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王旭利

作品数：7 被引量：6H指数：2
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 3篇抗辐射
  • 2篇动态参数
  • 2篇转换器
  • 2篇模数转换
  • 2篇模数转换器
  • 2篇测试技术
  • 1篇电路
  • 1篇信号
  • 1篇信号处理
  • 1篇信号处理电路
  • 1篇性能研究
  • 1篇射线
  • 1篇射线剂量
  • 1篇试验测试
  • 1篇寿命研究
  • 1篇统计分布
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐照
  • 1篇芯片
  • 1篇抗辐射加固

机构

  • 6篇中国工程物理...
  • 1篇西南科技大学

作者

  • 6篇王旭利
  • 3篇詹峻岭
  • 2篇徐曦
  • 2篇许献国
  • 2篇余彦胤
  • 2篇周启明
  • 1篇杨怀民
  • 1篇袁国火
  • 1篇姚远程
  • 1篇赵聚朝
  • 1篇赵洪超
  • 1篇邓建红
  • 1篇周开明

传媒

  • 1篇电子技术应用
  • 1篇核技术
  • 1篇第11届全国...
  • 1篇第九届全国抗...

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2002
共 7 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
模数转换器的辐射性能及其试验测试技术研究被引量：2
2009年
介绍了国内外对模数转换器(ADC)抗辐射性能试验测试技术的研究现状以及相关结论。在此基础上提出实时测量模数转换器在辐射环境下工作的动态性能参数来表征器件抗辐射性能的研究思路,同时也提出了对现有模数转换器辐射性能测试系统的改进建议。
王旭利许献国姚远程詹峻岭周启明
关键词：模数转换器抗辐射动态参数测试技术
N80C196KC20芯片的X射线剂量增强效应被引量：3
2006年
介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应。用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行X射线、钴源总剂量辐照试验，测量了电源工作电流ICC，芯片的功能失效表征了它的总剂量响应。芯片在较低的总剂量水平发生功能失效，γ失效总剂量-165Gy（Si）。芯片失效时工作电流发生快速增长。实验测量了N80C196KC20单片机芯片的X射线剂量增强系数，研究了剂量增强效应机理。
杨怀民徐曦邓建红詹峻岭赵聚朝王旭利袁国火
关键词：计算机芯片
复合涂层长期储存寿命研究
对AL基体上的复合涂层进行了高温氧化、湿热、震动、高低温循环等加速老化实验研究,在此基础上对复合涂层长期储存寿命进行了探讨,得到了该复合涂层储存寿命大于10 年的初步结论。
赵洪超徐曦王旭利
文献传递
HSP2125型8路I/O信号处理电路抗γ总剂量辐照性能研究
讲述了HSP2125型8路输入/输出信号处理电路的γ总剂量辐照效应的试验方法,并针对其内部电路组成情况,对试验结果进行了分析.
王旭利余彦胤周开明
关键词：信号处理电路辐照效应
文献传递
模数转换器(ADC)抗辐射性能试验测试技术研究
本文介绍了模数转换器(ADC)抗辐射性能试验测试技术的国内外研究现状,以及获得的相关结论。在此基础上提出实时测量模数转换器在辐射环境下工作的动态性能参数来表征器件抗辐射性能的研究思路,同时也提出了对现有模数转换器辐射性能...
王旭利许献国詹峻岭周启明
关键词：模数转换器抗辐射动态参数测试技术
文献传递
抗辐射加固元器件验收方法研究
抗辐射加固元器件的验收方法主要包括抽样方案和统计分布检验方法.本文应用抗辐射加固元器件的辐照试验数据,针对几种抽样方案和统计分布检验方法进行了相关的说明和验证。最终研究结果为制定《抗辐射加固集成电路验收规范》国军标提供了...
余彦胤王旭利
关键词：抗辐射加固集成电路抽样方案统计分布
文献传递
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