何志巍
- 作品数：10 被引量：70H指数：5
- 供职机构：兰州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 一种制备多孔低介电常数薄膜材料的方法
- 本发明公开一种制备多孔低介电常数薄膜材料的方法，特别是生产半导体集成电路中形成电路的互连线层间或每层互连线间的绝缘介质的制备方法，特别是用溶胶-凝胶法制备多孔二氧化硅薄膜的方法。本发明的方法是在用溶胶-凝胶法制备多孔二氧...
- 何志巍刘雪芹王印月
- 文献传递
- 溶胶凝胶法制备ZnO薄膜及性质研究被引量：17
- 2006年
- 以二水醋酸锌为原料,使用溶胶凝胶法在(100)Si衬底上旋转涂敷得到ZnO薄膜．采用傅立叶变换红外光谱和X射线衍射(XRD)分析经N2、空气、O2不同气氛400℃退火ZnO薄膜的成分和结构差异．使用XRD、原子力显微镜和光致发光手段重点研究了N2气氛条件下,ZnO薄膜结构与发光特性随退火温度的变化规律,发现400℃下退火更适于干凝胶薄膜经历结构弛豫,生成具有(002)择优取向、性质优良的纳米晶ZnO薄膜．计算该样品的晶粒尺寸为41．6 nm,晶格常数α=0．3253nm, c=0．521 nm,其PL光谱出现495 nm附近强的绿光发射峰,可能源于ZnO纳米晶粒表面缺陷氧空位(Vo)．随着退火温度升高,ZnO生成量减少、晶粒体表面积比(S／V)减小共同作用导致绿光峰强度变弱．
- 兰伟朋兴平刘雪芹何志巍王印月
- 关键词：ZNO薄膜退火光致发光溶胶凝胶
- 用SCLC法研究低k多孔SiO_2:F薄膜的隙态密度
- 2006年
- 用溶胶-凝胶法制备了低k多孔SiO2:F薄膜,用空间电荷限制电流法(SCLC)研究了多孔SiO2:F薄膜中的隙态密度以及掺F量对隙态密度的影响,得到了平衡费米能级附近的隙态密度约为7×1015cm-3·eV-1,以及带隙中隙态随能量的分布.并对造成隙态的主要原因也进行了讨论.
- 缑洁何志巍潘国辉王印月
- 关键词：SCLC
- 一种制备多孔低介电常数薄膜材料的方法
- 本发明涉及生产半导体集成电路中形成电路的互连线层间或每层互连线间的绝缘介质的制备方法，特别是用溶胶－凝胶法制备多孔二氧化硅薄膜的方法。本发明的方法是在用溶胶－凝胶法制备多孔二氧化硅低介电常数材料的工艺技术中，采用氢氟酸替...
- 何志巍刘雪芹王印月
- 文献传递
- 分子模板法制备纳米多孔SiO_2薄膜被引量：3
- 2004年
- 报道了用分子模板法制备纳米有序多孔SiO2 薄膜。用扫描电子显微镜 (SEM)观察改性前后薄膜的表面形貌 ,发现改性后薄膜孔洞大小均匀 ,排列有序 ,孔径在 2 0 0nm左右。付立叶红外变换光谱 (FTIR)研究表明 ,改性后薄膜内存在大量的 -CH3键 ,增强了薄膜的憎水性 ,可以有效抑制孔洞塌缩。用椭圆偏振光测试仪测量并计算了薄膜的介电常数和膜厚 ,并且研究了热处理温度对二者的影响 ,发现当热处理温度为3 5 0℃时薄膜厚度约为 40 0nm ,此时介电常数有最低值 1.
- 何志巍甄聪棉缑洁兰伟郭得峰王印月
- 关键词：SIO2低介电常数分子模板
- 超低介电常数纳米多孔SiO_2薄膜制备技术进展被引量：6
- 2003年
- 纳米多孔SiO_2薄膜具有超低的介电常数,作为绝缘介质在超大规模集成电路互连系统有着巨大的应用潜力。文中概述了纳米多孔SiO_2薄膜的孔隙度与介电常数的关系,指出所有模型均位于串联和并联模型之间,介电常数均随孔隙度的增加而下降。说明了多孔siO_2薄膜按孔隙度不同主要分气凝胶和干凝胶两类。介绍了从溶液前驱物中合成的原理,给出了制备纳米多孔SiO_2薄膜的一般流程。详细总结了用气凝胶/干凝胶法和模板法制备纳米多孔SiO_2薄膜的技术进展。探讨了旋转涂覆制备多孔SiO_2薄膜的弱点及改进办法,指明了超低介电常数纳米多孔SiO_2薄膜制备技术的发展方向。
- 甄聪棉刘雪芹何志巍兰伟王印月
- 关键词：超低介电常数
- 多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为被引量：13
- 2004年
- 在多孔硅衬底上用射频溅射法沉积了非晶的SiC :Tb薄膜 .对样品在N2 中进行了不同温度的退火处理 .用傅里叶红外变换谱分析了样品的结构 .用荧光光谱仪测试了样品的光致发光 ,在紫外、可见光区域观测到了强的发光峰 .发现随着衬底加热温度和样品退火温度的变化 ,发光峰有明显的强度变化和微弱的蓝移现象 .分析了产生这种现象的机理 ,得出了紫外区域的发光峰是由于氧缺乏中心引起的 。
- 徐大印刘彦平何志巍方泽波刘雪芹王印月
- 关键词：碳化硅薄膜射频溅射法
- 超低介电常数材料纳米多孔SiO/_2和SiO/_2：F薄膜的制备及其物性研究
- 自从1947年晶体管发明以及1958年第一个集成电路诞生以来,以硅基集成电路为核心的微电子技术取得了飞速发展,传统热生长法生长的SiO/_2作为金属互连线间的绝缘介质,已远远不能满足需求,以此为背景的低介电常数材料成为当...
- 何志巍
- 关键词：多孔二氧化硅介电常数
- 文献传递
- ZnO∶Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究被引量：6
- 2004年
- 用RF磁控反应共溅射法在Si( 111)衬底上制备出了铽 (Tb)掺杂的ZnO透明导电薄膜。研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响。结果表明 ,在最佳沉积条件下我们制备出了具有良好c轴取向 ,电阻率降低到 9.3 4× 10 - 4Ω·cm ,且可见光段 ( 4 0 0～80 0nm)平均透过率大于 80 %的ZnO∶Tb新型透明导电材料。
- 方泽波朋兴平谭永胜何志巍王印月
- 关键词：ZNO透明导电薄膜
- 溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO_2薄膜被引量：28
- 2003年
- 以正硅酸乙酯 (TEOS)为原料 ,采用旋转涂敷的方法 ,结合溶胶 凝胶技术在硅衬底上制备超低介电常数多孔SiO2 薄膜 采用两种不同的改性方法对薄膜表面进行改性 ,傅里叶变换红外光谱分析发现改性后薄膜中含有大量的—CH3键 ,从而减少了孔洞塌陷 .用扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌 ,发现薄膜内孔洞尺寸在 70— 80nm之间 调节溶胶pH值 ,发现pH值越小凝胶时间越长 对改性样品热处理的结果表明 ,在 30 0℃时介电常数最低达2 0 5 .
- 何志巍甄聪棉兰伟王印月
- 关键词：纳米多孔材料二氧化硅薄膜红外光谱分析正硅酸乙酯
