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罗杰馨

作品数：112 被引量：14H指数：3
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项上海市科学技术发展基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 105篇专利
  • 7篇期刊文章

领域

  • 27篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 40篇晶体管
  • 24篇体效应
  • 23篇浮体效应
  • 21篇存储器
  • 19篇阈值电压
  • 18篇SOI
  • 15篇存储器单元
  • 14篇驱动电流
  • 12篇端口
  • 12篇总剂量
  • 10篇电路
  • 10篇源极
  • 10篇随机存储器
  • 10篇芯片
  • 10篇芯片面积
  • 9篇源区
  • 9篇接触区
  • 8篇氧化层
  • 8篇栅氧化
  • 8篇栅氧化层

机构

  • 112篇中国科学院
  • 2篇上海大学
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 112篇罗杰馨
  • 112篇陈静
  • 94篇王曦
  • 59篇何伟伟
  • 58篇柴展
  • 50篇伍青青
  • 37篇吕凯
  • 28篇黄建强
  • 14篇余涛
  • 4篇杨燕
  • 3篇薛忠营
  • 3篇林泽
  • 2篇宁冰旭
  • 2篇周建华
  • 1篇武爱民
  • 1篇张波
  • 1篇吴伟
  • 1篇杨根庆
  • 1篇魏星
  • 1篇张苗

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇电子学报
  • 1篇西安交通大学...
  • 1篇功能材料
  • 1篇电子器件
  • 1篇电子设计工程

年份

  • 2篇2022
  • 3篇2020
  • 8篇2019
  • 9篇2018
  • 22篇2017
  • 12篇2016
  • 14篇2015
  • 5篇2014
  • 6篇2013
  • 14篇2012
  • 8篇2011
  • 9篇2010
共 112 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法
本发明提供一种提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法。根据本发明的方法，先在绝缘体上材料结构上形成至少一个器件的源区、栅区、及漏区；随后，对所述源区再进行掺杂使所述源区的部分区域为N型、部分区域为P型；最后再在进行了...
罗杰馨陈静伍青青柴展余涛吕凯王曦
文献传递
一种SOI八晶体管静态随机存储器单元及其制作方法
本发明提供一种SOI八晶体管静态随机存储器单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三、第四、第五及第...
陈静何伟伟罗杰馨王曦
文献传递
一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法
本发明提供一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法，该方法通过在所述外基区注入杂质由硼改为氟化硼，并将注入能量和剂量限定在特定范围内，有效解决了薄膜SOI上（小于等于150nm）的SiGe-HBT器件的集电极电阻...
柴展陈静罗杰馨伍青青王曦
一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法
本发明提供一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法，属于存储器设计及制造技术领域，所述存储器单元包括两个反相器及传输门，所述反相器由一结构对称的NMOS晶体管及结构对称的PMOS晶体管互连组成，所述传输门由两个源漏结构...
陈静伍青青罗杰馨柴展余涛王曦
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SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法
本发明提供一种SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法，包括以下步骤：1）依据Y<Sub>GG</Sub>提取栅电阻R<Sub>g</Sub>及栅电容C<Sub>gg</Sub>；2）依据Y<Sub>GS</Sub>提...
陈静吕凯罗杰馨王曦
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一种基于SOI的MOS器件结构及其制作方法
本发明提供一种基于SOI的MOS器件结构及其制作方法，所述结构包括背衬底、绝缘埋层、有源区以及浅沟槽隔离结构；其中：所述有源区中形成有MOS器件，所述MOS器件包括栅区、位于所述栅区下的体区、位于所述体区横向第一侧的第一...
陈静何伟伟罗杰馨王曦
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P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法
本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，所述P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型...
陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦
抑制浮体效应的SOI MOS器件结构的制作方法
本发明公开了一种抑制SOI浮体效应的MOS结构的制作方法。本发明方法制作的SOIMOS结构，其有源区包括：体区、N型源区、N型漏区、重掺杂P型区；其N型源区由硅化物和与之相连的N型Si区两部分组成；所述重掺杂P型区位于硅...
陈静罗杰馨伍青青肖德元王曦
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P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法
本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，该P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，位于所述衬底结构上的n个阈值可调结构；所述阈值可调结构至少包含两个PMOS管和两个二极管，两个PMOS管共用体区，所...
陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦
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基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法
本发明提供一种基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法。该基于SOI的锗硅异质结双极晶体管，其包括背衬底、位于背衬底上的埋氧化层以及形成于该埋氧化层上的有源区和隔离区；所述有源区一端形成有集电极，其余部分形成集电区，...
罗杰馨陈静伍青青柴展余涛吕凯王曦
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