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赵金燕

作品数:32 被引量:0H指数:0
供职机构:西安交通大学更多>>
相关领域:一般工业技术自动化与计算机技术电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 31篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 14篇压电
  • 12篇无铅
  • 11篇钛酸
  • 10篇无铅压电
  • 9篇钛酸铋
  • 9篇钛酸铋钠
  • 6篇单晶
  • 6篇单晶薄膜
  • 6篇石墨
  • 6篇石墨烯
  • 6篇先驱体
  • 6篇粉体
  • 5篇压电性
  • 5篇铌酸
  • 5篇铌酸钾钠
  • 5篇衬底
  • 4篇氧化物
  • 4篇铁电
  • 4篇钛酸钡
  • 4篇相界

机构

  • 32篇西安交通大学

作者

  • 32篇赵金燕
  • 29篇任巍
  • 20篇牛刚
  • 18篇王玲艳
  • 14篇史鹏
  • 6篇纪红芬
  • 6篇吴小清
  • 4篇王哲
  • 4篇陈文
  • 3篇吴胜利
  • 3篇王强
  • 3篇宋志棠
  • 3篇刘明
  • 2篇赵刚
  • 2篇张易军
  • 2篇郑坤
  • 1篇李超

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 5篇2022
  • 3篇2021
  • 6篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种石墨烯促进结晶的可转移钙钛矿氧化物压电织构薄膜的制备方法
本发明公开了一种石墨烯促进结晶的可转移钙钛矿氧化物压电织构薄膜的制备方法,包括:1)选择石墨烯作为氧化物与衬底的中间层材料;2)选择使用脉冲激光沉积技术作为薄膜生长手段,控制生长温度500℃~800℃;控制氧气分压在10...
牛刚代立言赵金燕任巍王玲艳白炜史鹏
一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法
本发明公开了一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法,包括:在SiO<Sub>2</Sub>/Si(001)衬底上制备密排单层纳米微球二维胶体晶体层;减小纳米微球的直径;在样品表面沉积一层金属薄膜;剥离微球二维胶体晶体层;采用...
牛刚武和平任巍赵刚姜陆月赵金燕张易军赵慧丰代立言王哲余雯瑾谢瑱
一种在锗衬底上外延生长单晶钛酸钡薄膜的方法
本发明公开了一种在锗衬底上外延生长单晶钛酸钡薄膜的方法,属于单晶薄膜外延制备领域。对(001)取向的Ge衬底进行超声清洗,然后装入脉冲激光沉积系统的腔室中,并将腔室抽至背底真空,将衬底加热至800℃,维持一定的气压和温度...
牛刚代立言任巍赵金燕王延昆武和平刘逸为王玲艳史鹏
文献传递
一种无铅压电薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种无铅压电薄膜材料及其制备方法,无铅压电薄膜材料的化学通式为:(1‑x%)(Bi<Sub>0.5</Sub>Na<Sub>0.5</Sub>)TiO<Sub>3</Sub>‑x%BaZrO<Sub>3</S...
赵金燕王哲任巍郑坤全熠庄建王玲艳
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外延生长的具有垂直相界的铌酸钾钠‑锆酸钡‑钛酸铋钠无铅压电薄膜的制备方法
本发明提供一种外延生长的具有垂直相界的铌酸钾钠‑锆酸钡‑钛酸铋钠无铅压电薄膜的制备方法,采用化学溶液沉积工艺,以KNN‑BZ‑BNT先驱体溶液,通过乙酸锰、乙酸钴和氯化亚铁等掺杂降低薄膜中的漏电流密度,提高KNN‑BZ‑...
王玲艳任巍陈文赵金燕刘明
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用于高频超声换能器的钛酸铋钠无铅压电复合厚膜及其制备方法
本发明涉及无机材料中的压电复合厚膜及其制备方法,公开了一种用于高频超声换能器的钛酸铋钠基无铅压电复合厚膜及其制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)按照Bi<Sub>0.5</Sub>Na<Sub>0.5</Sub>T...
任巍纪红芬史鹏吴小清王玲艳赵金燕
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原位测量脉冲工作模式下电子器件温度分布的装置及方法
本发明公开了一种原位测量脉冲工作模式下电子器件温度分布的装置及方法,所述原位测量脉冲工作模式下电子器件温度分布的装置包括:脉冲激光系统,所述脉冲激光系统用于产生脉冲探测激光;信号调制系统,所述信号调制系统用于产生调制驱动...
牛刚翟士杰吴胜利赵金燕安瑞花代立言
一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法
本发明公开了一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法,包括:在SiO<Sub>2</Sub>/Si(001)衬底上制备密排单层纳米微球二维胶体晶体层;减小纳米微球的直径;在样品表面沉积一层金属薄膜;剥离微球二维胶体晶体层;采用...
牛刚武和平任巍赵刚姜陆月赵金燕张易军赵慧丰代立言王哲余雯瑾谢瑱
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一种基于透明电极的α-硒化铟二维光电探测器
本发明公开了一种基于透明电极的α‑硒化铟二维光电探测器,包括自上到下依次分布的α‑硒化铟二维铁电半导体层、二氧化铪电介质层及掺杂硅衬底,其中,α‑硒化铟二维铁电半导体层上设置有透明电极,该探测器的尺寸小,光电响应度较高。
牛刚孙延笑赵金燕史鹏任巍
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一种石墨烯促进结晶的可转移钙钛矿氧化物压电织构薄膜的制备方法
本发明公开了一种石墨烯促进结晶的可转移钙钛矿氧化物压电织构薄膜的制备方法,包括:1)选择石墨烯作为氧化物与衬底的中间层材料;2)选择使用脉冲激光沉积技术作为薄膜生长手段,控制生长温度500℃~800℃;控制氧气分压在10...
牛刚代立言赵金燕任巍王玲艳白炜史鹏
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共4页<1234>
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