冯松
- 作品数：54 被引量：27H指数：3
- 供职机构：西安工程大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学理学机械工程更多>>
- SiGe/Si异质结PIN顶注入电光调制器的数值分析
- 2022年
- 针对电光调制器的调制效率低造成调制器的驱动电压较高的问题。文中基于等离子色散效应理论,利用计算机辅助设计模拟方法,设计了一种SiGe/Si异质结PIN顶注入硅基电光调制器,分析了不同结构尺寸、掺杂浓度下折射率变化、吸收系数变化和衰减等影响。研究结果表明:该器件有效增大了折射率变化和吸收系数变化,增强了电光调制器的等离子体色散效应,提高了硅基调制器的调制效率。SiGe/Si异质结PIN顶注入电光调制器的20dB衰减所需的驱动电压从1.24V降到0.99V,其调制效率约为硅基调制器的1.25倍,SiGe/Si异质结可以有效增强等离子体色散效应,提高电光调制器的调制效率,改善电光调制器的性能。
- 冯露露冯松胡祥建王迪陈梦林
- 关键词：电光调制器SIGE/SI异质结
- 1100V IGBT结构参数的分析
- 在1100V IGBT的基础上,引入电场中止技术和近表面层载流子浓度增大技术,通过不同参数下IGBT发结构的模拟,分别定量分析了N-漂移区、N+缓冲层和空穴阻挡层的厚度和掺杂浓度对IGBT器件的转移特性、开态特性、开关特...
- 冯松高勇杨媛
- 关键词：绝缘栅双极晶体管空穴阻挡层
- 文献传递
- 一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管，本发明还公开了碳化硅基PIN结构近红外光电二极管的制备方法，首先对N型单晶碳化硅衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用，然后对N型单晶碳化硅衬底进行沉积，沉积出本征晶体锗薄...
- 李连碧臧源冯松蒲红斌封先锋宋立勋涂喆研韩雨凌褚庆
- 文献传递
- 硅基垂直光栅耦合器的研究进展
- 2023年
- 对国内外硅基垂直光栅耦合器的研究进展进行了总结,讨论了均匀光栅耦合器和非均匀光栅耦合器的研究现状,并对相关耦合器的性能参数做了对比和分析,为未来继续研发更高耦合效率、更大耦合带宽的垂直光栅耦合器提供思路与参考。
- 刘勇冯松王迪陈梦林胡祥建冯露露
- 关键词：光子器件硅基光栅耦合器
- 一种实现时序快速收敛的时钟树综合方法
- 本发明公开了一种实现时序快速收敛的时钟树综合方法，该方法对寄存器传输级代码采用DCG模式进行逻辑综合，采用门控时钟插入技术来降低功耗；布局前，根据芯片布图的位置，选择合适的位置人工插入FCHT时钟结构的主干和分支，在时钟...
- 雷倩倩王虎虎赵二虎郭蒙刘宁宁李连碧冯松杨延飞刘露
- 波状PIN电光调制结构被引量：2
- 2016年
- PIN是电光调制器中常见的一种调制结构,该结构工作时产生的热光效应直接影响着电光调制器的性能。为了缓解这种热光效应对调制器的影响,从PIN调制原理出发,在绝缘体上硅薄膜(SOI)材料的基础上提出了一种波状PIN调制结构,并将该结构与普通PIN调制结构进行对比,定量分析了波状PIN结构对温度、折射率以及调制区载流子浓度的影响,通过仿真得出2V调制电压下,波状PIN结构的温度降低了11.6%,抑制热光效应使得折射率漂移减小了28%,调制区注入载流子浓度提高了26.7%。通过实验,分别制作了波状PIN结构和普通PIN结构的微环电光调制器,经过测试发现波状PIN结构具有更大的谐振峰蓝移值,该结构有效抑制了热光效应的影响,证明了该新型结构的优越性及理论分析的正确性。
- 冯松薛斌李连碧宋立勋翟学军朱长军
- 关键词：物理光学光电子器件电光调制器热光效应
- IGBT阻断能力的优化设计
- 2013年
- 阻断能力是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的一个重要参数指标,阻断能力的好坏直接影响器件的整体特性。以平面穿通型IGBT为例,对IGBT的场限环终端结构进行了理论分析,通过器件模拟软件对IGBT的阻断特性进行了模拟,并优化了IGBT场限环的宽度、间距及数目,提高了IGBT的阻断能力,为IGBT的设计提供了参考。最终优化的结果,在场限环宽度分别为24μm,21μm,18μm,15μm,场限环间距为3μm,4μm,5μm,6μm,场限环数目为4个时,得到的阻断电压达到1 240V。
- 冯松高勇
- 关键词：绝缘栅双极型晶体管场限环
- 一种双异质结PIN电光调制器结构
- 本发明公开了一种双异质结PIN电光调制器结构，包括有N-Sub型衬底，N-Sub型衬底的上部设置有SiO<Sub>2</Sub>埋层，SiO<Sub>2</Sub>埋层上部的两侧分别设置有P+阱区、N+阱区，P+阱区、N...
- 冯松薛斌李连碧张国青宋立勋翟学军朱长军
- 基于高精度电流源的10bit电流舵DAC被引量：1
- 2022年
- 文中设计了一款10 bit 250 MS/s的电流舵数模转换器(DAC),通过在DAC中引入阻抗增强型共源共栅电流源结构来提升DAC静态性能。整体电路采用了分段式电流舵结构,高6位为温度计码,低4位为二进制码。基于SMIC 28 nm CMOS工艺,对所设计的DAC进行了仿真验证,结果表明,在0.9 V电源电压下,DAC的积分非线性误差和微分非线性误差的最大绝对值分别为0.06 LSB和0.01 LSB;在输入频率为1.0875 MHz,采样速率38.4 MS/s时,DAC的无杂散动态范围为65.3 dB;与传统相同性能的电流舵DAC相比,电流源单元的面积减少了约75%。
- 潘诚雷倩倩高宇飞于鹏冯松
- 关键词：分段式二进制码
- 深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法的研究
- 2008年
- 基于BSIMSOI对深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法进行了研究,提出一种借助ISE器件模拟软件进行参数提取的方法。该方法计算量小,参数提取效率高,不需要进行繁琐的器件数学建模,易于推广。将该方法提出的模型参数代入HSPICE进行仿真,模拟结果与实验数据相吻合,证明了这种方法的有效性和实用性。
- 高勇冯松杨媛
- 关键词：深亚微米绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管
