高玉强
- 作品数：10 被引量：23H指数：3
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- SiC单晶中典型的生长缺陷
- 告主要介绍SiC单晶中几种典型的生长缺陷如:微管、螺位错、基平面位错、基平面弯曲、层错等.利用同步辐射形貌术、原子力显微镜、激光显微镜对这些缺陷进行了观察和表征.根据SiC单晶的结构特点,讨论了这些缺陷的形成机理.在缺陷...
- 胡小波徐现刚高玉强陈秀芳彭燕宋生
- 一种提高4H-SiC单晶晶型稳定性的方法
- 本发明提供一种提高4H-SiC单晶晶型稳定性的方法，所述方法包括：采用升华法将碳化硅源粉末加热至升华，建立优选温度和压力范围，确保生长晶型为4H-SiC；在生长室中建立特定的轴向温度梯度，促使碳化硅源粉升华至籽晶上结晶；...
- 徐现刚彭燕胡小波高玉强宋生王丽焕魏汝省
- 透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性被引量：5
- 2008年
- 采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AlN单晶生长习性进行了研究。结果表明,在低温下,AlN单晶显露面为(0001)面,随着温度的升高,AlN单晶显露面转化为(112-0)面。沟槽结构是高温下得到的AlN单晶共有的显著特征,其取向沿[0001]方向。
- 李娟胡小波高玉强王翎徐现刚
- 关键词：透射电子显微术
- 硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响被引量：4
- 2008年
- 合成了适于半绝缘碳化硅单晶生长的高纯度SiC粉料。实验发现,不同的硅粉形状、粒度以及合成温度、时间都对合成产物的形貌、组成和产率有影响。合成产物的形貌通过扫描电子显微镜(SEM)观察,结构通过粉末衍射法(XRD)测定。结果表明,合成产率与Si粉的表面积有十分重要的关系,表面积越大,合成产率越高。合成温度和时间则决定了合成产物中-αSiC和-βSiC的比例。辉光放电质谱(GDMS)测量了合成产物的杂质含量,表明合成产物符合半绝缘SiC单晶的生长要求。
- 宁丽娜胡小波王英民王翎李娟彭燕高玉强徐现刚
- 关键词：高纯碳化硅粉
- 4H-SiC晶体表面形貌和多型结构变化研究被引量：2
- 2010年
- 利用光学显微镜、显微拉曼光谱仪研究了4H-SiC晶体表面形貌和多型分布。显微镜观察结果显示4H-SiC小面生长螺蜷线呈圆形,沿<112-0>方向容易出现裂缝。裂缝两侧有不同的生长形貌。拉曼光谱结果显示缺陷两侧为不同的晶型,裂缝实际为晶型转化的标志。纵切片观察发现,在4H-SiC和15R-SiC多型交界处产生平行于<112-0>方向裂缝;15R-SiC多型一旦出现,其径向生长方向平行于<112-0>方向,轴向生长方向平行于<0001->方向。
- 彭燕宁丽娜高玉强徐化勇宋生蒋锴胡小波徐现刚
- 关键词：4H-SIC晶型转变
- 3英寸6H-SiC单晶的生长被引量：1
- 2007年
- 王英民宁丽娜陈秀芳彭燕高玉强胡小波徐现刚蒋民华
- 关键词：单晶生长宽带隙半导体材料蓝色发光二极管电学性质衬底材料
- 退火时间对6H-SiC(0001)表面外延石墨烯形貌和结构的影响被引量：12
- 2010年
- 在分子束外延(MBE)设备中,采用高温退火的方法在6H-SiC(0001)表面外延石墨烯,并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)等实验技术对制备的样品进行了表征.RHEED结果发现,不同退火时间的样品在SiC衍射条纹的外侧都出现了石墨烯的衍射条纹.AFM测试表明,外延石墨烯的厚度随退火时间增加而增大,且样品孔洞减少、表面更加平整.Raman测试表明,外延石墨烯拉曼谱中2D峰和G峰的位置相对高定向热解石墨(HOPG)中2D峰和G峰的位置蓝移,且退火时间增加,峰的蓝移量减小.对样品中碳原子K边NEXAFS谱测量显示,样品中存在sp2杂化的碳原子,退火时间增加使碳原子的1s→π以及1s→σ吸收的强度增大,且1s电子到π态的吸收峰相对HOPG的向高能偏移.
- 唐军刘忠良康朝阳闫文盛徐彭寿潘海斌韦世强高玉强徐现刚
- 关键词：RAMAN石墨烯6H-SIC退火时间RHEEDNEXAFS
- 低微管密度SiC单晶生长(邀请报告)
- 自主研发出碳化硅单晶生长炉,采用升华法生长出微管密度达到1个/cm2的2英寸6H-SiC单晶。加工得到开盒即用(epi-ready)的半绝缘和n型6H-SiC衬底,晶片质量均匀性好,5点测量平均半峰宽(FSWHM)小于3...
- 徐现刚高玉强宁丽娜彭燕陈秀芳胡小波蒋民华
- 关键词：碳化硅
- 文献传递
- 以(10■5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究
- 2010年
- 本文以升华法实现了以(10■5)面为籽晶的6H-SiC单晶扩径生长,获得最大直径达33 mm的6H-SiC单晶。采用光学显微镜观察晶体纵切片,发现源于包裹体的沿生长方向延伸的微管发生转弯现象,转向后在(0001)面内延伸,同时籽晶内沿c轴延伸的微管也终止于生长界面。通过光学显微镜观察单晶生长表面形貌,发现(10■n)面生长,随着n的增大层错密度逐渐减小,这与横切片的腐蚀结果相对应;随着微管的终止和层错的减少得到了无微管的高质量单晶区。
- 高玉强彭燕李娟陈秀芳胡小波徐现刚蒋民华
- 关键词：SIC单晶微管层错
- 一种提高4H-SiC单晶晶型稳定性的方法
- 本发明提供一种提高4H-SiC单晶晶型稳定性的方法，所述方法包括：采用升华法将碳化硅源粉末加热至升华，建立优选温度和压力范围，确保生长晶型为4H-SiC；在生长室中建立特定的轴向温度梯度，促使碳化硅源粉升华至籽晶上结晶；...
- 徐现刚彭燕胡小波高玉强宋生王丽焕魏汝省
- 文献传递
