宗思邈
- 作品数：5 被引量：15H指数：3
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 磨料和H_2O_2对InSb CMP效果影响的研究被引量：5
- 2008年
- InSb由于硬度低、脆性大等特性,其材料表面的精密加工水平成为制约器件性能进一步提高的重要因素。采用化学机械抛光(CMP)技术对InSb进行表面加工,分析了CMP过程中抛光液的磨料质量分数和氧化剂含量对InSb的CMP效果的影响规律,实验研究了磨料和氧化剂(H2O2)的优化配比参数,并在此参数下,获得了良好的抛光表面。
- 张伟刘玉岭孙薇唐文栋宗思邈李咸珍侯丽辉
- 关键词：锑化铟磨料双氧水化学机械抛光
- 蓝宝石衬底材料CMP去除速率的影响因素被引量：5
- 2009年
- 阐述了蓝宝石衬底应用的发展前景及加工中存在的问题,分析了蓝宝石衬底化学机械抛光过程中pH值、压力、温度、流量、抛光布等参数对去除速率的影响。提出了采用小流量快启动的方法迅速提高CMP温度,在化学作用和机械作用相匹配时(即高pH值、大流量或低pH值,小流量)可得到较高去除速率,且前者速率高于后者。实验采用nm级SiO2溶胶为磨料的碱性抛光液,使用强碱KOH作为pH调节剂,并加入了适当的表面活性剂及螯合剂等。工艺参数为压力0.18MPa、温度45℃、转速60r/min,采用Rodel-suba 600抛光布,在保证表面质量的同时得到的最大去除速率为11.35μm/h。
- 宗思邈刘玉岭牛新环李咸珍张伟
- 关键词：化学机械抛光蓝宝石衬底去除速率
- 影响微晶玻璃CMP速率主要因素的研究被引量：4
- 2008年
- 介绍了微晶玻璃及其化学机械抛光工艺,对其抛光机理进行了理论分析,重点对影响抛光速率和抛光质量的工艺参数转速、压力、流速作了详细的研究讨论,定量确定了最佳CMP工艺参数。在抛光液中加入了FA/OⅠ型活性剂以保护SiO2胶粒的双电子层结构。通过实验比较了在SiO2磨料碱性抛光液中加入CeO2对抛光速率的影响,得出了适合微晶玻璃晶片抛光的外界条件。在常温条件下工艺参数为转速60r/min、压力0.22MPa和流速210mL/min时,能够取得较高的抛光速率和较好的表面质量。
- 李咸珍刘玉岭宗思邈张伟江焱
- 关键词：化学机械抛光微晶玻璃氧化铈
- 蓝宝石衬底抛光速率的研究
- 蓝宝石因其具有良好的光学特性和机械特性，在微电子领域得到越来越广泛的作用，作为重要的衬底材料，需要高质量衬底表面状态。因此，在保证优质表面质量同时必须提高生产效率，降低生产成本。化学机械抛光技术可实现低成本、高速率的表面...
- 宗思邈
- 关键词：蓝宝石衬底抛光速率化学机械抛光
- 文献传递
- 温度对GaN生长用蓝宝石衬底化学机械抛光去除速率的影响(英文)
- 化学机械抛光技术可用于生产高质量的加工表面。在蓝宝石衬底CMP过程中高的抛光速率及好的表面质量是最终的目标。在抛光液及抛光参数不变的条件下对(0001)蓝宝石村底的去除速率与抛光温度之间的关系进行了研究。采用抛光碱性介质...
- 牛新环宗思邈檀柏梅刘玉岭
- 关键词：蓝宝石衬底抛光液去除速率
- 文献传递
