赵云
- 作品数：12 被引量：34H指数：4
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- 相关领域：电子电信核科学技术医药卫生更多>>
- 新型PAGAT聚合物凝胶剂量计的磁共振成像研究被引量：1
- 2011年
- 使用丙烯酰胺、明胶、交联剂、除氧剂和甲醛等在常氧条件下制备出一种新型的PAGAT聚合物凝胶剂量计。实验结果表明:剂量计的磁共振横向弛豫率随吸收剂量的增加而增大,经计算,得出了剂量计的探测下限;剂量计样品的批均匀性好于3.2%,且剂量响应在0.05～1.00Gy/s之间基本与剂量率无关。此外,使用该剂量计对异质界面剂量分布的测量结果以及剂量增强效应进行了分析。
- 赵云何承发刘艳杨进军卫平强兰博崔江维费武雄李茂顺王飞
- 关键词：磁共振成像
- 变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用被引量：8
- 2010年
- 对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地评估不同工艺的NPN双极晶体管低剂量率的辐照损伤。对实验现象的机理进行了分析。
- 费武雄陆妩任迪远郑玉展王义元陈睿李茂顺兰博崔江维赵云王志宽杨永晖
- 关键词：NPN双极晶体管
- 不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应被引量：8
- 2011年
- 对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且偏置条件对ELDRS效应很明显,表现为基-射结正向偏置ELDRS效应最为显著,零偏次之,反向偏置最次。对出现这一实验结果的机理进行了探讨。
- 费武雄陆妩任迪远郑玉展王义元陈睿王志宽杨永晖李茂顺兰博崔江维赵云
- 关键词：NPN双极晶体管偏置
- PAGAT型聚合物凝胶剂量计的高熔点优化被引量：1
- 2010年
- 使用丙烯酰胺、明胶、交联剂、除氧剂、甲醛和琼脂糖等,在常氧条件下制备出四种不同配比的聚合物凝胶剂量计。根据U型管两端水平液面恒等原理,在32℃和60℃下比对筛选出具有较高熔点的凝胶剂量计,实验结果表明PAGAT加入适量甲醛所得的聚合物凝胶剂量计具有60℃以上的熔点,可以很好抵御环境温度的大幅度变化,并且有很好的剂量线性响应特性。
- 赵云何承发郭旗卫平强兰博崔江维李茂顺费武雄陈睿
- 国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性
- 2010年
- 对国产工艺的部分耗尽SOIMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明:辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压漂移的主要因素;背栅对总剂量辐照更为敏感,但在背栅特性漂移未超出一定范围的情况下,依然是正栅氧化层质量决定了器件的抗辐照性能;界面态陷阱电荷的散射作用降低了器件的源漏饱和电流;总剂量辐照后器件的常规可靠性可能会降低。
- 崔江维余学峰刘刚李茂顺兰博赵云费武雄陈睿
- 关键词：总剂量辐照效应退火效应可靠性
- 国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究
- 2010年
- 对国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于埋氧层厚度和工艺生长原因而对总剂量辐照较为敏感;辐照引入的深能级界面态陷阱电荷的散射作用,导致了正栅源漏饱和电流的显著降低;退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置,而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电荷,使得退火后背栅曲线仍与初始值有一定负向距离。
- 崔江维余学峰刘刚李茂顺高博兰博赵云费武雄陈睿
- 关键词：总剂量辐照效应退火
- 不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应被引量：4
- 2011年
- 对1 Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究。结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感器件,辐照偏置条件对器件的电参数退化和功能失效有较大影响。在三种偏置条件中,静态加电为最劣偏置,其次是工作状态,浮空状态时器件的辐射损伤最小。在工作状态和静态加电两种偏置条件下,静态功耗电流的退化与器件功能失效密切相关,可作为器件功能失效的预警量。
- 李茂顺余学峰任迪远郭旗李豫东高博崔江维兰博费武雄陈睿赵云
- 关键词：静态随机存取存储器总剂量辐照偏置条件
- CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究被引量：2
- 2010年
- 对1 Mbits的静态随机存储器(SRAM)进行了总剂量辐照及退火试验,试验结果表明:静、动态功耗电流均随总剂量增加而显著增大;静态功耗电流的退化与功能失效有密切相关性,非常适合作为辐射环境下器件功能失效的预警量;SRAM的读写出错数存在辐射剂量阈值,超过阈值时出错数便会指数增加;退火过程可以使器件参数恢复到初始值附近,其中高温退火对出错数的恢复作用更加明显。
- 李茂顺余学峰郭旗李豫东高博崔江维兰博陈睿费武雄赵云
- 关键词：静态随机存储器总剂量辐射退火
- 国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET总剂量辐照及退火效应研究
- 产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET 60Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究.结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于厚度和氧化物质量的原因而对总剂量辐照更加敏感;辐照引入界面...
- 崔江维余学峰刘刚李茂顺高博兰博赵云费武雄陈睿
- 关键词：总剂量辐照退火效应
- 不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究被引量：1
- 2010年
- 对比研究了国内外五种不同型号的PMOSFETs,在不同剂量率、不同偏置条件下的辐照响应特性;并对高剂量率辐照后的器件进行了与低剂量率辐照等时的室温退火。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,所有器件阈值电压的漂移都更加明显;不同型号的器件在不同条件下,表现出了时间相关(TDE)和低剂量率损伤增强(ELDRS)两种不同的剂量率效应。因此,ELDRS效应在PMOSFETs器件中并不是普遍存在的。
- 兰博郭旗孙静崔江维李茂顺费武雄陈睿赵云
- 关键词：PMOSFETS偏置剂量率
