胡少旭
- 作品数：15 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学交通运输工程更多>>
- 晶硅太阳电池中的离子注入掺杂及其格修复离子注入掺杂及其晶格修复
- History of Ion Implantation Ion Implantation:1)是一种对材料表层改性的方法.2)将杂质电离成离子并聚焦成离子束,在电场中加速而获得极高的动能后,注入到半导体中,从而实现掺杂....
- 韩培德梁鹏胡少旭王帅朱慧时赵春华
- 硅聚光太阳电池金属栅线的优化
- 本文主要研究了影响硼离子注入发射极单晶硅聚光太阳能电池效率的主要因素.研究结果表明,通过优化前表面金属栅线,10倍太阳聚光照射下,栅线间距为330微米的太阳能电池的效率可以提升大约10％.
- 娄世殊韩培德梁鹏邢宇鹏胡少旭朱慧时王帅张渊博
- 文献传递
- 一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法，该非制冷热电偶红外探测器由下至上依次包括：在硅衬底上热氧化得到的氧化硅薄层，沉积在氧化硅薄层上的高塞贝克系数金属层；具有热隔离作用的热绝缘层；高红外辐射吸收的黑硅材料层...
- 李辛毅韩培德毛雪胡少旭王帅范玉杰
- 文献传递
- 离子注入掺杂晶硅太阳电池
- 晶硅太阳电池的高效率、低成本和长寿命，使其牢牢占据了绝大部分光伏市场。然而，光伏发电离平价上网还有相当的距离。因此，继续提高晶硅电池的效率，继续降低晶硅电池的制造成本，则是行业发展的永恒主题。
- 韩培德梁鹏胡少旭
- Si中离子注入S杂质引起的深能级研究
- 2012年
- 本文在n型硅中通过离子注入方法用500 keV的能量注入剂量为1×1014cm-2的过量S以引入杂质,并通过深能级瞬态谱方法(DLTS)对离子注入引入的深能级进行研究,得到多个S的深能级峰,计算了各深能级的位置和其俘获截面等参数。同时也发现,采用离子注入工艺在Si中引入了大量缺陷深能级。
- 高利朋韩培德毛雪范玉杰胡少旭
- 关键词：深能级离子注入深能级瞬态谱
- 硅基近红外光电探测器结构及其制作方法
- 一种硅基近红外光电探测器结构，包括：一n型硅衬底，其上面向下开有两层台阶状的圆槽；一磷背场制作在n型硅衬底的下面；一硫系元素掺杂层制作在该n型硅衬底上面的最下层的圆槽内；一p型硼掺杂层制作在该n型硅衬底上面的上层圆槽内；...
- 胡少旭韩培德李辛毅毛雪高利朋
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- 硼铝共掺背面场硅太阳能电池及其制备方法
- 一种硼铝共掺背面场硅太阳能电池，包括：一p型硅衬底；一n型发射极，该n型发射极位于p型硅衬底上；一迎光面钝化层，该迎光面钝化层生长在n型发射极上，该迎光面钝化层上开有电极窗口；一金属栅线电极，该金属栅线电极制作在迎光面钝...
- 范玉杰韩培德梁鹏邢宇鹏叶舟胡少旭
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- 一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法，该非制冷热电偶红外探测器由下至上依次包括：在硅衬底上热氧化得到的氧化硅薄层，沉积在氧化硅薄层上的高塞贝克系数金属层；具有热隔离作用的热绝缘层；高红外辐射吸收的黑硅材料层...
- 李辛毅韩培德毛雪胡少旭王帅范玉杰
- 一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法
- 本发明公开了一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法，该方法包括：在硅衬底表层蒸镀钛薄膜；以及采用超快激光辐照蒸镀有钛薄膜的硅材料表层。本发明提供的基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法，采用超快激光辐照镀有钛薄层的硅...
- 李辛毅韩培德毛雪胡少旭王帅范玉杰
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- 一种基于黑硅材料非制冷热红外探测器的制备方法
- 本发明公开了一种基于黑硅材料非制冷热红外探测器的制备方法，包括：在硅衬底或SOI衬底上形成温敏二极管；在该温敏二极管表面沉积非晶硅薄膜，在硫系元素氛围下采用超快激光辐照或采用离子注入硫系元素+超快激光辐照的方式对该非晶硅...
- 韩培德李辛毅毛雪胡少旭王帅范玉杰
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