王荣
- 作品数：16 被引量：6H指数：2
- 供职机构：辽宁大学更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 宽温高频高反压沟道基区晶体管研制被引量：1
- 1999年
- 耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管（ＢＳＩＴ），其电流放大系数（ｈＦＥ）具有负的温度系数．双极结型晶体管（ＢＪＴ）的ｈＦＥ具有正的温度系数．将ＢＳＩＴ与ＢＪＴ并联，采用ＢＪＴ常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极ＰＮＰ晶体管．本文描述了这种新器件结构、工作原理、设计与制造．新器件突出特点是：当温度变化较大时，ｈＦＥ漂移较小．测试结果表明：环境温度从２５℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度Ｔ的变化率小于３５％．优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善２０％．当温度从２５℃降到－５５℃，器件的ｈＦＥ变化率小于或等于３０％．
- 丛众吴春瑜王荣石广元闫东梅张雯朱肖林汪永生
- 关键词：静电感应双极晶体管BSIT
- 晶体管发射极势垒电容C_(Te)的测试及数据处理
- 1998年
- 本文阐述了用ｆＴ测试仪，测试ＣＴｅ的原理，测试了３ＤＧ６０，３ＣＫ３和３ＣＧ２１ｃ的ＣＴｅ，并对大量测试结果用微机进行了处理，测试计算结果与经验公式给出的值吻合；
- 丛众王荣刘怡都春燕
- 关键词：势垒电容外推法晶体管发射极
- 一种新型高精度温度补偿的压力传感器
- 1989年
- 木文介绍了根据晶体管的发射结偏压随温度变化的关系,来代换扩散硅压力传感器中利用扩散电阻进行温度补偿的原理和优越性。
- 方凯王荣
- 关键词：传感器温度补偿膜片
- 一种新型高精度温度补偿压力传感器被引量：1
- 1989年
- 本文是根据晶体管的发射结偏压随温度变化的关系,将温度补偿晶体管代换扩散硅压力传感器中的温度补偿电阻,从而制出一种新型高精度温度补偿压力传感器.
- 方凯王荣
- 关键词：温度补偿压力传感器传感器
- 全文增补中
- 大有发展前途的新型半导体器件——静电感应晶体管和静电感应晶闸管
- 1990年
- 为了满足和推动电子器件向高频大功率方向发展,寻求一种新型晶体管,即静电感应晶体管(static induction transistor:SIT),也称为第三种类型晶体管。本文较为详细的阐述其组成结构工作原理和实验特性。并指出结构设计和工艺概要。
- 方凯王荣罗永春
- 关键词：静电感应晶体管静电感应晶闸管功率方向多数载流子五极管
- 具有场板和限制环的P^+N二极管击穿特性的研究被引量：2
- 1995年
- 本文从实验的角度研究了具有场板和场限制环的P+N二极管的击穿特性，给出了场环至主结的最佳间距与衬底浓度和结深的关系曲线。并从物理机制上对此进行了较深入的讨论。
- 王荣尚士奇吴非
- 关键词：场板击穿特性
- 宽温超高频双极静电感应晶体管研制
- 1999年
- 描述了宽温超高频ｐｎｐ双极静电感应晶体管的结构、工作原理、设计与制造。测试结果表明，环境温度从２３℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度平均变化率小于４０％，优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善３０％。
- 丛众王荣吴春瑜闫东梅王大奇
- 关键词：BSIT晶体管
- Ag－Cu混合型表面上的SERS效应
- 1995年
- 用还原法制备了一种Ａｇ－Ｃｕ混合型ＳＥＲＳ表面。通过电镜扫描和ｘ射线能谱分析，讨论了这种混合型表面形貌。在空气中检测了吸附在Ａｇ－Ｃｕ混合表面上的罗丹明６Ｇ的ＳＥＲＳ谱，简单分析了其光谱特征。实验结果表明，这种Ａｇ－Ｃｕ混合型表面可用于ＳＥＲＳ效应。
- 王荣孟荣
- 关键词：银铜喇曼散射金属表面SERS
- 一种新型有源温度补偿硅压力传感器
- 1991年
- 本文是根据晶体管的发射结偏压随温度变化的关系,来代换扩散硅压力传感器中利用扩散电阻进行温度补偿的原理和优越性。
- 方凯王荣
- 关键词：传感器温度补偿压力传感器硅
- 平移激发奇偶相干态被引量：2
- 2003年
- 定义两类新非经典态:平移激发偶奇相干态D(β)a^+~mla>_e和D(β)a^+~mla>_o,讨论了它们的量子统计特性,其数值计算结果表明,显现出了亚泊松分布和反聚束效应等显著的非经典光场态的物理特征。
- 王荣吴炜
- 关键词：量子光学亚泊松分布反聚束效应
