张晓伟
- 作品数：4 被引量：34H指数：2
- 供职机构：中南大学资源加工与生物工程学院更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家大学生创新性实验计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 多孔硅发光材料研究进展被引量：1
- 2008年
- 综述了多孔硅的制备方法、形成机理和多孔硅的光致发光机制,以及为改善多孔硅的发光特性而采取的一些措施,最后概述了多孔硅发光材料的应用。
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- 关键词：多孔硅光致发光
- P型单晶硅片在KOH溶液中腐蚀行为的电化学研究被引量：4
- 2008年
- 采用电化学极化测量技术研究了p（100）和p（111）硅片在碱性KOH溶液中的腐蚀行为，考察了KOH溶液浓度、温度和硅片表面缝隙等因素对腐蚀行为的影响。结果表明：在室温下当KOH浓度为5～6mol／L时硅片腐蚀速率最大；随着KOH腐蚀液温度增加，腐蚀速率增大，在50℃左右腐蚀速率增加显著；硅片表面缝隙会加剧硅的局部腐蚀，在同等实验条件下缝隙腐蚀速率比均匀腐蚀快一个数量级。
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- 关键词：极化曲线
- P型单晶硅片在KOH溶液中腐蚀行为的电化学研究
- 采用电化学极化测量技术研究了p(100)和p(111)硅片在碱性KOH溶液中的腐蚀行为,考察了KOH溶液浓度、温度和硅片表面缝隙等因素对腐蚀行为的影响.结果表明:在室温下当KOH浓度为5～6 mol/L时硅片腐蚀速率最大...
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- 文献传递
- 纳米SiO_2浆料中半导体硅片的化学机械抛光速率及抛光机理被引量：29
- 2008年
- 采用电化学方法,研究了SiO2浆料pH值、H2O2浓度、固体含量以及抛光转速、压力和时间等不同抛光工艺参数对n型半导体单晶硅片(100)和(111)晶面化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)去除速率的影响和作用机理。结果表明:抛光速率随SiO2固体含量、抛光转速及压力的增加而增大,随抛光时间的增加而减小;在pH值为10.5和H2O2为1%(体积分数)时,抛光速率出现最大值;相同抛光工艺条件下(100)晶面的抛光速率远大于(111)晶面。半导体硅片CMP过程是按照成膜(化学腐蚀作用)→去膜(机械磨削作用)→再成膜→再去膜的方式进行,直到最终全局平坦化。实验所获得适合n型半导体硅片CMP的优化工艺参数为:5%～10%SiO2(质量分数),pH=10.5,1%H2O2,压力为40kPa及(110)晶面和(111)晶面的抛光转速分别为100r/min和200r/min;在该条件下10%SiO2浆料中抛光30min得到的抛光硅片的表面粗糙度为0.7nm左右。
- 宋晓岚刘宏燕杨海平张晓伟徐大余邱冠周
- 关键词：化学机械抛光单晶硅片抛光速率
