王柱
- 作品数：65 被引量：40H指数：3
- 供职机构：武汉大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺核科学技术更多>>
- 未掺杂SI-InP中缺陷的正电子寿命研究被引量：2
- 2000年
- 在 10～ 30 0 K的温度范围内 ,测量了用液封直拉法 (L EC)生长的 n- In P经高温退火后形成的未掺杂SI- In P晶体的正电子寿命谱 .用 PATFIT和 MEL T两种技术分析了正电子寿命谱 .常温下的结果表明 ,SI- In P中存在铟空位 VIn或与杂质的复合体缺陷 .观察到在 10～ 2 2 0 K之间正电子的平均寿命 τm 随温度的升高而减小 ,表明上述缺陷是带负电荷的铟空位 VIn的氢复合体 ;但是在低温下还存在正电子浅捕获态 ,浅捕获中心很可能是反位缺陷 In2 - P ,因此在 2 2 0～ 30 0 K范围内平均寿命τm 随温度的升高而略有上升 .
- 毛卫东王少阶王柱孙聂枫孙同年赵有文
- 关键词：正电子寿命化合物半导体
- 正电子湮没谱和光致发光谱研究掺锌GaSb质子辐照缺陷被引量：3
- 2010年
- 用正电子湮没谱和光致发光谱研究了质子辐照后掺锌GaSb中的缺陷.通过分析正电子的缺陷寿命τ2及强度I2的变化发现,在高能质子的辐照下产生了双空位缺陷VGaVSb,可能同时产生了小的空位团.正电子平均寿命τav和S参数随着质子辐照剂量的变化也证明了这一结论.通过分析不同质子辐照剂量下掺锌GaSb的光致发光谱,发现GaSb中的Zn没有与辐照缺陷相互关联.质子辐照在样品中产生了非辐射复合中心.这种非辐射复合中心很可能是双空位和小空位团.利用光致发光谱推算了受主杂质Zn在GaSb中的能级位置.在经过质子辐照后的样品中发现了氢的存在,氢充当了浅受主杂质.通过退火实验观察到了样品中空位型缺陷的迁移合并和分解,发现氢原子加强了缺陷的移动能力.
- 周凯李辉王柱
- 关键词：GASB正电子湮没光致发光谱
- 一种全数字二维符合多普勒展宽系统
- 本发明涉及核电子学技术，具体涉及一种全数字二维符合多普勒展宽系统，包括第一、第二探测器和上位机；还包括结构相同的第一、第二采集通道，FPGA数字处理平台和千兆以太网口；第一、第二探测器分别与第一、第二采集通道连接，FPG...
- 王柱 张梦新 廖远黄启俊
- 文献传递
- 用正电子湮没方法鉴别GaSb半导体中的缺陷
- 利用正电子湮没谱学方法系统地研究了掺Zn,掺Te、未掺杂的原生和辐照GaSb样品的缺陷结构。正电子寿命实验表明在上述原生样品中存在单空位型缺陷。进一步采用符合多普勒展宽谱仪测试了上述的GaSb样品以及纯Sb、纯Ga晶体。...
- 王柱胡卫国苏本法邵云东王少阶赵有文
- 关键词：GASB正电子湮没
- 文献传递
- 高纯锗能谱仪系统研制被引量：2
- 2021年
- 介绍了高纯锗能谱仪系统的研制。项目突破了探测器级高纯锗单晶提纯、高纯锗探测器表面钝化保护、高计数率数字化多道分析器以及无源效率刻度等关键技术,研制出高纯锗能谱仪系统样机。开展了高纯锗能谱仪在核燃料包壳破损在线监测、中高放射性废物桶核素源项无损检测和材料点缺陷特性分析示范应用研究。性能测试表明:85%探测效率的能谱仪的能量分辨率为1.98keV(1.33 MeV伽马射线),峰康比好于61。
- 何高魁孙慧斌郝晓勇刘义保代传波邓长明王柱廖辉汪天照胡世鹏邵俊琪张怀强刘海峰杨松贾伟强厉文聪刘洋阙子昂田华阳张向阳
- 关键词：高纯锗探测器离子注入多道分析器
- 数字式正电子寿命谱仪
- 正电子是研究材料微结构的灵敏探针,被广泛地应用于研究凝聚态材料电子结构和缺陷性质。传统正电子谱仪具有的仪器分辨函数大小一般在200-400ps(半高宽)范围内,这种谱仪分辨能力限制了对材料中短寿命成分的研究。数字正电子寿...
- 李辉王柱庞锦标秦伟周凯
- 关键词：数字示波器正电子寿命谱正电子
- 文献传递
- CDB的源修正
- 我们测量了Ti、Ni、Cu、Al以及Si的符合多普勒展宽谱,对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合出其中的源湮没强度。并给出了Si的多普勒展宽谱在源修正前后的商谱曲线,讨论了源成分的影响。文章中用高斯.抛物线模型拟合...
- 苏本法王柱黄长虹王少阶
- 关键词：正电子湮没最小二乘法
- 文献传递
- 杂质的正电子亲和能对慢正电子束研究缺陷深度分布的影响
- 2015年
- 为了研究杂质的正电子亲和能对正电子技术测量空位型缺陷深度分布的影响,本文利用慢正电子技术研究了不同离子注入Mo样品中产生的缺陷及缺陷的深度分布,所得到的实验结果与SRIM计算模拟结果相比较,慢正电子测量空位型缺陷深度分布范围总是大于SRIM模拟的缺陷分布.慢正电子束测量Cu离子注入的S参数最大值的深度(150 nm)要大于Mo离子注入的深度(125 nm).结果表明,正电子亲和能高的Cu杂质团簇比Mo空位团更容易捕获正电子,且Cu团簇对正电子的捕获会影响到慢正电子束测量表面缺陷深度的结果.
- 台鹏飞李辉河裾厚男王柱李兰婷黄远
- 关键词：慢正电子束离子注入辐照损伤
- 基于FPGA的虚拟放射源系统被引量：1
- 2020年
- 核物理实验、放射医学等领域都离不开放射源及其探测。利用DAC、FPGA以及直接数字合成技术构建虚拟放射源系统,能够灵活选择放射源和探测器的种类,也能设置放射源与探测器的相对距离和角度。根据某种放射源的实验谱线按照一定的频率发射幅度信号,通过网口传输进入FPGA数字处理平台。FPGA接收幅度信号并进行处理,从而得到具有特定探测器特征的脉冲信号。采用14位数模转换芯片LTC1667将FPGA得到的数字信号转化为模拟信号。使用脉冲幅度分析仪对该脉冲信号进行采集和分析,并通过相应软件获得能谱。结果表明,虚拟化的放射源代替实物放射源和探测器不仅可以达到相似的效果,而且更加具有灵活性、方便性和安全性。
- 邹风华王柱钱秋妃徐跃明董俊岐
- 关键词：FPGA直接数字合成脉冲信号
- 用正电子寿命连续分布鉴别Ⅲ-Ⅴ族化合半导体中的缺陷
- 利用拉普拉斯逆变换和最大熵原理两种国际最新流行的方法分析了半导体材料中的正电子寿命谱，通过测量正电子寿命的连续分布，鉴别了两种化合物半导体GaAs和InP中的缺陷，结果表明，正电子寿命分布能提供关于缺陷的更为详尽的信息。...
- 陈志权王柱王少阶
- 关键词：最大熵原理
