曹峻松
- 作品数：9 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 在微波、臭氧环境下ITO玻璃的处理方法与装置
- 一种在微波、臭氧环境下ITO玻璃的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一微波炉；步骤2：将样品放置在微波炉的炉体内；步骤3：在微波炉的炉体内置放一玻璃真空灯管架；步骤4：将内含稀薄汞蒸气的石英管放在玻璃真空灯管...
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- 多晶GaAs薄膜的生长及有机GaAs复合发光器件
- 研究了在无定型衬底上采用MBE手段生长的GaAs薄膜.在玻璃衬底上,400℃直接生长的GaAs薄膜为无定型态,但经过2个小时的原位恒温(400℃)处理后,无定型态GaAs薄膜变成多晶态,其形态结构与在石英衬底上600℃时...
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- 用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备
- 本发明一种用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备，其特征在于，沉积设备包括：一有机材料生长室，该生长室位于设备的一侧；一无机材料生长室，该生长室一端与有机材料生长室相连；一进样室，该进样室位于无机材料生长室的另一端；...
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- 用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备
- 本发明一种用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备，其特征在于，沉积设备包括：一有机材料生长室，该生长室位于设备的一侧；一无机材料生长室，该生长室一端与有机材料生长室相连；一进样室，该进样室位于无机材料生长室的另一端；...
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- Si衬底上侧向外延生长GaN的研究被引量：3
- 2015年
- 采用条形Al掩模在Si(111)衬底上进行了GaN薄膜侧向外延的研究。结果显示,当掩模条垂直于Si衬底[11-2]方向,也即GaN[10-10]方向时,GaN无法通过侧向生长合并得到表面平整的薄膜;当掩模条平行于Si衬底[11-2]方向,也即GaN[10-10]方向时,GaN侧向外延速度较快,有利于合并得到平整的薄膜。同时,研究表明,升高温度和降低生长气压都有利于侧向生长。通过优化生长工艺,在条形Al掩模Si(111)衬底上得到了连续完整的GaN薄膜。原子力显微镜测试显示,窗口区域生长的GaN薄膜位错密度约为1×109/cm2,而侧向生长的GaN薄膜位错密度降低到了5×107/cm2以下。
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- 关键词：氮化镓硅MOCVD
- 一种有机电致发光二极管
- 本发明是一种采用活泼金属掺杂有机空穴注入材料作为电子注入层的有机发光二极管。本发明所涉及的有机发光二极管结构为一个透明阳极、一个有机空穴注入层、一个有机空穴传输层、一个有机发光层、一个有机电子注入层以及一个阴极106组成...
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- 一种基于多晶镓砷薄膜的有机无机复合太阳能电池
- 本发明是一种基于多晶镓砷薄膜的有机无机复合太阳能电池。包括：一沉积在玻璃衬底上的透明阳极(101)；一沉积在阳极上的多晶镓砷薄膜(102)；一沉积在多晶镓砷薄膜层上的有机电子受体层(103)；一沉积在有机电子受体层上的电...
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- 一种有机材料升华提纯装置
- 本发明一种用于对有机材料进行提纯的升华提纯装置，提纯装置包括：一支撑架，该支撑架包括一台面，台面上纵向有一滑道；一真空部分，该真空部分位于支撑架台面的一侧；一加热炉，该加热炉位于支撑架台面上方的滑道上；一提纯部分，该提纯...
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- 共升华可控掺杂有机薄膜在有机电致发光器件中的应用和研究
- 有机电致发光是一种新兴的平板显示技术。当今的研究主要集中在如何进一步提高有机发光二极管的注入效率、平衡器件的电子-空穴注入和提高器件稳定性等方面。采用升华共掺杂技术制备新型的n型和p型掺杂薄膜是提高有机电致发光器件性能的...
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