毛明春
- 作品数：7 被引量：8H指数：1
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Si(001)上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sb的作用的研究
- 1997年
- 本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生的影响．研究表明，Sb的引入将会使Si（001）衬底上无定形Ge膜的晶化温度显著提高，并在一定的生长条件下，破坏Ge外延层的结晶性．
- 徐阿妹朱海军毛明春蒋最敏卢学坤胡际璜张翔九
- 关键词：半导体砷化镓硅
- 自组织生长的锗量子点及其光致发光特性被引量：8
- 1998年
- Si和Ge低维体系材料由于其优越的光电特性,已经广泛地受到人们的重视,尤其是零维体系(量子点).理论预言,量子点尺寸减少到几个纳米时,它的能带结构可以从间接带隙转变为准直接带隙,相应的辐射复合跃迁几率大大增加.制备Ge及GeSi量子点的方法有许多,例如,光刻法、选区外延生长、局域分子束外延生长以及自组织生长方法等,其中自组织生长是一种既简便又有效的方法.由于Ge与Si的晶格常数相差较大,Ge在Si上的生长属于S-K模式,即当Ge外延层厚度超过临界厚度(6 ML)时。
- 朱海军蒋最敏徐阿妹毛明春胡冬枝黄大鸣陆昉胡长武粕谷厚生
- 关键词：量子点光致发光自组织生长锗
- 硅中δ掺杂材料的表征
- 1997年
- 利用低温生长技术抑制Ｓｂ偏析，实现了Ｓｂ的δ掺杂。同步辐射Ｘ射线反射率测量表明Ｓｂ被限制在很窄的范围，约２个原子面内。基于量子阱可作为一个“大陷阱”的概念，测量了ｐ型Ｂδ掺杂材料的深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ），得到δ掺杂量子阱的子能级位置。
- 蒋最敏朱海军朱建红毛明春徐阿妹胡冬枝张翔九王迅
- 关键词：硅Δ掺杂
- 高性能Si_(1-x)Ge_x/Si异质结内光电子发射红外探测器
- 1998年
- 利用Si分子束外延技术,及硅平面器件工艺,制作了工作温度大于液氮温度的SiGe/Si异质结内光电子发射红外探测器。探测器的黑体探测率在77K时达到1.2×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。文中对SiGe/Si异质结的电流电压特性,反向饱和电流与温度的关系,探测器的光谱响应等都作了较为详细的讨论。
- 毛明春张翔九胡际璜蒋最敏朱海军孙燕青王迅盛伯苓
- 关键词：异质结红外探测器
- 硅中δ掺杂材料的表征
- 利用低温生长技术抑制 Sb 偏析,实现了 Sb 的δ掺杂。同步辐射 X 射线反射率测量表明 Sb 被限制在很窄的范围,约2个原子面内。基于量子阱可作为一个“大陷阱”的概念,测量了 p 型 B δ掺杂材料的深能级瞬态谱（D...
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- 文献传递
- X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响
- 1997年
- 利用原位的反射式高能电子衍射和非原位的Ｘ射线衍射技术，研究了活化剂Ｓｂ对于Ｇｅ在Ｓｉ上外延过程的影响．当没有活化剂、Ｇｅ层厚度为６ｎｍ时，外延Ｇｅ层形成岛状，应力完全释放．当有Ｓｂ时、Ｇｅ在Ｓｉ上的生长是二维的，并且应力释放是缓慢的，即使Ｇｅ外延层厚为６ｎｍ，仍有４２％的应变没有弛豫．
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- 关键词：X射线衍射
- Si局域分子束外延技术
- 1998年
- 利用局域分子束外延技术生长了含有SiGe量子阱的岛状结构。实现了生长的岛状结构侧面不与掩模材料相接触。这种含有量子阱的岛状结构具有比相同结构量子阱强20多倍的光致发光强度。
- 朱海军蒋最敏徐阿妹毛明春卢学坤刘晓晗黄大鸣
- 关键词：掩模
