史志峰
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 基于MOCVD法制备的NiO薄膜结构与光学特性被引量：3
- 2011年
- 用金属有机化学气相沉积法在Si衬底上制备了NiO薄膜。分别采用X光电子能谱、电子显微镜、X射线衍射以及紫外-可见分光光度计对样品的结构和光学特性进行测试。X光电子能谱测试结果表明:薄膜中Ni元素以二价态存在,Ni与O比值接近1∶1,表明制备的样品为NiO薄膜;电子显微镜和X射线衍射分析显示NiO薄膜呈现多晶态;紫外-可见分光光度计测试结果显示:NiO薄膜具有高透过率,400 nm附近最高透过率为96%,通过线性外推法作图得到NiO薄膜的禁带宽度在3.7 eV左右。
- 赵洋赵龙王辉王辉汤正新王瑾
- 关键词：透射率
- 采用MOCVD方法在GaAs/p+Si衬底上生长的ZnO薄膜光学和电学特性
- 采用MOCVD方法在具有GaAs夹层的p+Si衬底上生长ZnO薄膜。GaAs夹层采用射频磁控溅射方法沉积在p+Si衬底表面。Hall测试结果表明,在具有GaAs夹层衬底上生长的ZnO薄膜为p型,同时在低温光之发光谱中观测...
- 夏晓川赵龙史志峰
- 文献传递
- MOCVD法生长Ga、P掺杂的ZnO薄膜被引量：1
- 2013年
- 采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备Ga、P掺杂的ZnO薄膜,分别采用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过Ga、P掺杂分别得到n、p型ZnO薄膜,n型ZnO薄膜的载流子浓度可以达到1×1019cm-3,p型ZnO薄膜的载流子浓度达到1.66×1016cm-3。所制备的ZnO薄膜具有c轴择优生长取向,并且p型ZnO薄膜具有较好的光致发光特性。
- 殷伟张金香崔夕军赵旺王辉史志峰董鑫张宝林杜国同
- 关键词：MOCVDZNO薄膜
- MOCVD法制备以ZnO为沟道层的薄膜晶体管
- 采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在ITO玻璃衬底上制备了以氧化锌为沟道层的底栅式薄膜晶体管(ZnO-TFT),采用MOCVD方法制备的MgO薄膜作为绝缘层,实验表明生长在绝缘层上的ZnO薄膜具有很高的c轴择优取向...
- 赵旺史志峰赵龙
- 文献传递
