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李晓良
作品数:
14
被引量:4
H指数:1
供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
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合作作者
于广辉
中国科学院上海微系统与信息技术...
张浩然
中国科学院上海微系统与信息技术...
张燕辉
中国科学院上海微系统与信息技术...
隋妍萍
中国科学院上海微系统与信息技术...
陈志蓥
中国科学院上海微系统与信息技术...
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机构
14篇
中国科学院
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上海大学
作者
14篇
李晓良
13篇
于广辉
10篇
陈志蓥
10篇
隋妍萍
10篇
张燕辉
10篇
张浩然
8篇
王斌
4篇
朱博
3篇
李爱珍
3篇
林朝通
3篇
王新中
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2014
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一种提高石墨烯表面洁净度的湿法腐蚀化学转移法
本发明涉及一种提高石墨烯表面洁净度的湿法腐蚀化学转移法,其特征在于包括先在金属衬底和石墨烯的结合体上沉积一层金属,在金属上表面涂一层有机胶体,然后放到腐蚀液中,得到有机胶体、金属层和石墨烯层的结合体,再将三者的结合体转移...
陈志蓥
于广辉
张燕辉
隋妍萍
张浩然
张亚欠
汤春苗
朱博
李晓良
文献传递
一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法
本发明提供一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法,至少包括以下步骤:1)提供一长有化学气相沉积(CVD)石墨烯的铜衬底,所述石墨烯中具有皱褶区域;2)将长有石墨烯的铜衬底置于氧化气氛中进行氧化,皱褶区域下方的铜衬底会被优...
张燕辉
于广辉
陈志蓥
王斌
隋妍萍
张浩然
张亚欠
李晓良
文献传递
一种通过无损掺杂提高石墨烯迁移率的方法
本发明涉及一种通过无损掺杂提高石墨烯迁移率的方法,包括:配制水合肼溶液,然后将石墨烯样品放入水合肼溶液中1min-12h,取出后吹干,得到无损掺杂石墨烯。本发明重复性高、简单易行,可以大批量修饰石墨烯薄膜,而且对石墨烯薄...
陈志蓥
于广辉
张燕辉
隋妍萍
王斌
张浩然
张亚欠
李晓良
文献传递
一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法
本发明涉及一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法,其特征在于采用了带有钝化层超大纳米孔径GaN作为厚膜的模板。在生长厚膜GaN之前,在(0001)面蓝宝石衬底上,沉积一层GaN薄膜,然后在其上蒸发一层金属Al,再采用...
王新中
于广辉
林朝通
曹明霞
卢海峰
李晓良
巩航
齐鸣
李爱珍
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一种石墨烯的表征方法
本发明提供一种石墨烯的表征方法,至少包括以下步骤:提供一形成于衬底上的石墨烯,将所述石墨烯连同其下的衬底一起放入腐蚀性溶液中浸泡预设时间,然后取出所述石墨烯及所述衬底,将所述衬底放置于显微镜下,观测所述衬底上石墨烯的表面...
张燕辉
于广辉
陈志蓥
王斌
隋妍萍
张浩然
张亚欠
李晓良
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HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法
本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中使用的纳米多孔材料衬底及其制备方法,其特征在于采用复合纳米多孔材料作为厚膜GaN外延生长的衬底,改善晶体质量,同时方便衬底的剥离。先在以Si为衬底的GaN模板上...
于广辉
王新中
林朝通
曹明霞
卢海峰
李晓良
巩航
齐鸣
李爱珍
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一种提高石墨烯表面洁净度的湿法腐蚀化学转移法
本发明涉及一种提高石墨烯表面洁净度的湿法腐蚀化学转移法,其特征在于包括先在金属衬底和石墨烯的结合体上沉积一层金属,在金属上表面涂一层有机胶体,然后放到腐蚀液中,得到有机胶体、金属层和石墨烯层的结合体,再将三者的结合体转移...
陈志蓥
于广辉
张燕辉
隋妍萍
张浩然
张亚欠
汤春苗
朱博
李晓良
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一种CVD石墨烯薄膜区域择优选取的方法
本发明提供一种化学气相沉积法(CVD)石墨烯薄膜区域择优选取的方法,包括以下步骤:1)提供一长有CVD石墨烯的金属衬底;2)将长有石墨烯的生长衬底置于反应腔中,并于保护气体气氛中将所述生长衬底加热至预设温度;3)通入反应...
张燕辉
于广辉
陈志蓥
王斌
隋妍萍
张浩然
张亚欠
李晓良
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一种辨别石墨烯连续膜完整性的方法
本发明涉及一种辨别石墨烯连续膜完整性的方法,包括:在金属催化衬底和石墨烯膜的结合体上涂一层有机胶体,然后放入腐蚀液中,得到有机胶体层和石墨烯膜的结合体;将上述有机胶体层和石墨烯膜的结合体放入去离子水中漂洗然后静置,观察,...
陈志蓥
于广辉
张燕辉
隋妍萍
王斌
张浩然
张亚欠
汤春苗
朱博
李晓良
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一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法
本发明提供一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法,至少包括以下步骤:1)提供一长有化学气相沉积(CVD)石墨烯的铜衬底,所述石墨烯中具有皱褶区域;2)将长有石墨烯的铜衬底置于氧化气氛中进行氧化,皱褶区域下方的铜衬底会被优...
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