谷立新
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京工业大学固体微结构与性能研究所更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 非晶态Ge1 Sb2 Te4原位加热TEM及PDF方法研究
- 相变存储被认为是最具潜力的新一代存储技术(三星公司已将其用于该公司部分手机中),引起了人们的广泛关注.相变存储通常是利用材料在晶态与非晶之间的电阻率或折射率的差异,来进行'0','1'的存储.作为相变存储材料一般要求以下...
- 张斌谷立新张滔刘显强韩晓东张泽
- 关键词：透射电子显微镜电子衍射
- 文献传递
- GeSbTe薄膜的原位电子显微学研究
- 本文利用原位透射电子显微学技术，对Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜晶化过程进行了原位研究，揭示了GeSbTe合金成分的改变对数据读写性能影响。
- 谷立新刘显强张斌韩晓东张泽
- 关键词：半导体薄膜晶体生长结构特征
- 文献传递
- GeTeSbx相变存储薄膜的制备及特性研究
- 本论文综合利用了X射线衍射(XRD)、电阻-温度测试(R-T)和透射电子显微学技术（包括选取电子衍射、明场形貌像、高分辨像、原位透射电镜加热技术和X射线能量色散谱等）对相变材料Ge-Sb-Te合金进行了研究，内容包含薄膜...
- 谷立新
- 关键词：晶化温度透射电镜磁控溅射法非晶薄膜
- Sb含量对GeTe-Sb相变薄膜电学性能和微观结构的影响被引量：1
- 2013年
- 通过磁控溅射方法制备了不同成分的GeTe-Sb薄膜,利用电阻-温度(R-T)测试、X射线衍射(XRD)和电子显微学方法对其进行了电学性能和微观结构的表征。发现薄膜的晶化温度随着Sb含量的增加先升高后降低;XRD分析表明Sb含量的不同导致薄膜晶体结构的不同,GeTe-9.9%Sb和GeTe-21%Sb为GeTe型立方结构,GeTe-58%Sb,GeTe-72%Sb和GeTe-81.5%Sb呈Sb型菱方结构。在GeTe型和Sb型结构中,薄膜的晶粒尺寸都与晶化温度变化趋势相反。原位加热实验证实了Sb的加入对薄膜结晶机制产生了很大影响,GeTe-9.9%Sb是典型的形核主导,而GeTe-72%Sb则更趋向于生长为主导的结晶机制。
- 谷立新周夕淋张斌张滔刘显强韩晓东吴良才宋志棠张泽
- 关键词：相变材料晶化温度透射电镜
