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许晓军

作品数：10 被引量：9H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电子迁移率
  • 2篇淀积
  • 2篇气相淀积
  • 2篇迁移率
  • 2篇微管
  • 2篇位错
  • 2篇金属有机物
  • 2篇金属有机物化...
  • 2篇晶体管
  • 2篇化学气相淀积
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇GAN薄膜
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇等效电路
  • 1篇等效电路模型
  • 1篇电路模型
  • 1篇电容
  • 1篇形貌

机构

  • 10篇南京电子器件...

作者

  • 10篇许晓军
  • 6篇董逊
  • 6篇李忠辉
  • 4篇李亮
  • 3篇张岚
  • 3篇姜文海
  • 3篇高汉超
  • 3篇周建军
  • 2篇张东国
  • 2篇刘六亭
  • 2篇柏松
  • 2篇孔月婵
  • 2篇尹志军
  • 2篇李哲洋
  • 2篇陈辰
  • 2篇彭大青
  • 2篇李赟
  • 2篇孙永强
  • 1篇李辉
  • 1篇程伟

传媒

  • 4篇固体电子学研...
  • 1篇发光学报
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇第三届中国国...
  • 1篇第十届全国分...
  • 1篇2013‘全...
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2009
  • 2篇2005
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于间接跃迁模型的p^+-GaAsSb费米能级研究
2013年
重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质,以及费米能级与Sb组分的关系。由于费米能级与空穴有效质量mh和空穴态密度nh存在函数关系,我们通过荧光测量并计算了空穴有效质量mh和空穴态密度nh,研究结果表明mh和nh共同主导了费米能级的变化。
高汉超尹志军程伟王元许晓军李忠辉
关键词：GAASSBHBT费米能级
GaN薄膜表面形貌与AlN成核层生长参数的关系被引量：2
2011年
采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核点,这是生长高质量GaN薄膜的一个先决条件。
倪金玉李忠辉李亮董逊章咏梅许晓军孔月婵姜文海
关键词：金属有机物化学气相淀积
优化主氢流量及C/Si比提高76.2 mm 4H-SiC同质外延浓度均匀性被引量：1
2011年
源在外延片直径方向上的耗尽导致了外延片上局部各点的生长速率及掺杂浓度是个随位置变化的量,因此造成了外延片厚度及浓度的不均匀性。通过引入基座气浮旋转可以有效降低这种不均匀性,在典型工艺条件下,采用基座旋转,76.2 mm 4H-SiC外延片厚度不均匀性、p型掺杂浓度不均匀性和n型掺杂不均匀性分别为0.21%、1.13%和6.96%。基座旋转并不能完全消除外延片n型掺杂浓度不均匀性。优化主氢流量及C/Si比能够改变掺杂源的耗尽曲线,将76.2 mm SiC外延片n型掺浓度不均匀性优化至2.096%(σ/mean)。
李赟孙永强高汉超许晓军
关键词：碳化硅均匀性
Mg掺杂Al_(0.5)Ga_(0.5)N薄膜的发光性质研究
2012年
利用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上采用AlN缓冲层制备了Mg掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜。采用CL测试方法研究了Mg掺杂对Al0.5Ga0.5N薄膜光学特性的影响。测量表明,Mg掺杂导致在Al0.5Ga0.5N薄膜的发光谱中出现了3.9eV的发光带,其发光机理为束缚的施主-受主对(DAP)间的辐射复合跃迁。
李亮李忠辉董逊彭大青张东国许晓军孙永强周建军孔月婵姜文海陈辰
关键词：铝镓氮阴极射线发光金属有机物化学气相淀积
BST片上压控电容及其模型
在氮化镓外延材料上制作了金属-绝缘层-金属型钛酸锶钡薄膜压控电容.测试表明,该压控电容在0.1～15GHz的频率范围内具备压控调谐特性;根据测试结果建立了微波频段钛酸锶钡压控电容等效电路模型,模型与测试结果吻合.同批次制...
孔岑周建军李辉陆海燕耿习娇许晓军
关键词：压控电容钛酸锶钡薄膜高电子迁移率晶体管等效电路模型
文献传递
金辅助MBE法生长GaAs纳米线形貌研究
本文讨论了金辅助的固态分子束外延生长GaAs纳米线过程中，衬底温度对以上参数的影响。本实验使用GaAsB面衬底，衬底经过清洁后放入一台电子束蒸发台淀积一层lnm厚的金膜，然后放入一台Veeco GENII分子束外延设备。...
尹志军高汉超张朱峰许晓军李忠辉
关键词：光电子材料纳米线分子束外延生长
文献传递
4H-SiC同质外延中的缺陷
从实验出发,有LPCVD外延系统在偏向<110>方向8°的4H-SiC(0001)Si面衬底上,利用CVD技术进行了4H-SiC同质外延生长.外延后在熔融KOH腐蚀液中进行腐蚀,使用SEM和光学显微表征方法探讨了CVD法...
李哲洋刘六亭董逊张岚许晓军柏松
关键词：微管位错扫描电子显微镜外延层
文献传递
原位刻蚀对同质外延GaN薄膜晶体质量的影响
近二十多年来,三族氮化物由于其优异的性能,被广泛的应用到发光电子器件和电力电子器件领域[1,2],但由于高质量GaN同质衬底制备困难,并且价格昂贵,因此这些光电器件大多采用蓝宝石、碳化硅和硅等衬底通过异质外延方法获得。对...
罗伟科李亮李忠辉董逊彭大青张东国周建军许晓军
4H-SiC同质外延中的缺陷被引量：3
2005年
从实验出发,用LPCVD外延系统在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si面衬底上,利用CVD技术进行了4H-SiC同质外延生长。外延后在熔融KOH腐蚀液中进行腐蚀,使用SEM和光学显微镜表征方法探讨了CVD法4H-SiC同质外延中的位错、微管和孪晶等缺陷形貌,并分析其形成机理。
李哲洋刘六亭董逊张岚许晓军柏松
关键词：4H-SICLPCVD微管位错SEM
MOCVD生长AlGaN／GaN／Si(111)异质结材料被引量：3
2009年
利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AlGaN/GaN异质结构。通过优化Si衬底的浸润处理时间、AlN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和面密度分别达到1410cm2/V.s和1.16×1013cm-2。
李忠辉李亮董逊李赟张岚许晓军姜文海陈辰
关键词：高电子迁移率晶体管二维电子气
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