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王文樑

作品数：243 被引量：9H指数：2
供职机构：华南理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省重大科技专项国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 224篇专利
  • 13篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 82篇电子电信
  • 7篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 93篇衬底
  • 70篇探测器
  • 36篇光电
  • 34篇非掺杂
  • 31篇SUB
  • 29篇电极
  • 28篇纳米
  • 27篇肖特基
  • 26篇异质结
  • 25篇紫外探测
  • 25篇紫外探测器
  • 22篇外延片
  • 21篇肖特基接触
  • 21篇ALGAN
  • 21篇掺杂
  • 19篇GAN薄膜
  • 18篇带宽
  • 18篇响应度
  • 15篇铝酸锶
  • 14篇多量子阱

机构

  • 243篇华南理工大学
  • 1篇上海空间电源...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇广州市艾佛光...

作者

  • 243篇王文樑
  • 229篇李国强
  • 40篇杨为家
  • 35篇林云昊
  • 33篇刘作莲
  • 20篇周仕忠
  • 18篇陈胜
  • 14篇李媛
  • 10篇林志霆
  • 10篇杨美娟
  • 8篇陈亮
  • 6篇王海燕
  • 5篇高芳亮
  • 1篇刘玫潭
  • 1篇刘平安
  • 1篇李佳
  • 1篇胡星
  • 1篇季小红
  • 1篇张曙光
  • 1篇张子辰

传媒

  • 4篇半导体光电
  • 3篇半导体技术
  • 2篇材料研究与应...
  • 1篇金属世界
  • 1篇材料导报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇当代化工研究

年份

  • 39篇2024
  • 23篇2023
  • 35篇2022
  • 24篇2021
  • 29篇2020
  • 15篇2019
  • 25篇2018
  • 12篇2017
  • 6篇2016
  • 9篇2015
  • 17篇2014
  • 8篇2013
  • 1篇2012
共 243 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种二维氮化镓材料及其制备方法
本发明公开了一种二维氮化镓材料及其制备方法，所述方法包括：以硒化镓粉末为前驱体，采用化学气相沉积法制备二维硒化镓；在氮源中对制备的二维硒化镓进行高温氮化处理，得到二维氮化镓材料。本发明提供的制备方法十分便捷，该方法仅包含...
王文樑江弘胜李国强
生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱及其制备方法
本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括依次生长在铝酸镁钪衬底上的第一GaN缓冲层、非晶态AlN插入层、第二GaN缓冲层、InGaN/GaN量子阱。本发明还公开了上述生长在铝酸镁钪衬底上的InG...
李国强王文樑杨美娟林云昊
文献传递
一种N极性AlGaN-GaN异质结外延结构及其制备方法和应用
本发明公开了一种N极性AlGaN‑GaN异质结外延结构及其制备方法和应用。本发明的N极性AlGaN‑GaN异质结外延结构的制备方法包括以下步骤：1)确定N极性转换层中的掺杂元素种类；2)确定N极性转换层中的掺杂元素浓度；...
王文樑林正梁李国强林廷钧
生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED及其制备方法
本发明属于纳米柱LED制备的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED及其制备方法。所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED包括铝酸锶钽镧衬底，生长在铝酸锶钽镧衬底上的AlN成核层，生长在AlN成核层上的GaN...
李国强王文樑杨美娟
一种MoS<Sub>2</Sub>基量子阱型调制掺杂场效应晶体管
本实用新型属于微电子器件技术领域，公开了一种MoS<Sub>2</Sub>基量子阱型调制掺杂场效应晶体管。MoS<Sub>2</Sub>基量子阱型调制掺杂场效应晶体管自下至上依次包括衬底、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、...
李国强黄烈根王文樑郑昱林
文献传递
一种基于阻挡杂质带MSM型探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于阻挡杂质带MSM型探测器及其制备方法，从上至下依次包括金属受光面电极、钝化层、半导体光吸收层、缓冲层/绝缘层及支撑衬底，所述金属受光面电极下端设置金属‑半导体接触层，所述金属‑半导体接触层被离子掺杂杂...
李国强陈胜王文樑刘红斌柴吉星郑昱林唐鑫孙佩椰
文献传递
生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片及制备方法
本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生...
李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
文献传递
生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器
本实用新型公开了生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器。所述柔性紫外探测器自下至上依次包括柔性衬底、所述柔性衬底上的一对叉指电极、所述叉指电极上方的石墨烯层以及生长在石墨烯层上面的GaN纳米柱阵列。本实用新型...
李国强郑昱林王文樑唐鑫陈胜杨昱辉
文献传递
生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片
本实用新型公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层...
李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
文献传递
一种生长在SiO<Sub>2</Sub>衬底上的二维InGaS纳米材料及其制备方法
本发明公开了一种生长在SiO<Sub>2</Sub>衬底上的二维InGaS纳米材料及其制备方法。所述制备方法包括：用乙醇清洗衬底，用干燥氮气吹净，得到清洗后的衬底；将清洗后的衬底放入CVD设备的玻璃管内，将S粉、In颗粒...
王文樑李国强赖书浩谢欣灵陈德润
文献传递
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