李清华
- 作品数:8 被引量:0H指数:0
- 供职机构:深圳大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金深圳市科技计划项目教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域:理学文化科学一般工业技术电子电信更多>>
- 退火对Co掺杂ZnO薄膜电磁性能的影响
- 2008年
- 采用磁控溅射技术,制备了Co掺杂ZnO薄膜,然后将样品分别在O2和N2气氛下以不同的温度进行退火处理;用X射线衍射图分析薄膜的结构,采用四探针法测量薄膜的方块电阻,利用振动样品磁强计测量薄膜的磁性能。结果表明,样品在退火温度较低(<300℃)时,电阻稍有下降;当温度升高到400℃时,电阻大幅度上升,而且O2气氛下退火比N2下升高幅度大得多。同一温度下,样品在O2气氛下退火的最大磁化强度比在N2气氛下退火的要低;同一退火气氛下,样品的最大磁化强度随退火温度的升高而降低,这是由于不同气氛和温度下退火时,薄膜中氧空位浓度发生变化,从而导致其电磁性能的差异。
- 陈吉星朱德亮李清华马晓翠贾芳曹培江吕有明
- 关键词:磁控溅射退火铁磁性电磁性能
- 高方阻AZO透明导电薄膜的制备和光电特性
- 2008年
- 采用磁控溅射法,在Si和玻璃基片上制备了AZO(ZnO∶Al)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪、紫外/可见光分光光度计、荧光光谱仪和四极探针等仪器,研究了Al质量分数对薄膜的微观结构和光电特性的影响。研究结果表明,AZO薄膜为纤锌矿结构且呈c轴择优取向,随着Al质量分数的增加,(002)衍射峰强度逐渐减弱;在掺Al质量分数小于4%时,薄膜在可见光范围内的平均透射率大于80%,方块电阻最小值达到514Ω/□,热稳定性小于20%;在室温下,观察到近带边发光峰和绿光发光带。
- 叶家聪李清华贾芳朱德亮曹培江吕有明马晓翠
- 关键词:AZO薄膜光电特性
- Pr_(0.5)Ca_(0.5)MnO_3中A位La^(3+)替代导致磁化强度跳变
- 2008年
- 用大尺寸La3+部分替代Pa3+,制备出多晶体系Pr0.5-xLaxCa0.5MnO3,研究该体系的磁学性质.对样品进行磁化强度测量,低温下(2.5K)由反铁磁向铁磁转变时呈现出阶梯状跳变.随着替代量x值增加,出现第一个阶梯状跳变的临界磁场逐渐减小,样品的磁化强度逐渐增大.与Ba2+或Sr2+对A位Ca2+的替代结果相比可知,在导致磁化强度阶梯状跳变和场致铁磁性的能力上,Ba2+替代的能力大于Sr2+,Sr2+的能力大于La3+.利用建立在相分离基础上的类马氏体相变模型,上述实验结果可得到较合理的解释.
- 朱德亮谭小安马晓翠曹培江李清华
- 中国动画的原创造型设计研究
- 李清华
- 关键词:原创民族性
- 掺杂ZnO薄膜的制备及其光、电、磁特性研究
- 李清华
- 关键词:透明导电薄膜稀磁半导体氧空位铁磁性
- 高方阻AZO透明导电薄膜的制备和光电特性
- 采用磁控溅射法,在Si和玻璃基片上制备了AZO(ZnO:Al)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪、紫外/可见光分光光度计、荧光光谱仪和四极探针等仪器,研究了Al质量分数对薄膜的微观结构和光电特性的影响。研究结果表明,AZO薄...
- 叶家聪李清华贾芳朱德亮曹培江吕有明马晓翠
- 关键词:AZO薄膜光电特性
- 文献传递
- 一种磁控溅射掺杂ZnO基薄膜的制备方法
- 本发明提供了一种磁控溅射掺杂生长ZnO基薄膜的制备方法,包括步骤:将衬底放置在磁控溅射装置的反应室内,反应室抽真空至压力低于1×10<Sup>-4</Sup>Pa;分别将ZnO靶材和掺杂源元素靶材放置在反应室转盘上的射频...
- 马晓翠吕有明柳文军曹培江朱德亮贾芳黄保李清华盛国浩叶家聪向恢复
- 文献传递
- 退火对Co掺杂ZnO薄膜电磁性能的影响
- 采用磁控溅射技术,制备了Co掺杂ZnO薄膜,然后将样品分别在O和N气氛下以不同的温度进行退火处理;用X射线衍射图分析薄膜的结构,采用四探针法测量薄膜的方块电阻,利用振动样品磁强计测量薄膜的磁性能。结果表明,样品在退火温度...
- 陈吉星朱德亮李清华马晓翠贾芳曹培江吕有明
- 关键词:磁控溅射退火铁磁性电磁性能
- 文献传递