放电和沿面放电的光谱线形研究被引量：5
- 2014年
- 在放电间隙较大的介质阻挡放电中,利用高速照相机,同时观察到了体放电(VD)和沿面放电(SD)。采用光谱法,研究了VD和SD的光谱线形随放电参数的变化。在氩气介质阻挡放电中,测量了VD和SD的ArⅠ(2P2→1S5)谱线展宽和频移随气压及放电间隙的变化。结果发现:SD的展宽和频移均比VD的大,说明SD的电子密度高于VD的电子密度;随着压强从40kPa增大到60kPa,VD和SD的谱线展宽及频移均增加,表明它们的电子密度均随压强的增大而升高;随着d值从3.8mm增大到4.4mm,VD和SD的谱线展宽也增加,反映它们的电子密度均随d值的增大而增加。
- 董丽芳赵龙虎王永杰高烨楠
- 关键词：介质阻挡放电沿面放电谱线展宽
- 介质阻挡放电六边形斑图稳定过程的光谱研究被引量：1
- 2013年
- 采用发射光谱法,首次研究了等离子体参数及激发状态对介质阻挡放电六边形斑图稳定性的影响。在氩气/空气混合气体的介质阻挡放电中,随着电压的升高,放电丝直径增大,六边形斑图逐渐稳定,同时放电颜色由紫色逐渐变为灰白色,说明其等离子体状态及参数可能发生了变化。测量了六边形斑图放电过程中氮分子谱线和氩原子谱线相对于氩原子763.51nm的相对强度、分子振动温度和电子激发温度随外加电压的变化。结果发现:氮分子谱线相对强度随电压增加而降低,氩原子谱线相对强度却升高;分子振动温度与电子激发温度均随电压增加而增大。这些现象表明:随着电压增大,电子能量增加。由此,氩原子激发增多,放电丝直径增大,介质表面上沉积的壁电荷面积增大,放电丝之间的相互作用增强,六边形斑图趋于稳定。
- 董丽芳张超张新普赵龙虎
- 关键词：介质阻挡放电斑图分子振动温度电子激发温度
- 压强对介质阻挡放电中八边形结构等离子体温度的影响被引量：2
- 2013年
- 利用水电极介质阻挡放电装置,在氩气和空气的混合气体中,首次观察到了由点和线组成的八边形结构。采用发射光谱法,研究了八边形结构中的点和线的等离子体温度随压强的变化关系。利用氮分子第二正带系(C3Πu→B3Π几g)的发射谱线,计算了点和线的分子振动温度;通过氮分子离子391.4nm和氮分子394.1nm两条发射谱线的相对强度比,研究了点和线的电子平均能量大小变化;利用氩原子763.26nm(2P6→1S5)和772.13nm(2P2→1S3)两条谱线强度比法,得到了点和线的电子激发温度。实验发现:在同一压强条件下,线比点的分子振动温度、电子平均能量以及电子激发温度均高;随着气体压强从40kPa增大到60kPa,点和线的分子振动温度、电子平均能量以及电子激发温度均减小。
- 董丽芳赵龙虎王永杰仝国良狄聪
- 关键词：介质阻挡放电分子振动温度电子激发温度
