俞远高
- 作品数：6 被引量：22H指数：2
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院更多>>
- 发文基金：天津市科技发展战略研究计划项目博士科研启动基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究被引量：9
- 2007年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-SiH)/I(a-SiH)/P(cryst-SiH)/ITO/Al。为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,电池制备过程中采用了H等离子体处理a-Si表面的方法。通过调节电池P层和N层厚度和H等离子体处理a-Si表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H等离子体处理a-Si表面5min,可以在a-Si表面获得高电导率的P型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P型晶化硅层沉积时间12.5min,N层沉积12min,此种结构电池特性最好,效率达6.40%。通过调整P型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
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- 关键词：太阳能电池
- (i-a-Si:H/p-μc-Si:H)界面过渡层对nip非晶硅太阳电池性能的影响
- 本文采用RF-PECVD技术成功在非晶硅表面制备出p型晶化硅薄膜,并应用到了nip非晶硅太阳能电池上.详细研究了i/p界面对电池特性的影响.结果表明:氢等离子处理非晶硅表面5Min可以改善非晶硅表面的状况,使其表面生长出...
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- 关键词：非晶硅太阳能电池电池特性化学气相沉积
- 文献传递
- 微晶硅材料及其在太阳能电池中的应用被引量：14
- 2006年
- 微晶硅(μc-Si：H)是国际公认的新一代硅基薄膜太阳能电池材料。综述了微晶硅的基本特性,器件质量级材料的表征参量,材料的生长技术,微晶硅在太阳电池中的应用及其发展前景。
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- 关键词：微晶硅等离子体增强化学气相沉积太阳电池
- 沉积压力对P型微晶硅材料结构特征和光电性能的影响
- 在微晶硅太阳电池中,P层作为电池的窗口层对电池的性能有重要影响.本文采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)的方法制备P型氢化微晶硅(c-Si:H)薄膜材料,重点研究了压力变化(200～550Pa)对薄膜沉积速...
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- 关键词：化学气相沉积光电性能
- 文献传递
- 微晶硅材料高速生长及其在太阳能电池中的应用被引量：1
- 2006年
- 高气压耗尽RF-PECVD在高速生长优质微晶硅材料和太阳能电池方面具有巨大的优势。采用这种沉积方法,本征微晶硅材料的生长速度提高到0.32nm/s,晶化率达58.2%。把这种高速生长的微晶硅材料用作太阳电池的本征吸收层,在没有优化工艺参数和没有采用ZnO增反电极时,电池的转换效率达到4.8%。
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- 微晶硅NIP太阳电池被引量：1
- 2007年
- 微晶硅NIP太阳电池具有许多优点,如用于制备柔性太阳电池可极大地扩展太阳电池的应用空间,保护窗口层免受等离子轰击以保持其性能,以及扩大窗口层的光学带隙提高太阳电池的开路电压和短路电流等。综合介绍了微晶硅NIP太阳电池的基本原理、研究现状、存在的问题并展望其发展前景。
- 俞远高杨瑞霞侯国付薛俊明
- 关键词：微晶硅NIP太阳电池
