徐亚东
- 作品数：104 被引量：73H指数：5
- 供职机构：西北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术金属学及工艺更多>>
- 一种用于提纯溶液法生长钙钛矿晶体所用原料的方法
- 本发明提供了一种用于提纯溶液法生长钙钛矿晶体所用原料的方法，解决当前采用溶液法生长钙钛矿单晶时，由于采用普通商业级PbBr<Sub>2</Sub>原料的纯度较低(99％)，导致生长得到的钙钛矿单晶杂质浓度较高的不足之处。...
- 徐亚东白蕊沉王方宝张滨滨
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- 制备大体积碲锌镉单晶的方法
- 本发明公开了一种制备大体积碲锌镉单晶的方法，步骤如下：选择高熔点CZT单晶制作极性籽晶<111>或<211>；给石英安瓿内壁镀碳膜，将所述籽晶放入安瓿底部的籽晶袋中，籽晶的引晶生长面朝上，再放入低...
- 介万奇徐亚东王涛华慧刘伟华
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- Cs_(3)Bi_(2)I_(9)晶体的生长及辐射探测性能被引量：1
- 2021年
- 采用布里奇曼法成功制备出大尺寸(Φ15 mm×50 mm)、高质量的全无机金属卤化物类钙钛矿Cs_(3)Bi_(2)I_(9)单晶。室温下,该晶体属于六方晶系,空间群为P63/mmc,密度为5.07 g/cm3,晶胞参数为a=b=0.840 nm,c=2.107 nm,熔点为632℃。采用粉末X射线衍射谱、紫外-可见-近红外漫反射光谱、I-V测试等表征该晶体的性质。制备Au/Cs_(3)Bi_(2)I_(9)/Au三明治型器件结构,采用飞行时间技术测试Cs_(3)Bi_(2)I_(9)晶体的载流子迁移率,得到Cs_(3)Bi_(2)I_(9)晶体的电子迁移率为4.33 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。根据Hecht单载流子方程拟合得到Cs_(3)Bi_(2)I_(9)晶体的载流子迁移率寿命积(μτ)为8.21×10^(-5)cm^(2)·V^(-1),并且在500 V偏压下对α粒子的能量分辨率达到39%。
- 孙啟皓郝莹莹张鑫肖宝介万奇徐亚东
- 关键词：晶体生长布里奇曼法
- 太赫兹产生与探测用碲化锌基电光晶体的制备技术
- 介万奇徐亚东李焕勇王涛张滨滨刘长
- 该项目属于材料科学技术领域人工晶体材料制备方向。项目开发出了太赫兹(THz)产生与探测用碲化锌(ZnTe)基电光晶体的生长技术，并实现了应用。
THz波是频率范围在0.1～10THz(波长范围3mm～30μm)，介于红...
- 关键词：
- 关键词：人工晶体材料
- CdZnTe平面探测器对低能X/γ射线的光谱响应被引量：6
- 2009年
- 基于3片不同条件下生长的CdZnTe晶片制备出平面电极(Planar)探测器CZT1、CZT2及CZT3。分析室温下3个探测器在不同场强作用下对低能X/γ射线的光谱响应,并结合相应晶体材料的载流子迁移特性和掺杂剂的浓度以及存在状态,归纳影响探测器分辨率的原因。掺杂In浓度高的探测器CZT1,由于材料中存在的深能级缺陷Cdi2+,作为电子的俘获中心,影响了载流子的收集效率,进而降低了探测器的能量分辨率;掺杂In浓度低的探测器CZT2对不同能量X/γ射线均具有较好的能量分辨率;而Al掺杂探测器CZT3,由于Al间隙原子Ali的存在作为电子的散射中心,最终影响了收集效率及能量分辨率。
- 徐亚东介万奇查刚强高俊宁王涛傅莉Paul Sellin
- 关键词：能量分辨率散射
- 静电喷涂装置及采用该静电喷涂装置制备大面积薄膜的方法
- 本发明提供了一种静电喷涂装置及采用该静电喷涂装置制备大面积薄膜的方法，解决现有静电喷涂装置结构复杂、喷涂范围有限且效率低的问题。一种静电喷涂装置，用于在待喷涂衬底上制备大面积薄膜，包括喷涂单元、高压发生单元、加热单元以及...
- 徐亚东郭珺介万奇
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- CdZnTe晶体光致发光谱“负热淬灭”现象研究被引量：2
- 2010年
- 采用改进的垂直布里奇曼法生长了直径为60mm的CdZnTe晶体,测试了其在10K～150K范围的PL谱。对760nm和825nm处的峰积分强度随温度变化关系进行研究发现,在30～50K范围内,PL谱峰的强度呈现反常温度依赖现象,即随着温度的升高而减小,也就是所谓的"负热淬灭"现象,这在CdZnTe晶体中属首次观察到。进一步分析表明,随着温度的增加,其PL谱强度变化的过程包含了三个无辐射过程和一个负热淬灭过程。与没有发生"负热淬灭"现象的CdZnTe晶体对比,两者XRD图谱呈现明显差异。讨论了发生负热淬灭现象的原因以及可能路径。
- 王涛俞鹏飞徐亚东查钢强傅莉介万奇
- 关键词：CDZNTEPL谱
- 碲锌镉晶体的移动循环退火改性方法
- 本发明公开了一种碲锌镉晶体的移动循环退火改性方法，用于解决现有碲锌镉晶体的退火方法消除10μm以下的小夹杂相效果差的技术问题。技术方案是采用移动循环退火，即通过外界装置移动退火管使其交替处于退火炉高温和低温端的热处理工艺...
- 徐亚东贾宁波谷亚旭符旭董江鹏姬磊磊介万奇
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- 载流子输运性能对CdZnTe晶体脉冲X射线响应特性的影响被引量：3
- 2014年
- 采用生长态高电阻CdZnTe晶体制备出平面电极探测器,室温下测试了其在脉冲X射线作用下的诱导电流曲线。分析了脉冲电流的上升时间以及脉冲衰减过程,发现脉冲上升时间约为2 ns,且不受外加偏压影响,而脉冲衰减过程可分为3阶段。利用α粒子结合飞行时间技术研究了CdZnTe晶体的载流子传输特性,分析了结构缺陷的散射和俘获-佉俘获对载流子传输特性的影响。同时对比了不同厚度的CdZnTe探测器在不同电压下对脉冲X射线的响应特性。结果表明,当外加电场强度增加时,诱导脉冲电流曲线的半峰宽呈指数衰减,但当探测器厚度大于0.2 mm时,随着探测器厚度的增加变化不明显。可能是由于材料中结构缺陷的浓度增加,对载流子的俘获和散射作用加剧,严重影响了载流子的传输过程和复合时间。
- 徐亚东王昌盛谷亚旭郭榕榕苏春磊介万奇
- 关键词：CDZNTE载流子俘获中心
- 有机无机杂化卤化物钙钛矿半导体晶体的抛光方法
- 本发明公开了一种有机无机杂化卤化物钙钛矿半导体晶体的抛光方法，用于解决现有半导体晶体抛光方法实用性差的技术问题。技术方案是将橡胶垫平铺于两个抛光盘上；将从溶液法长出的MAPbBr<Sub>3</Sub>晶体放在第一个抛光...
- 徐亚东刘欣张滨滨李乐琪张洪健介万奇
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