李绪诚
- 作品数：37 被引量：83H指数：6
- 供职机构：贵州大学更多>>
- 发文基金：贵州省科技计划项目贵阳市科学技术计划项目贵州省科学技术基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术文化科学更多>>
- MgB_2超导体的相图及其对薄膜制备的指导作用
- 2012年
- MgB2适合于制备约瑟夫森结,在超导电子学领域有很好的应用前景。制备高质量的MgB2薄膜至关重要,应用Mg-B/Mg-B-O体系的相图指导MgB2薄膜生长意义重大。总结MgB2相体系及相关系,详细对比分析Mg-B/Mg-B-O体系的热力学相图,总结分析富氧区杂项MgO的生成机理及其对MgB2薄膜质量和性能的影响,研究分析有氧体系下Mg-B/Mg-B-O热力学相图对MgB2薄膜材料制备生长的指导意义,探讨HPCVD环境下采用原位生长技术制备MgB2超导薄膜时热力学相图的指导作用及相关制备工艺。
- 汪怀蓉李良荣张荣芬李绪诚虞苏青
- 关键词：MGB2超导体相图
- 推挽对称输出的一种热疏导电路
- 2008年
- 功率集成电路的功率密度越来越高,发热问题越来越严重,为现代传热技术在电子冷却领域的应用提出了新的课题。论文分析了半导体器件的温度特性,提出了一种通过电路自身的特性来测量基片温度,并利用电路结构进行散热的热疏导电路结构,提高了大功率电路系统的集成度及散热效率。
- 庞增俊刘桥龙飞李绪诚
- 关键词：功率输出级
- 助熔剂对Ca_(0.98)Bi_2Ta_2O_9:0.02Pr^(3+)发光性能的影响被引量：2
- 2013年
- 采用传统高温固相反应法制备了Pr3+离子掺杂的铋层结构铁电氧化物Ca0.98Pr0.02Bi2Ta2O9(CBTO:Pr3+)荧光粉。利用X射线衍射、荧光光谱等研究了分别添加四种不同助熔剂(H3BO3,NH4F,CaCl2或CaF2)对CBTO:Pr3+粉体的晶体结构、发光强度的影响。结果表明,与未加助熔剂的样品相比,H3BO3,NH4F,CaCl2或CaF2的添加量为5%(摩尔分数)时,CBTO:Pr3+的发光强度分别提高了63%,43%,43%和29%;助熔剂的添加量为10%时,发光强度分别提高了186%,10%,13%和31%。随着H3BO3添加量的增加,CBTO:Pr3+的发光强度先增强后降低,在添加量为10%时,发光强度最大。样品温度特性测试表明CBTO:Pr3+粉体的热稳定性需要进一步改善。
- 吴莘崔瑞瑞李绪诚李良荣邓朝勇
- 关键词：助熔剂固相烧结法稀土
- CaSi_2O_2N_2：Ce^(3＋)/Eu^(2＋)荧光粉的发光性能研究被引量：3
- 2015年
- 采用高温固相反应法制备了CaSi2O2N2:Ce3+/Eu2+荧光粉,研究了分别掺杂Ce3+、Eu2+及Ce3+/Eu2+共掺杂时荧光粉的发光特性。CaSi2O2N2:Ce3+在333nm激发下得到宽波段的发射谱,发射峰位于395nm,随着Ce3+浓度的增大,发射波长出现明显的红移,猝灭浓度为1 mol%。CaSi2O2N2:Eu2+在397nm激发下得到峰值位于540nm处的宽波段发射谱,猝灭浓度为1 mol%。对于Ca0.99-2 xSi2O2N2:xCe3+,xLi+,0.01Eu2+荧光粉,在333nm激发下,位于395nm处的发射峰十分微弱,在540nm处有宽带发射,随着Ce3+浓度增大,位于540nm处的Eu2+的特征发射显著增强。对于Ca0.98-ySi2O2N2:0.01Ce3+,0.01Li+,yEu2+荧光粉,在激发光波长为333nm,Eu2+浓度较低时,可以观察到两个发射带,峰值分别位于395nm及540nm,随着Eu2+浓度增加,位于395nm的发射强度一直减小,而540nm处的发射强度先增加后减小,猝灭浓度为0.4mol%。证实了Ce3+,Eu2+之间发生了有效的能量传递。计算出Ce3+、Eu2+之间能量传递的效率ηT,在Eu2+浓度为1 mol%时ηT趋于饱和,达到97.7%。通过计算,得到Ce3+与Eu2+之间的能量传递方式为电偶极-电偶极相互作用。
- 罗思远李绪诚崔瑞瑞邓朝勇
- 关键词：荧光粉稀土
- 开放式电子技术教学方案研究与实施被引量：9
- 2012年
- 以培养"综合型、设计型、创新型"人才为主线,讨论了开放式电子技术教学方案,以及开放式实验的项目设置、项目开发、项目管理、学分管理等,目标是激励学生的学习积极性、教师项目开发及实验指导的积极性,总结了开放式实验教学急需解决的几个问题。
- 潘正坤李良荣邓朝勇李绪诚张荣芬
- 关键词：电子技术
- 大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法
- 本发明公开了一种大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法。其大功率倒装阵列LED芯片结构为：阵列LED芯片是由多个阵列单元构成阵列，其中相邻阵列单元都共用一个n型缓冲层（3）；所述阵列单元是蓝宝石衬底（2）上方依次覆盖n型缓...
- 邓朝勇杨利忠李绪诚张荣芬许铖
- 文献传递
- BaO-MgO二元系相图优化计算研究
- 2011年
- 在对BaO-MgO二元系热力学数据评估的基础上,采用Thermo-Calc软件对该体系相图进行优化计算。采用规则溶液模型,获得了较完整的BaO-MgO二元系相图和该体系较完整的热力学数据。还对该二元系的混合焓及组元活度进行了讨论。通过与实验数据进行比较,在富BaO端与实验结果基本吻合;在富MgO端,采用了最新的MgO熔点温度,获得了更加合理的液相线。
- 徐慧马凯英张荣芬李绪诚丁召邓朝勇
- 关键词：相图热力学优化吉布斯自由能
- 大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法
- 本发明公开了一种大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法。其大功率倒装阵列LED芯片结构为：阵列LED芯片是由多个阵列单元构成阵列，其中相邻阵列单元都共用一个n型缓冲层（3）；所述阵列单元是蓝宝石衬底（2）上方依次覆盖n型缓...
- 邓朝勇杨利忠李绪诚张荣芬许铖
- 超导MgB_2掺杂及薄膜制备研究进展
- 2012年
- 综述了MgB2超导体近期的研究成果,介绍了MgB2的电子结构和超导性质以及化学掺杂对MgB2超导性质的影响,认为通过掺杂可以提高MgB2超导材料在高场下的Jc,少量的SiC掺杂可以得到目前最优异的Jc。讨论了制备MgB2超导薄膜的各种方法,发现HPCVD法制备MgB2超导薄膜有巨大的发展空间,并展望了MgB2超导体的应用前景。
- 王洪伟张松崔瑞瑞李绪诚张荣芬邓朝勇
- 关键词：MGB2电子结构超导性质
- 基于FPGA快速二维DCT图像编码结构被引量：1
- 2012年
- 本文提出了一种二维DCT快速算法的FPGA实现结构,采用行列分解算法将二维DCT分解成两个一维DCT和一个转置缓冲器组成的结构,其中一维DCT借鉴Arai DCT算法,并采取了FPGA特有的并行的流水线技术,该结构极大减少了加法器和乘法器的数量,节省了计算时间。该结构的特点是高数据吞吐率、硬件资源消耗少,功耗低。实验结果证明了二维DCT核设计的正确性,适合图像的实时处理。
- 龙飞李良荣李绪诚
- 关键词：硬件结构
