卓博世
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- Au／SiO2复合纳米颗粒膜及SiO2纳米线的制备
- 2009年
- 室温下用磁控溅射法在Si（111）衬底上生成Au／SiO2复合纳米颗粒膜，并分不同温度进行退火处理。1000℃退火时自组装生成空间分布均匀（直径约为70nm）的Au纳米点，从而用自组装生长方法制备了生长一维纳米材料的模板，然后，将Au催化剂模板在1100℃下退火处理，生成纳米线，SEM和TEM测试，制备的SiO2纳米线直径约为100nm，长度约为4μm，表面光滑，直且粗细均匀。
- 李玉国卓博世张敬尧崔传文张月甫扬爱春
- 关键词：磁控溅射
- 一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法
- 本发明公开了一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法，步骤如下：（1）制备溅有Pt薄膜的硅衬底：使用磁控溅射仪在硅片上制备厚度为10～50nm的Pt薄膜；（2）氮化硅纳米线的合成：将上述...
- 李玉国王宇方香卓博世彭瑞芹张晓森
- 文献传递
- Au/SiO_2纳米复合膜的形貌及发光特性被引量：1
- 2011年
- 采用磁控溅射和退火法在Si(111)衬底上制备Au/SiO2纳米复合薄膜,并在两种实验模式下进行退火处理。模式A:不同的退火温度,退火20min;模式B:退火温度1 000℃,不同的退火时间。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射方法(XRD)和光致发光(PL)等测试手段对退火后的Au/SiO2纳米复合薄膜的表面形貌、微观结构和发光特性进行了分析。SEM结果表明,在模式A情况下,随着温度的增加,Au纳米颗粒的大小先增加后减小,这与XRD测试结果相吻合。PL结果表明,在模式B情况下,随着退火时间的增加,发光峰强度先增加后减小。在325nm波长下激发,440nm的发光峰与Au颗粒的大小和数量有关,而523nm的发光峰与纳米复合膜的结构有关,这与SEM平面图相吻合。实验结果表明,Au/SiO2纳米复合薄膜的表面形貌、微观结构和发光特性与退火温度及退火时间有很强的依赖关系。
- 杨爱春李玉国卓博世郑学垒彭瑞芹
- 关键词：纳米复合膜溅射光致发光
- Si基GaN薄膜的制备方法及结构表征被引量：2
- 2008年
- 分别采用射频磁控溅射、热壁化学气相沉积(CVD)、电泳沉积法制备GaN薄膜。利用扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪对样品进行结构、形貌和发光特性的分析比较。射频磁控溅射方法中,把SiC中间层沉淀到Si衬底上,目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力。结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量。热壁化学气相沉积法制备GaN晶体膜时,选择H2作反应气体兼载体,有利于GaN膜的形成。电泳沉积法显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。结果表明:溅射法制备的GaN薄膜结晶效果好;CVD法制备时GaN薄膜应用范围广;电泳沉积法操作方便、简单易行。
- 张敬尧李玉国崔传文张月甫卓博世
- 关键词：GAN薄膜SI基溅射化学气相沉积电泳沉积
- Au//SiO/_2纳米颗粒膜及SiO/_2纳米线的制备及特性研究
- 纳米材料由于具有奇特的化学和物理特性,并且在纳电子学和光电子学领域中有潜在的重要应用,因而越来越受到人们的关注。SiO2是一种重要的光致发光材料,已广泛应用于电子工业领域。相比之下,有关纳米复合膜的制备和纳米线的生长中物...
- 卓博世
- 关键词：纳米颗粒膜光致发光
- 文献传递
- 一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法
- 本发明公开了一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法，步骤如下：（1）制备溅有Pt薄膜的硅衬底：使用磁控溅射仪在硅片上制备厚度为10～50nm的Pt薄膜；（2）氮化硅纳米线的合成：将上述...
- 李玉国王宇方香卓博世彭瑞芹张晓森
- 文献传递
