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王则如

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：西安交通大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇离子注入
  • 2篇集成电路
  • 2篇掺杂
  • 1篇热分布
  • 1篇CMOS集成
  • 1篇CMOS集成...

机构

  • 2篇西安交通大学

作者

  • 2篇王则如
  • 2篇林长贵

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 2篇1991
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
离子注入掺杂热再分布的分析计算
1991年
本文对离子注入杂质的热再分布过程提出了两种分析手段:其一是已知热再分布的工艺条件,求解扩散方程得到最终杂质分布的解析结果;其二是已知再分布后杂质分布的边界条件,采用牛顿—拉夫逊,蒙特卡罗计算方法,求得最终杂质浓度分布;并给出了CMOS 集成电路中离子注入p 阱的计算结果.
林长贵王则如黄宗林
关键词：CMOS集成电路离子注入掺杂
全文增补中
离子注入掺杂热再分布的理论分析
1991年
本文对离子注入搀杂杂质分布的热再分布过程提出了两种分析手段。其一是已知热再分布的具体过程,通过求解扩散方程得到了杂质最终分布的解析解;其二是已知热再分布最终杂质分布的某个边界条件,本文提出了有效杂质总量守恒模型,并采用牛顿-拉夫逊,或蒙特卡罗计算机数值方法,可求得最终的杂质分布。文中最后给出了CMOS工艺中离子注入P阱的计算结果。
林长贵王则如黄宗林
关键词：离子注入掺杂热分布集成电路
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共1页<1>
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